公开(公告)号：KR1020170034794A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：KR1020167035451

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  니시무라에이이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 일실시형태의방법에서는, 플라즈마처리장치의처리용기내에제1 처리가스를공급하고, 그제1 처리가스의플라즈마를발생시켜, 그제1 처리가스의플라즈마에의하여상부자성층을에칭한다. 이어서, 상부자성층의에칭에의하여발생한퇴적물을제거한다. 퇴적물의제거는, H가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마에의하여퇴적물에환원반응을발생시키는공정과, 환원반응을발생시키는공정에의하여생성된생성물을, 헥사플루오로아세틸아세톤을포함하는제3 처리가스를이용하여제거하는공정을포함한다.

Abstract translation: 在该方法的一个实施例中，供给第一处理气体成等离子体处理装置的处理容器中，通过前天产生第一处理气体的等离子体，昨天1的前一天由工艺气体的等离子体是指上磁性层。 随后，去除由上层磁性层的蚀刻引起的沉积物。 的沉降物的去除，包括通过由含有H气体生成沉积物的还原反应，并产生还原反应，六氟乙酰丙酮的步骤中，第二处理气体的等离子体的工序所得到的产物 3工艺气体。

公开(公告)号：KR1020160027928A

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：KR1020150121844

申请日：2015-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 기판처리방법이며, 상기회전테이블의회전방향을따라서상기에칭가스가공급되는처리영역과, 상기에칭가스가공급되지않고퍼지가스가공급되는퍼지영역으로구획된처리실내에설치된회전테이블상에기판을적재한다. 에칭가스를상기처리영역에공급한다. 퍼지가스를상기퍼지영역에공급한다. 회전테이블을회전시키고, 상기회전테이블을 1회전시킨때 상기기판이상기처리영역과상기퍼지영역을 1회씩통과하도록한다. 상기기판이상기처리영역을통과한때 상기기판의표면에형성된막을에칭한다. 상기회전테이블의회전속도를변화시킴으로써, 상기막을에칭하는에칭레이트또는에칭후의상기막의표면조도를제어한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理方法。 将基板放置在安装在处理室中的转台上。 处理室包括供给蚀刻气体的处理区域和供给吹扫气体而不是蚀刻气体的吹扫区域。 处理区域和吹扫区域沿着转台的旋转方向布置并且彼此分开。 蚀刻气体被供给到处理区域。 净化气体被供应到净化区域。 转盘旋转以使基板分别一次通过处理区域和吹扫区域一次。 当基板通过处理区域时，在基板的表面上形成的膜被蚀刻。 通过改变转盘的旋转速度来控制蚀刻后的蚀刻蚀刻速率或蚀刻后的膜的表面粗糙度。

公开(公告)号：KR101569377B1

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：KR1020120118473

申请日：2012-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  이케우치토시유키 ,  사토준 ,  모로즈미유이치로 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: (과제) 표면러프니스가양호한실리콘산화물막을얻는것이가능한실리콘산화물막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(1) 상에시드층(2)을형성하는공정과, 시드층(2) 상에실리콘막(3)을형성하는공정과, 실리콘막(3) 및시드층(2)을산화시켜, 하지(1) 상에실리콘산화물막(4)을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020150122108A

公开(公告)日：2015-10-30

申请号：KR1020150143592

申请日：2015-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  초우파오화

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  C07F7/02 ,  C07F7/10

CPC classification number: H01L21/02304 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02312

Abstract: (과제) 텅스텐막또는산화텅스텐막상에산화실리콘막을형성해도, 산화실리콘막의인큐베이션시간을단축하는것이가능한텅스텐막또는산화텅스텐막상으로의산화실리콘막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 피처리체상에텅스텐막또는산화텅스텐막을형성하는공정 (스텝 1)과, 텅스텐막또는산화텅스텐막상에시드층을형성하는공정(스텝 2)과, 시드층상에산화실리콘막을형성하는공정(스텝 3)을구비하고, 상기시드층을텅스텐막또는산화텅스텐막상에, 피처리체를가열하고, 텅스텐막또는산화텅스텐막의표면에아미노실란계가스를공급하여형성한다.

Abstract translation: 提供一种在钨膜或氧化钨膜上形成氧化硅膜的方法，其即使在钨膜或氧化钨膜上形成氧化硅膜也能够缩短氧化硅膜的孵育时间。 形成氧化硅膜的方法包括：在被处理物上形成钨膜或氧化钨膜的第一工序; 在钨膜或氧化钨膜上形成晶种层的第二步骤; 以及在种子层上形成氧化硅膜的第三步骤。 通过对被处理物进行加热，在钨膜或氧化钨膜上形成种子层，向钨膜或氧化钨膜的表面供给氨基硅烷族气体。

公开(公告)号：KR102106666B1

公开(公告)日：2020-05-04

申请号：KR1020160145665

申请日：2016-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR101879022B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020150121844

申请日：2015-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 기판처리방법이며, 상기회전테이블의회전방향을따라서상기에칭가스가공급되는처리영역과, 상기에칭가스가공급되지않고퍼지가스가공급되는퍼지영역으로구획된처리실내에설치된회전테이블상에기판을적재한다. 에칭가스를상기처리영역에공급한다. 퍼지가스를상기퍼지영역에공급한다. 회전테이블을회전시키고, 상기회전테이블을 1회전시킨때 상기기판이상기처리영역과상기퍼지영역을 1회씩통과하도록한다. 상기기판이상기처리영역을통과한때 상기기판의표면에형성된막을에칭한다. 상기회전테이블의회전속도를변화시킴으로써, 상기막을에칭하는에칭레이트또는에칭후의상기막의표면조도를제어한다.

公开(公告)号：KR1020170000351A

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020160077823

申请日：2016-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기쿠치히로유키 ,  무라타마사히로 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/76802 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

Abstract: 기판 W의표면에형성된오목부에실리콘함유막을충전하는실리콘함유막의성막방법이며, 상기기판에실리콘함유가스를공급하여, 상기오목부내에상기실리콘함유가스를흡착시키는제1 실리콘흡착공정과, 상기기판에에칭가스를공급하여, 상기오목부내에흡착된상기실리콘함유가스의실리콘성분의일부를에칭하는실리콘에칭공정과, 상기기판에상기실리콘성분과반응하는반응가스를공급하여, 에칭후에상기오목부내에흡착된채로잔류한상기실리콘성분과반응시켜반응생성물을생성하여, 상기오목부내에실리콘함유막을퇴적시키는제1 실리콘함유막퇴적공정을포함하는제1 성막사이클을포함한다.

Abstract translation: 用于沉积含硅膜的方法是通过使含硅气体通过将含硅气体供给到衬底而吸附在形成在衬底的第二表面的凹陷的第一表面上的方式进行的。 通过向基板供给蚀刻气体来部分地蚀刻吸附在凹陷的第一表面上的含硅气体中所含的硅成分。 通过向基板供给与硅组分反应的反应气体，从而在凹陷中沉积含硅膜，以通过使反应气体与残留在凹陷中的硅组分反应而产生反应产物而不进行蚀刻。

公开(公告)号：KR1020160104562A

公开(公告)日：2016-09-05

申请号：KR1020160021341

申请日：2016-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판(W)을적재가능한회전테이블(2)과, 상기회전테이블의회전방향을따라서로이격하여설치된제1 처리가스공급수단및 제2 처리가스공급수단을갖는성막장치를사용한실리콘함유막의성막방법이며, 상기회전테이블을회전시키면서상기제1 처리가스공급수단으로부터상기기판에아미노실란가스를공급하고, 상기기판의표면에시드층을형성하는시드층형성공정과, 상기회전테이블을회전시키면서상기제1 처리가스공급수단으로부터붕소함유가스를상기기판의표면에공급하는촉매공급공정과, 상기회전테이블을회전시키면서상기제2 처리가스공급수단으로부터실란계가스를상기기판의표면에공급하고, 상기기판의표면에실리콘끼리의결합을발생시키는원료가스공급공정을갖는다.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用成膜装置形成含硅膜的方法，所述成膜装置包括装载基板（W）的旋转台（2），第一处理气体供应装置和第二处理气体供应装置 安装成相互分离。 该方法包括：在旋转旋转台的同时将氨基硅烷气体从第一工艺气体供给装置供给到衬底并在衬底的表面上形成晶种层的种子层形成工艺; 在旋转所述旋转台的同时，从所述第一处理气体供给装置向所述基板的表面供给含硼气体的催化剂供给工序; 以及在旋转所述旋转台的同时将硅烷类气体从所述第二处理气体供给装置供给到所述基板的表面，以及在所述基板的表面上产生耦合硅和硅的原料气体供给工序。

公开(公告)号：KR1020160030368A

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：KR1020150125487

申请日：2015-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  사토준

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 해당처리용기내에설치되고, 기판을상면에적재가능한회전테이블과, 해당회전테이블의주위방향에있어서의소정개소에형성되고, 제1 플라즈마가스로부터제1 플라즈마를발생시켜제1 플라즈마처리를행하는제1 플라즈마처리영역과, 해당제1 플라즈마처리영역과상기주위방향에있어서이격하여형성되고, 제2 플라즈마가스로부터제2 플라즈마를발생시켜제2 플라즈마처리를행하는제2 플라즈마처리영역과, 상기주위방향에있어서상기제1 플라즈마처리영역과상기제2 플라즈마처리영역사이의 2개의간격영역각각에형성되고, 상기제1 플라즈마처리영역과상기제2 플라즈마처리영역을분리하여상기제1 플라즈마가스와상기제2 플라즈마가스의혼합을방지하는 2개의분리영역을갖는다.

Abstract translation: 等离子体处理装置具有：处理容器; 旋转台，安装在相应的处理容器中，并可在上平面上装载基板; 第一等离子体处理区域，其形成在沿着相应旋转台的周围方向的固定位置，并且通过从第一等离子体气体产生第一等离子体来执行第一等离子体处理; 第二等离子体处理区域，其形成为沿着周围方向与相应的第一等离子体处理区域分离，并且通过从第二等离子体气体产生第二等离子体来进行第二等离子体处理; 以及沿着周围方向分别形成在第一等离子体处理区域和第二等离子体处理区域之间的两个间隔区域上的两个分离区域，并且通过分离第一等离子体处理气体和第二等离子体处理气体来防止混合第一等离子体处理气体 等离子体处理区域和第二等离子体处理区域。 本发明提供能够降低膜中的氟密度的等离子体处理装置和等离子体处理方法。

公开(公告)号：KR1020150052784A

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：KR1020140151167

申请日：2014-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  요네자와마사토 ,  사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31138

Abstract: 천장판을포함하는진공용기와, 상기진공용기내에회전가능하게설치된회전테이블과, 상기회전테이블에대치된기판의표면에흡착되는제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급수단과, 상기제1 처리가스공급수단으로부터상기회전테이블의주위방향으로이격된위치에설치되고, 상기기판의표면에플라즈마처리용가스를공급하는플라즈마처리용가스공급수단과, 상기제1 처리가스와상기플라즈마처리용가스를분리하는분리가스를공급하는분리가스공급수단과, 상기플라즈마처리용가스를플라즈마화하는플라즈마발생수단과, 상기플라즈마발생수단및 상기회전테이블중 적어도한쪽을승강시키는승강기구를갖는기판처리장치.

Abstract translation: 本发明公开了一种基板处理装置，包括：具有屋顶板的真空容器; 可旋转地安装在真空容器内的旋转台; 第一处理气体供给装置，用于提供吸附在位于旋转台上的基板的表面上的第一处理气体; 等离子体处理气体供给装置，其安装成在旋转台的径向方向与第一处理气体供给装置分离，以将等离子体处理气体提供到基板的表面上; 分离气体供给装置，用于供应分离第一处理气体和等离子体处理气体的分离气体; 等离子体产生装置，用于从等离子体处理气体产生等离子体; 以及用于提升等离子体产生装置和旋转台中的至少一个的提升装置。