公开(公告)号：KR1020070026123A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020060082675

申请日：2006-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  이나다히로이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  G03F7/70933

Abstract: Apparatus and method for forming a coating layer are provided to improve the uniformity of thickness in the coating layer by using a substrate holding rotating unit composed of a spin chuck and a rotating mechanism. The apparatus for forming a coating layer includes a substrate holding rotating unit for holding and rotating a substrate, a coating solution supply unit for dropping a coating solution onto the substrate, a processing cup(55) with an opening portion for loading/unloading the substrate, and an absorbing unit. The substrate holding rotating unit is composed of a spin chuck(51) for loading stably the substrate and a rotating mechanism(52) for rotating the substrate.

Abstract translation: 提供了用于形成涂层的装置和方法，以通过使用由旋转卡盘和旋转机构构成的基板保持旋转单元来改善涂层的厚度均匀性。 用于形成涂层的装置包括用于保持和旋转基板的基板保持旋转单元，用于将涂布液滴落到基板上的涂布溶液供给单元，具有用于装载/卸载基板的开口部的处理杯（55） ，和吸收单元。 基板保持旋转单元由用于稳定地加载基板的旋转卡盘（51）和用于旋转基板的旋转机构（52）构成。

公开(公告)号：KR100574303B1

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020000059961

申请日：2000-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  후지모토아키히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 본 발명은, 기판처리장치에 관한 것으로서, 표면에 레지스트액이 공급되는 웨이퍼를 보지하기 위한 스핀척과, 상기 스핀척을 수용하고, 아랫부분으로부터 배기를 하는 것으로, 웨이퍼 주변의 분위기를 강제배기하는 컵과, 상기 컵 내에 설치되어 웨이퍼의 주위를 에워싸고, 웨이퍼 부근의 기류를 제어하는 기류제어판을 가짐으로써, 피처리기판의 둘레부에 있어서의 특수한 기류상태의 해소가 가능하며, 이것에 의해 막두께의 돌출을 방지할 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置，包括一个旋转卡盘保持在其上的抗蚀剂溶液被提供给表面，杯，用于接收旋转卡盘的晶片，和从下部的排气强制围绕晶片排气的气氛 并且，该装置周围的周边是在杯的晶片，通过具有用于控制在晶片附近的空气流的空气流的控制面板，它可以在衬底的周边部分上的特殊的空气流状态来解决，并通过该膜厚度 提出了一种能够防止天线突出的技术。

公开(公告)号：KR101997880B1

公开(公告)日：2019-07-08

申请号：KR1020130012383

申请日：2013-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시다유이치 ,  요시하라코우스케 ,  이세키토모히로

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1020160102184A

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020167016020

申请日：2014-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오사카 유니버시티

Inventor： 나가하라세이지 ,  시라이시고우스케 ,  시무라사토루 ,  요시하라코우스케 ,  카와카미신이치로 ,  토모노마사루 ,  타가와세이이치 ,  오시마아키히로

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67225 ,  G03F7/70991

Abstract: 기판을처리하는기판처리시스템은기판을처리하는복수의처리장치가마련된처리스테이션과, 기판처리시스템의외부에마련되어기판상의레지스트막에패턴의노광을행하는노광장치와기판처리시스템과의사이에서직접적또는간접적으로기판을전달하는인터페이스스테이션과, 패턴의노광이행해진후의기판상의레지스트막에대하여 UV광에의한포스트노광을행하는광 조사장치와, 광조사장치를수용하고, 감압또는불활성가스분위기로조정가능한포스트노광스테이션을가지고, 포스트노광스테이션은노광장치와직접적, 또는감압또는불활성가스분위기로조정가능한공간을개재하여간접적으로접속되어있다.

Abstract translation: 一种用于处理基板的基板处理系统，包括：设置有多个处理基板的处理装置的处理台; 接口站，其在设置在基板处理系统外部的曝光装置之间直接或间接地传送基板，并且在基板上的抗蚀剂膜上进行图案的曝光;以及基板处理系统; 执行曝光图案之后，使用UV光对基板上的抗蚀剂膜进行后曝光的光照射装置; 以及容纳光照射装置并且可以减压或惰性气体气氛调节的后曝光站，其中后曝光站通过可调节到减压的空间直接或间接连接到曝光装置，或 惰性气体气氛。

公开(公告)号：KR101435225B1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：KR1020090021686

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  요시다유우이치 ,  야마모토타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: G03F7/168 ,  B08B3/024 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은, 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것으로서 본 발명의 기판 세정 방법은, 기판의 중심부와 회전 중심부가 일치하도록 기판을 기판 유지부에 수평으로 유지시키는 공정과, 상기 기판 유지부를 수직축의 주위에 회전시키면서 세정 노즐로부터 기판의 중심부에 세정액을 토출하여 원심력에 의해 기판의 표면 전체로 넓히는 공정과, 다음에 기판 유지부를 회전시킨 채 기판상의 세정액의 토출 위치를 기판의 중심부로부터 어긋난 편심 위치로 변경 함과 동시에, 세정액의 토출 위치에 있어서의 가스 토출 위치측 계면과 가스 노즐에 의한 가스의 토출 위치에 있어서의 세정액 토출 위치측 계면과의 거리를 9 mm~15 mm로 설정한 상태에서 상기 가스 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 가스를 토출하여 세정액의 건조 영역을 형성하는 공정과 그 후, 기판 유지부를 회전시킨 채 세정액의 토출 위치를 상기 건조 영역이 바깥으로 퍼지는 속도보다 늦은 속도로 기판의 주변을 향해 이동시키는 공정을 포함하고 있는 물의 정적 접촉각이 85도 이상인 기판의 표면을 세정하는 방법에 관한 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020120097331A

公开(公告)日：2012-09-03

申请号：KR1020120017769

申请日：2012-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼타케코우이치 ,  니와타카후미 ,  쿄우다히데하루 ,  요시하라코우스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/30

Abstract: PURPOSE: A development processing method and apparatus using a developing solution containing an organic solvent are provided to improve melting and removal rates of a resist film by maintaining a liquid film of the developing solution to be thin. CONSTITUTION: A wafer is rotated by a rotary drive mechanism(S1). A developing nozzle is carried from a peripheral portion of the wafer to an upper portion of a central portion(S2). A developing solution is provided from the developing nozzle to the central portion of the wafer(S3). The developing nozzle is carried from the central portion of the wafer to the peripheral portion(S4). A rinse solution including an organic solvent is provided to the surface of the wafer(S5). Spin dry processing for eliminating the rinse solution from the surface of the wafer is performed(S6). [Reference numerals] (A) Supplying a development solution; (AA) Start; (B) Stopping supplying the development solution; (BB) End; (C) Supplying the developing solution; (S1) Rotating a wafer; (S2) Moving a developing nozzle to the center portion; (S4) Moving the developing nozzle to the peripheral portion; (S5) Rinsing; (S6) Drying

Abstract translation: 目的：提供使用含有有机溶剂的显影液的显影处理方法和装置，以通过将显影液的液膜保持薄而提高抗蚀剂膜的熔融和除去速度。 构成：通过旋转驱动机构旋转晶片（S1）。 显影喷嘴从晶片的周边部分运送到中心部分的上部（S2）。 从显影喷嘴提供到晶片的中心部分的显影液（S3）。 显影喷嘴从晶片的中心部分运送到周边部分（S4）。 将包含有机溶剂的冲洗溶液提供到晶片的表面（S5）。 进行用于从晶片表面去除冲洗溶液的旋转干燥处理（S6）。 （附图标记）（A）提供开发解决方案; （AA）开始; （二）停止供应开发解决方案; （BB）结束; （C）提供开发解决方案; （S1）旋转晶圆; （S2）将显影喷嘴移动到中心部分; （S4）将显影喷嘴移动到周边部分; （S5）冲洗; （S6）干燥

公开(公告)号：KR1020120001681A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：KR1020110063519

申请日：2011-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이치노카츠노리 ,  요시하라코우스케

IPC: H01L21/027 ,  B05C11/08

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L21/0274 ,  B05C11/08 ,  G03F7/162 ,  G03F7/70891 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method and device for coating a coating layer are provided to improve uniformity of the thickness of the coating layer by locally controlling a temperature of a specific range in a radius direction of a substrate on the rear of the substrate. CONSTITUTION: A spin chuck(122) which rotates a wafer(W) is installed in the center of a casing(120). The spin chuck includes a chuck driving device(124) with a rotation driving source. A cup(130) is installed around the spin chuck to receive liquid from the wafer. A fan filter unit(126) is installed on the upper side of the casing to form the down flow of clean air. An exhaust duct(127) is connected to the lower side of the casing to exhaust the atmosphere of the casing.

Abstract translation: 目的：提供一种涂覆涂层的方法和装置，以通过局部地控制基板背面上的基板的半径方向上的特定范围的温度来提高涂层厚度的均匀性。 构成：旋转晶片（W）的旋转卡盘（122）安装在壳体（120）的中心。 旋转卡盘包括具有旋转驱动源的卡盘驱动装置（124）。 旋转卡盘周围安装有杯（130），以从晶片接收液体。 风扇过滤器单元（126）安装在壳体的上侧，以形成清洁空气的向下流动。 排气管（127）连接到壳体的下侧以排出壳体的气氛。

公开(公告)号：KR101069954B1

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：KR1020067012569

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  요시하라코우스케 ,  쿄다히데하루 ,  타케구찌히로후미 ,  오코우치아츠시

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 현상장치 및 현상방법에 관한 것으로서 기판의 유효 영역의 폭에 대응하는 길이가 슬릿 형상의 토출구를 가지는 현상액 노즐에 의해 현상액이 스캔 도포된다. 현상액이 기판상에 액활성된 상태로 일정시간 보지한 후 희석액 노즐에 의해 희석액이 스캔 도포된다. 이것에 의해 현상 반응이 실질적으로 정지함과 함께 레지스트 용해 성분이 확산된다. 현상액의 온도 조정에 의해 신속히 원하는 양의 레지스트가 용해되는 한편 소정 타이밍에서의 희석액 공급에 의해 레지스트 용해 성분에 의한 악영향이 생기기 전에 현상을 정지함으로써 선폭이 균일한 패턴을 구할 수 있고 또한 수율도 향상하는 레지스트의 종류 혹은 레지스트 패턴에 따라 현상액의 온도가 조정되는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110094242A

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：KR1020110007700

申请日：2011-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타키구치야스시 ,  야마모토타로 ,  아리마히로시 ,  요시하라코우스케 ,  요시다유이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03B27/52 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A coating and developing apparatus, a developing method and a non-transitory medium are provided to suppress the deterioration of throughout by processing a substrate in a developing module and a cleaning module. CONSTITUTION: In a coating and developing apparatus, a developing method and a non-transitory medium, a develop unit(20) comprises a developer module(2) a cleaning module(7) washing a wafer. The developer module supplies steam vapor of a developer to a housing(21). The wafer is returned to an exposure apparatus by an interface arm(9). A lathe unit(U1~U5) is comprised of a plurality of laminated modules in order to face with the develop unit. A transfer arm(A1) is installed in a DEV layer(B1) and sends the wafer to each heating module.

Abstract translation: 目的：提供一种涂布和显影装置，显影方法和非暂时性介质，以通过在显影模块和清洁模块中处理基板来抑制整个劣化。 构成：在涂布和显影装置中，显影方法和非瞬时介质，显影单元（20）包括显影剂模块（2）清洗晶片的清洁模块（7）。 显影剂模块将显影剂的蒸汽蒸气提供到壳体（21）。 晶片通过接口臂（9）返回到曝光装置。 为了与显影单元相对，车床单元（U1〜U5）由多个层压模块构成。 传送臂（A1）安装在DEV层（B1）中，并将晶片发送到每个加热模块。

公开(公告)号：KR1020090105815A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：KR1020090021686

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  요시다유우이치 ,  야마모토타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: G03F7/168 ,  B08B3/024 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus are provided to obtain high cleaning effect in a water-repellent material above a static contact angle of the 85 degrees on the surface. CONSTITUTION: A substrate cleaning device includes a substrate holding unit, a rotation unit, a cleaning liquid nozzle(4), a gas nozzle(5), a nozzle driving unit, and a controller(7). The substrate holding unit horizontally maintains the substrate so that the center of the substrate coincides with the rotation center. The rotation unit rotates the substrate holding unit around a vertical axis. The cleaning liquid nozzle discharges the cleaning liquid to the surface of the substrate. The gas nozzle discharges the gas to the surface of the substrate. The nozzle driving unit moves the cleaning liquid nozzle and the gas nozzle. The controller outputs the control signal.

Abstract translation: 目的：提供基板清洗方法和基板清洗装置，以在表面上85度的静态接触角以上的防水材料中获得高清洁效果。 构成：基板清洗装置包括基板保持单元，旋转单元，清洗液喷嘴（4），气体喷嘴（5），喷嘴驱动单元和控制器（7）。 基板保持单元水平地保持基板，使得基板的中心与旋转中心重合。 旋转单元使基板保持单元绕垂直轴旋转。 清洗液喷嘴将清洗液体排出到基板的表面。 气体喷嘴将气体排放到基板的表面。 喷嘴驱动单元移动清洁液喷嘴和气体喷嘴。 控制器输出控制信号。