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公开(公告)号：KR1020140086944A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020140072194
申请日：2014-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，可以进一步提高表面粗糙度的精度，并且可以处理接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将氨基硅烷基气体流动到加热的基板（2）上，在基板（2）的表面上形成种子层（3）; 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的种子层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。
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公开(公告)号：KR1020140085405A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020140072192
申请日：2014-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved to cope with progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and applying aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，能够进一步提高表面粗糙度的精度，以适应接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将基于氨基硅烷的气体施加到加热的基板（2）上而在基板（2）的表面上形成种子层（3）。 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的籽晶层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。
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公开(公告)号：KR1020130014458A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020120145412
申请日：2012-12-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成非晶硅膜的方法，其方法是通过提高表面粗糙度的精度来精细地形成接触孔和线。 构成：加热硅衬底（1）的基底（2）。 通过将氨基硅烷基气体流到基底，在基底的表面上形成种子层（3）。 没有氨基的硅烷气体被供给到基底表面上的种子层。 没有氨基的硅烷气体被热分解。 在种子层上形成非晶硅膜（4）。
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公开(公告)号：KR1020110122059A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020110040550
申请日：2011-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02636 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/45525 , C23C16/481 , H01L21/02425 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/0262
Abstract: PURPOSE: A thin film formation method and a film deposing method thereof are provided to arrange a mixed film, thereby forming a silicon film including impurities in an amorphous state with good embedding properties in a low temperature film deposition. CONSTITUTION: A mono silane gas is provided in an adsorption state on a semiconductor wafer surface from a gas nozzle of a silane system gas supply unit in a first gas supply process(S1). An impurity including gas is provided from the gas nozzle of a support gas supply unit in a second gas supply process(S2). A BCl3 gas is provided from the gas nozzle of an impurity including gas supply unit while the flux is controlled(S3). A silicon film including impurities in an amorphous state is arranged by alternatively and repeatedly performing the first gas supply process and second gas supply process(S5).
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜形成方法及其薄膜沉积方法来设置混合膜，从而在低温薄膜沉积中形成具有非晶态杂质的硅膜，具有良好的嵌入性能。 构成：在第一气体供给过程（S1）中，从硅烷系统气体供给单元的气体喷嘴在半导体晶片表面上以吸附状态提供单硅烷气体。 在第二气体供给处理（S2）中，从支撑气体供给部的气体喷嘴设置包含气体的杂质。 在控制焊剂的情况下，从包括气体供给单元的杂质的气体喷嘴提供BCl 3气体（S3）。 通过交替地并且重复地执行第一气体供给处理和第二气体供给处理（S5）来布置包括非晶状态的杂质的硅膜。
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公开(公告)号：KR1020100087636A
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：KR1020100003967
申请日：2010-01-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: PURPOSE: A film forming device for processing a semiconductor, a using method thereof, and a computer readable medium for executing the same are provided to improve the property of a device related to throughput or particle generation by efficiently generating an oxide radical. CONSTITUTION: A main cleaning process and a post cleaning process are successively performed on a substrate for removing a thin film byproduct. In the main cleaning process, the film byproduct is etched by supplying a cleaning gas including fluorine in a reaction chamber. In the post cleaning process, the fluorine material including silicon is changed into the intermediate product through oxidation by supplying an oxide gas to the reaction chamber to remove the fluorine including the silicon. The process for reacting with the intermediate product is repeated several times by supplying hydrogen fluoride gas to the reactive chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的成膜装置，其使用方法和用于执行该半导体的使用方法和用于执行该半导体的使用方法和计算机可读介质，以通过有效地产生氧化物自由基来改善与生产量或颗粒产生有关的装置的性质。 构成：在用于除去薄膜副产物的基板上连续进行主要清洁处理和后清洗处理。 在主要清洗过程中，通过在反应室中提供包括氟的清洁气体来蚀刻膜副产物。 在后清洗工序中，通过向反应室供给氧化物气体，除去包含硅的氟，将包含硅的氟材料变为氧化的中间体。 通过向反应室供应氟化氢气体，重复多次与中间产物反应的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100036214A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020090092465
申请日：2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/027 , C23C16/02 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/45536 , G03F7/40 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/31608 , H01L21/31616 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L21/0276
Abstract: PURPOSE: A method for forming a mask pattern, a method for forming a fine pattern, and a thin film forming device are provided to reduce manufacturing costs by forming a silicon oxide layer on a pattern organic layer. CONSTITUTION: A resist layer is formed on a thin film of a semiconductor substrate(S12). The resist layer is processed to a resist pattern with a preset pitch using a photolithography(S13). The resist pattern is processed(S14). An oxide layer is formed on the thin film and the resist pattern by supplying source gas, oxide radical or gas containing oxygen(S15).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成掩模图案的方法，形成精细图案的方法和薄膜形成装置，以通过在图案有机层上形成氧化硅层来降低制造成本。 构成：在半导体基板的薄膜上形成抗蚀剂层（S12）。 使用光刻法将抗蚀剂层处理成具有预设间距的抗蚀剂图案（S13）。 处理抗蚀剂图案（S14）。 通过供给源气体，氧化物自由基或含氧气体，在薄膜和抗蚀剂图案上形成氧化物层（S15）。
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公开(公告)号：KR1019940004717A
公开(公告)日：1994-03-15
申请号：KR1019930015628
申请日：1993-08-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26
Abstract: 프로세스 튜브 따위의 처리용 용기내에 열처리용 보우트에 수납된 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 로우드하고, 이 처리용 용기의 정상부로부터 아래를 향해서 수증기를 공급하여 피처리체를 열처리하는 열처리장치에 있어서, 처리용 용기의 정상부와 열처리용 보우트의 상단면과의 사이에 수증기의 통과를 허용하는 가령 30개의 유통구멍을 가지는 가스분산판을 설치하고, 또한, 가스 분산판 아래방향에 열처리공간을 구획형성한다. 그리고, 이들 유통구멍은, 주로 열처리용 보우트에 유지된 피처리체의 외부둘레와 처리용 용기의 내측과의 사이의 빈 틈새부에, 그 둘레 방향으로 균등하게 분산해서 배열설치한다. 이와 같은 구성에 의해서 열처리장치의 세로방향으로 수직방향애서 등간격으로 수납한 다수의 피처리체에 대하여 처리용 용기내에서 처리용 가스(수증기)를 단시간내에 가스치환해서 피처리체 전체에 걸쳐 신속하게 처리용 가스를 퍼지게하여 모든 수납된 피처리체를 단시간에, 그리고 균일하게 처리할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101569377B1
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020120118473
申请日：2012-10-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/32105 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: (과제) 표면러프니스가양호한실리콘산화물막을얻는것이가능한실리콘산화물막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(1) 상에시드층(2)을형성하는공정과, 시드층(2) 상에실리콘막(3)을형성하는공정과, 실리콘막(3) 및시드층(2)을산화시켜, 하지(1) 상에실리콘산화물막(4)을형성하는공정을구비한다.
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公开(公告)号：KR101520368B1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020120112926
申请日：2012-10-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
Abstract: (과제) 박막의 면내 균일성의 더 한층의 향상을 가능하게 하는, 박막을 형성하기 위한 시드층의 형성 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 하지(base) 상에, 박막의 시드가 되는 시드층을 형성하는 시드층의 형성 방법으로서, 아미노실란계 가스를 이용하여, 하지 상에, 아미노실란계 가스에 포함된 적어도 실리콘을 흡착시키는 공정(스텝 11)과, 디실란 이상의 고차(高次) 실란계 가스를 이용하여, 아미노실란계 가스에 포함된 적어도 실리콘이 흡착된 하지 상에, 디실란 이상의 고차 실란계 가스에 포함된 적어도 실리콘을 퇴적하는 공정(스텝 12)을 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020140085406A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020140072193
申请日：2014-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved to cope with progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and flowing aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，能够进一步提高表面粗糙度的精度，以适应接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将氨基硅烷基气体流动到加热的基板（2）上，在基板（2）的表面上形成种子层（3）; 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的种子层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。
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