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    플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극
    21.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극 有权
    等离子体处理装置和使用的电极

    公开(公告)号：KR1020110076810A

    公开(公告)日：2011-07-06

    申请号：KR1020100135879

    申请日：2010-12-27

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하야시다이스케

    IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/34

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing plasma with a high radio frequency power and an electrode used therefore are provided to control high frequency field strength by forming the conductive adhesive layer formed in a junction part between a dielectric substance and a base material. CONSTITUTION: A processing container is decompressed. A dielectric substance(205) is made of the same material as the base material(105a) and is laid under the material. An electrode is formed within the processing container. A high radio frequency power is supplied into the processing container. A conductive adhesive layer(210a) is formed in the junction part between a dielectric substance and a base material.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于处理具有高射频功率的等离子体和因此使用的电极的装置，以通过形成形成在电介质和基材之间的接合部分中的导电粘合剂层来控制高频场强。 规定：处理容器被减压。 电介质物质（205）由与基材（105a）相同的材料制成并铺设在材料的下面。 在处理容器内形成电极。 向处理容器提供高射频功率。 在电介质和基材之间的接合部分中形成导电粘合剂层（210a）。

    가스 유로 구조체 및 기판 처리 장치
    22.
    发明公开
    가스 유로 구조체 및 기판 처리 장치 有权
    气体流路结构和基板加工设备

    公开(公告)号：KR1020100109489A

    公开(公告)日：2010-10-08

    申请号：KR1020100028457

    申请日：2010-03-30

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하야시다이스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01J37/32568

    Abstract: PURPOSE: The gas flow path structure and substrate processing apparatus. The buckling of the first displacement absorption partition wall exposing to the internal bracket, and the outside vacuum can be controlled. The diversity of the displacement absorbing pressure partition wall applied can be broadened. CONSTITUTION: The gas flow path structure and substrate processing apparatus. The supporting member, first displacement absorbing pressure partition wall, and second displacement absorbing pressure partition wall is included. It mobiles, the supporting member supports the one-way of the opposing electrode(24) and mounting electrode(12) about another side.

    Abstract translation: 目的：气体流路结构和基板处理装置。 可以控制暴露于内部支架的第一位移吸收分隔壁的弯曲和外部真空。 施加的位移吸收压力分隔壁的多样性可以扩大。 构成：气体流路结构和基板处理装置。 包括支撑构件，第一位移吸收压力分隔壁和第二位移吸收压力分隔壁。 它移动，支撑构件支撑相对电极（24）和安装电极（12）的另一侧的单向。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용의 전극
    23.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용의 전극 有权
    等离子体处理装置和电极

    公开(公告)号：KR1020100100712A

    公开(公告)日：2010-09-15

    申请号：KR1020100020152

    申请日：2010-03-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히모리신지 ,  하야시다이스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/3255 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing plasma and an electrode for the same are provided to control the distribution of a high frequency electric filed intensity for generating plasma by forming a metal resistor between a substrate and a plasma. CONSTITUTION: An object to be process is plasma-processed in a processing container(100). A first electrode(105) and a second electrode are formed in the processing container to be opposite to each other. High frequency power outputs high frequency power into the processing container. A substrate(105a) includes either of the first electrode or the second electrode. A conductive cover(105b) covers the substrate. A metal resistor(105d) is arranged between the substrate and plasma.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的设备和用于其的电极，用于通过在衬底和等离子体之间形成金属电阻来控制用于产生等离子体的高频电场强度的分布。 构成：待处理的物体在处理容器（100）中进行等离子体处理。 第一电极（105）和第二电极形成在处理容器中以彼此相对。 高频功率将高频功率输出到处理容器中。 衬底（105a）包括第一电极或第二电极中的任一个。 导电盖（105b）覆盖基板。 金属电阻器（105d）布置在衬底和等离子体之间。

    면상 히터
    24.
    发明公开
    면상 히터 有权
    平面加热器

    公开(公告)号：KR1020090051703A

    公开(公告)日：2009-05-22

    申请号：KR1020080114290

    申请日：2008-11-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 시마누키가즈히코 ,  하야시다이스케

    IPC: H05B3/20

    CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143

    Abstract: 전력을 공급하는 전원 단자부(108)가 실리카 유리판형체(102)의 하면 중앙부에 설치된 면상 히터(1)로서, 상기 전원 단자부는, 카본 와이어 발열체에 전력을 공급하는 접속선을 수용하는 소직경의 실리카 유리관(105a, 106a)과, 소직경의 실리카 유리관(105a, 106a)을 수용하는 대직경의 실리카 유리관(2)을 구비하고, 상기 대직경의 실리카 유리관(2)의 하단부에는 플랜지부(2a)가 형성되며, 상기 대직경의 실리카 유리관의 상단부와 상기 플랜지부(2a) 사이에는 직경을 달라지게 하는 굴곡부(2b)가 형성되고, 또한 금속판 또는 불투명 실리카 유리판으로 이루어지는 제1 열차폐판(19, 20, 21)이 상기 굴곡부 하측의 대직경의 실리카 유리관 내에 수용되어 있다.

    상부 전극 및 플라즈마 처리 장치
    26.
    发明授权
    상부 전극 및 플라즈마 처리 장치 有权
    上电极和等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR100757545B1

    公开(公告)日：2007-09-10

    申请号：KR1020040033366

    申请日：2004-05-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하야시다이스케 ,  이시다도시후미 ,  기무라시게토시

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

    Abstract: 교환 부품의 코스트의 상승을 억제하여 러닝 코스트의 저감을 도모하면서, 그 온도 제어성을 종래에 비교해서 향상시킬 수 있고, 고정밀도인 플라즈마 처리를 할 수 있는 상부 전극 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 진공 챔버(1)에 설치된 상부 전극(3)은 전극기체(30), 냉각 블록(31) 및 전극판(32)으로 구성되어 있다. 전극기체(30)와 냉각 블럭(31) 사이에는 처리 가스 확산용 간극(33)이 형성되어 있다. 냉각 블럭(31)에는 다수의 투과 구멍(34)이 형성되고, 이들 투과 구멍(34)의 사이에, 잘게 굴곡한 형상으로 된 냉매 유로(35)가 형성되어 있다. 전극판(32)은 냉각 블럭(31)의 하측에, 유연성을 갖는 열전도부재인 실리콘 러버 시트(36)를 거쳐서 장착 및 분리 가능하게 고정되어 있고, 투과 구멍(34)에 각각 대응하여 토출구(37)가 형성되어 있다.

    접착 방법, 재치대 및 기판 처리 장치
    27.
    发明授权
    접착 방법, 재치대 및 기판 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR102176724B1

    公开(公告)日：2020-11-09

    申请号：KR20140005866

    申请日：2014-01-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하야시다이스케

    IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

    Abstract: 히터패턴이하면에형성된정전척과기대의표면의간격을균일하게하는것이다. 정전척과기대를접착하는접착방법은, 실시예의일례에서, 정전척(9)의면 중기대(10)와대향하는면이되는하면(61)에형성된히터패턴(9a)의요철을충전함으로써충전부(30)를형성한다. 또한접착방법은, 실시예의일례에서, 충전부(30)의면 중기대(10)와대향하는기대접지면(62)을연삭한다. 또한접착방법은, 실시예의일례에서, 연삭된충전부(30)의기대접지면(62)을접착층(31)을개재하여기대(10)에접착한다.

    플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극
    28.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극 有权
    等离子体处理装置及其使用的电极

    公开(公告)号：KR101780816B1

    公开(公告)日：2017-09-21

    申请号：KR1020100135879

    申请日：2010-12-27

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하야시다이스케

    IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255

    Abstract: 플라즈마처리장치는감압가능한처리용기내에제 1 전극을마련하고, 상기처리용기내에처리가스를도입해서고주파전력의파워에의해플라즈마를생성하고, 상기플라즈마에의해서피처리체에원하는플라즈마처리를실시한다. 플라즈마처리장치의제 1 전극은유전체로형성된상부기재(105a)와, 그기재와동일재질로이루어지고그 기재에삽입되는유전체(205)를구비하되, 상부기재(105a)와유전체(205)의사이는도전성접착층(210a)에의해접착고정된다.

    Abstract translation: 提供了在减压值的等离子体处理的第一电极可以通过将处理气体进入处理腔室，以产生通过高频电功率的等离子体，和期望的对象执行由等离子体处理的等离子体处理来处理的容器。 等离子体处理装置的第一电极包括由电介质材料形成的上衬底105a和由与衬底相同的材料形成并插入到衬底中的电介质205。 由导电粘合剂层210a粘附和固定。

    처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체
    30.
    发明授权
    처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체 有权

    公开(公告)号：KR101725273B1

    公开(公告)日：2017-04-10

    申请号：KR1020100047505

    申请日：2010-05-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 시미즈와타루 ,  쿠보타카즈히로 ,  하야시다이스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

    Abstract: 저유전율막의데미지회복처리를행할때에, 회복처리에기여하는처리가스의양을충분히확보하면서처리가스의사용량을감소시킬수 있는처리방법을제공하는것이다. 표면부분에데미지층이형성된저유전율막을가지는피처리기판이수용된처리용기내로메틸기를가지는처리가스를도입하여저유전율막에형성된데미지층에회복처리를실시하는처리방법으로서, 감압상태로된 처리용기내로희석가스를도입하여처리용기내의압력을회복처리시의처리압력보다저압인제 1 압력까지상승시키고(공정 3), 그후 희석가스를정지하고처리가스를처리용기내의피처리기판의존재영역으로도입하여처리용기내의압력을회복처리시의처리압력인제 2 압력까지상승시키고(공정 4), 이처리압력을유지하고피처리기판에대하여회복처리를행한다(공정 5).

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