公开(公告)号：KR101315581B1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：KR1020100015653

申请日：2010-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  니시무라히데키 ,  다나카히로시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67769

Abstract: 본 발명은, 건조 처리에 이용되는 가스 중의 파티클을 제거하는 여과재에 대하여, 이 여과재를 가스가 흐르는 유로 상에 배치한 상태로 이 여과재에 부착된 부착물을 제거하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 장치(1)는 건조 가스 발생부(23)에서 건조용 가스를 발생시키고, 이 건조용 가스를 여과재(31)를 통하여 흐르게 하여 파티클을 제거한 후, 처리부에서 액체가 부착된 기판(W)과 접촉시켜 기판(W)의 건조 처리를 행한다. 여과재 가열부는, 건조 처리시에는, 건조 가스의 온도를 노점(露点) 이상으로 유지하기 위해서 여과재(31)를 제1 온도로 가열하고, 여과재(31)의 재생 처리시에는, 여과재(31)에 부착된 부착물을 기화시켜 제거하기 위해서 여과재(31)를 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열한다.

公开(公告)号：KR1020110041996A

公开(公告)日：2011-04-22

申请号：KR1020100096443

申请日：2010-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  미나미데루오미 ,  가와부치요스케 ,  이토노리히로 ,  가미무라후미히로 ,  야부타다카시 ,  가즈키고사이 ,  다카시우노 ,  세키구치겐지 ,  후지이야스시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a storage medium having substrate liquid processing program stored therein are provided to prevent the electrostatic destruction by discharging the electric charges charged on a substrate through a chuck for maintaining the substrate. CONSTITUTION: A first processing liquid discharge unit discharges the processing liquid to the circuit-forming surface of a substrate(2). A second processing solution discharge unit(25) discharges the processing liquid to the opposite side of the circuit-forming surface of the substrate. A control unit(26) controls the substrate maintaining unit and the first and the second processing solution discharge unit.

Abstract translation: 目的：提供基板液体处理装置，基板液体处理方法和存储有基板液体处理程序的存储介质，以通过用于维持基板的卡盘将填充在基板上的电荷放电来防止静电破坏。 构成：第一处理液体排出单元将处理液体排出到基板（2）的电路形成表面。 第二处理液排出单元（25）将处理液体排出到基板的电路形成表面的相对侧。 控制单元（26）控制基板保持单元和第一和第二处理液排出单元。

公开(公告)号：KR100780789B1

公开(公告)日：2007-11-30

申请号：KR1020067004349

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠루사키고타로 ,  다나카히로시 ,  도시마다카유키 ,  에시마가즈요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/6708

Abstract: 처리조(1) 내의 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 양측에 각각, 복수의 처리액 공급 노즐(10)을 다른 높이에 설치한다. 각 노즐(10)의 토출구는 반도체 웨이퍼(W)를 향하고 있다. 미리 정해진 순서에 따라서, 선택된 하나 또는 복수의 노즐(10)로부터 처리액이 토출된다. 약액 처리를 하는 경우, 예컨대, 맨 처음에 최하단의 노즐(10)로부터 약액의 토출이 이루어지고, 그 후, 약액을 토출하는 노즐(10)을 순차 상측으로 위치를 바꿔간다. 처리조(1) 내의 약액을 린스액으로 치환하면서 린스 처리를 하는 경우에는 예컨대, 맨 처음에 최하단의 노즐(10)로부터 린스액의 토출이 이루어지고, 그 후, 모든 노즐(10)로부터 린스액을 토출한다. 이에 따라, 액 처리의 효율 및 균일성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020060064066A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020067004349

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠루사키고타로 ,  다나카히로시 ,  도시마다카유키 ,  에시마가즈요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/6708

Abstract: Treatment liquid supply nozzles (10) are individually arranged on both left and right sides of a semiconductor wafer (W) in a treatment vessel (1). A discharge opening of each of the nozzles (10) faces the semiconductor wafer (W). According to a predetermined procedure, a treatment liquid is discharged from one or more selected nozzles (10). To perform chemical liquid treatment, for example, first a chemical liquid is discharged from nozzles (10) on the lowermost positions, and then nozzles (10) for discharging the chemical liquid are sequentially changed to upper ones. To perform rinse treatment while the chemical liquid in the treatment vessel (1) is replaced with a rinse liquid, for example, first the rinse liquid is discharged from the nozzles (10) on the lowermost positions, and then the rinse liquid is discharged from all the nozzles (10). By this, liquid treatment is improved in efficiency and uniformity.

Abstract translation: 处理液供给喷嘴（10）分别设置在处理容器（1）中的半导体晶片（W）的左右两侧。 每个喷嘴（10）的排出口面向半导体晶片（W）。 根据预定的步骤，从一个或多个选定的喷嘴（10）排出处理液。 为了进行化学液处理，例如首先从最低位置的喷嘴（10）排出化学液，然后将用于排出药液的喷嘴（10）顺序地变更为上方。 为了在处理容器（1）中的化学液体被冲洗液体更换的情况下进行冲洗处理，例如首先将冲洗液从最下方的喷嘴（10）排出，然后将冲洗液从 所有喷嘴（10）。 由此，提高了液体处理的效率和均匀性。