公开(公告)号：KR1020050111619A

公开(公告)日：2005-11-25

申请号：KR1020057018039

申请日：2004-04-07

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  알고츠제이.마틴 ,  블루멘스톡게리엠. ,  바우어링노버트 ,  어쇼브알렉산더아이. ,  포멘코프이고르브이. ,  판지아오지앙제이.

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H05G2/001 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/062

Abstract: A method and apparatus for debris removal from a reflecting surface of an EUV collector in an EUV light source is disclosed which may comprise the reflecting surface comprises a first material and the debris comprises a second material and/or compounds of the second material, the system and method may comprise a controlled sputtering ion source which may comprise a gas comprising the atoms of the sputtering ion material; and a stimulating mechanism exciting the atoms of the sputtering ion material into an ionized state, the ionized state being selected to have a distribution around a selected energy peak that has a high probability of sputtering the second material and a very low probability of sputtering the first material. The stimulating mechanism may comprise an RF or microwave induction mechanism. The gas is maintained at a pressure that in part determines the selected energy peak and the stimulating mechanism may create an influx of ions of the sputtering ion material that creates a sputter density of atoms of the second material from the reflector surface that equals or exceeds the influx rate of the plasma debris atoms of the second material. A sputtering rate may be selected for a given desired life of the reflecting surface. The reflecting surface may be capped. The collector may comprise an elliptical mirror and a debris shield which may comprise radially extending channels. The first material may be molybdenum, the second lithium and the ion material may be helium. The system may have a heater to evaporate the second material from the reflecting surface. The stimulating mechanism may be connected to the reflecting surface between ignition times. The reflecting surface may have barrier layers. The collector may be a spherical mirror in combination with grazing angle of incidence reflector shells, which may act as a spectral filter by selection of the layer material for multi-layer stacks on the reflector shells. The sputtering can be in combination with heating, the latter removing the lithium and the former removing compounds of lithium, and the sputtering may be by ions produced in the plasma rather than excited gas atoms.

Abstract translation: 公开了一种用于从EUV光源中的EUV收集器的反射表面去除碎片的方法和装置，其可以包括反射表面，其包括第一材料，并且所述碎屑包括第二材料和/或第二材料的化合物，所述系统 并且方法可以包括受控的溅射离子源，其可以包括包含溅射离子材料的原子的气体; 以及将溅射离子材料的原子激发成离子化状态的刺激机构，所选择的离子化状态具有围绕选择的能量峰的分布，其具有溅射第二材料的可能性很高，并且溅射的可能性非常低 材料。 刺激机构可以包括RF或微波感应机构。 气体保持在部分地决定所选择的能量峰值的压力下，并且刺激机构可以产生溅射离子材料的离子的流入，其从反射器表面产生第二材料的原子的溅射密度等于或超过 第二种材料的等离子体碎片原子的流入速率。 可以在反射表面的给定期望寿命期间选择溅射速率。 反射面可以被盖住。 收集器可以包括椭圆镜和可包括径向延伸通道的碎片屏蔽。 第一材料可以是钼，第二锂和离子材料可以是氦。 该系统可以具有从反射表面蒸发第二材料的加热器。 刺激机构可以在点火时间之间连接到反射表面。 反射表面可以具有阻挡层。 收集器可以是与入射反射器壳的掠射角组合的球面镜，其可以通过选择反射器壳体上的多层堆叠的层材料来充当光谱滤光器。 溅射可以与加热相结合，后者除去锂和前者除去锂的化合物，并且溅射可以是在等离子体中产生的离子而不是被激发的气体原子。

公开(公告)号：KR1020020026595A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：KR1020027002294

申请日：2000-08-17

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 웹알.카일 ,  파틀로윌리엄엔.

IPC: H01S3/22

Abstract: 가스 방전 레이저 챔버의 피드스루우 구조(280)는 밀봉된 가스 엔클로저(212)의 벽을 통해 엔클로저내의 단일 피스 전극(218)으로 전력을 도전시킨다. 이 피드스루우 구조는 전극보다 더 큰 단일 피스 일체식 메인 절연체(276)를 포함한다. 이 메인 절연체(276)는 전극(218) 및 엔클로저(212)의 벽 사이에서 압축된다. 전극 및 단일 피스 절연체 사이의 인터페이스를 형성하는 표면은 절연체이고 벽은 모두 매우 스무드하여 챔버 온도가 변함에 따라 부품이 팽창하고 수축할 수 있게 한다. 피드스루우 구조는 또한 기계적 서포트 및 전극에 대한 정렬을 제공하고 시일(184)을 포함하여 피드스루우 구조의 둘레에서 가스가 누출되는 것을 방지한다.

公开(公告)号：KR1020020021168A

公开(公告)日：2002-03-18

申请号：KR1020027001359

申请日：2000-07-25

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  네스리차드엠. ,  로스웨일다니엘에이. ,  멜처폴씨. ,  스미스브레트디. ,  벅스다니엘엘.

IPC: H01S3/00

Abstract: 2000Hz이상의 비율로 제어되는 높은 에너지의 전기 펄스를 공급하는 고펄스율 펄스전원(20)이 개시되어 있다. 상기 전원(20)은 충전 커패시터(42), 고체 스위치(46) 및 전류제한인덕터(48)를 포함하는 펄스발생회로(30)를 포함한다. 펄스발생회로(30)에서 발생된 펄스는 적어도 2개의 펄스압축회로(61, 65)에서 압축되고 승압 펄스 변압기(56)는 피크전압을 적어도 12,000볼트로 증가시킨다. 초고속 안정화 전원은 충전 커패시터(42)를 400마이크로초 미만내에 충전시키기 위해 제공되고 프로그래밍된 프로세서(102)를 포함하는 펄스제어시스템은 초당 적어도 2000전하의 비율로 약 1%미만의 정밀도로 충전 커패시터(42)의 충전을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020010071890A

公开(公告)日：2001-07-31

申请号：KR1020017000557

申请日：1999-06-24

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  벅스다니엘엘. ,  네스리차드엠. ,  로스웨일다니엘에이. ,  멜처파울씨. ,  스미스브레트디.

IPC: H01S3/00

Abstract: 2000Hz이상의 비율로 제어된 높은 에너지의 전기 펄스를 공급하기 위한 고펄스율 펄스 전원(20). 상기 전원(20)은 충전 커패시터(42), 고체 스위치(46) 및 전류제한인덕터(48)를 포함하는 펄스발생회로(30)를 포함한다. 펄스발생회로(30)에서 발생된 펄스는 적어도 2개의 펄스압축회로(61, 65)에서 압축되고 승압 펄스 변압기(56)는 피크전압을 적어도 12,000볼트로 증가시킨다. 초고속 정류 전원장치는 충전 커패시터(42)를 400마이크로초 미만내에 충전시키기 위해 제공되고 프로그래밍된 프로세서(102)를 포함하는 펄스제어시스템은 초당 적어도 2000전하의 비율로 약 1%미만의 정밀도로 충전 커패시터(42)의 충전을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020000062868A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：KR1020000012732

申请日：2000-03-14

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  포멘코프이고르브이. ,  벅스다니엘엘.

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H05G2/003 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70166 ,  G03F7/70916 ,  H05G2/005

Abstract: 고에너지포톤소스가개시되었다. 한쌍의플라즈마핀치전극이진공챔버에위치된다. 이챔버는소망하는스펙트럼라인을제공하기위해선택된활성가스및 노블버퍼가스를포함하는작용가스를함유한다. 펄스파워소스는활성가스의스펙트럼라인에서방사선을제공하는작용가스에서초고온, 고밀도플라즈마핀치를발생시키기위해전그사이에서전기방전을일으키기에충분한전압으로전기펄스를공급한다. 고밀도핀치의위치바로위에위치된블라스트실드는그 축방향연장을제한하는핀치를한정하는물리적장벽을제공한다. 바람직한실시예에서, 플라즈마와대면하는실드의표면은돔 형상이다. 바람직한실시예에서, 외부반사방사선콜렉터-디렉터는플라즈마핀치에서발생된방사선을수집하여소망하는방향으로지향시킨다. 또한바람직한실시예에서리튬증기이고버퍼가스는헬륨이고방사선-콜렉터는고 그레이징입사반사도를갖는물질로코팅되거나이 물질로만들어진다. 반사물질을위한양호한선택은몰리브데늄, 팔라디윰, 루데늄, 로듐, 금또는텅스텐이다.

公开(公告)号：KR101234575B1

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：KR1020077009514

申请日：2005-10-20

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  포멘코프이고르브이. ,  에르쇼프알렉산더아이. ,  올드햄윌리엄 ,  햄버그오스카 ,  마르크스윌리엄에프.

IPC: H01L21/306

CPC classification number: B08B7/00

Abstract: 에칭 컴파운드를 형성할 재료를 포함하고, 선택된 중심 파장 주변 밴드에서 EUV 광을 생성하는 EUV 플라즈마 소스 재료를 사용하는 EUV 광 생성 메카니즘을 포함한 방법 및 장치가 개시되는데, 이 메카니즘은 EUV 플라즈마 발생 챔버; 에칭 컴파운드를 형성하지 않고, 그리고/또는 그 밴드 내에서 반사면의 반사력을 상당히 감소시키지 않는 컴파운드 층을 형성하는 재료를 포함하는 적어도 하나의 층을 가진 반사면을 갖춘 챔버 내에 포함된 EUV 광 콜렉터; 및 플라즈마 소스 재료가 에칭 컴파운드를 형성하는 에천트 소스 재료를 포함하는 챔버 내부에 포함된 에천트 소스 가스를 포함하고, 에칭 컴파운드는 반사면으로부터 에칭 컴파운드가 에칭 가능한 증기압을 가진다. 에천트 소스 재료는 할로겐 또는 할로겐 컴파운드를 포함할 수 있다. 에천트 소스 재료는 EUV 광 및/또는 DUV 광의 광자, 및/또는 플라즈마 소스 재료의 에칭을 자극하기 위해 충분한 에너지를 가진 임의의 여기된 활발한 광자의 존재에 자극받는 에칭을 기초로 선택될 수 있다. 이 장치는, 또한, 반사면 부근에서 동작하는 에칭 자극 플라즈마를 제공하는 에칭 자극 플라즈마 발생기를 더 포함하고, 에천트 소스 재료는 에칭 자극 플라즈마에 의해 자극되는 에칭을 기초로 선택될 수 있다. 또한, 이온을 반사면을 향해 가속시키는 이온 가속기를 포함할 수 있다. 이 이온은 에천트 소스 재료를 포함할 수 있다. 이 장치 및 방법은 플라즈마 소스 재료에 의해 에칭되는 광학부재를 가진 EUV 생성 서브시스템의 일부를 포함할 수 있다.
EUV 광 생성 메카니즘, 에칭 컴파운드, 중심 파장, 밴드, EUV 광, EUV 플라즈마, EUV 플라즈마 생성 챔버, EUV 광 콜렉터, 에천트 소스 가스, 증기압.

公开(公告)号：KR101194231B1

公开(公告)日：2012-10-29

申请号：KR1020087013076

申请日：2006-10-20

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 에르쇼프알렉산더아이. ,  파틀로윌리엄엔. ,  브라운다니엘제이.더블유. ,  포멘코프아이고르브이. ,  베르그스테츠로버트에이. ,  샌드스트롬리차드엘. ,  라로빅이반

IPC: H01S3/22

CPC classification number: H01S3/225 ,  G03F7/70583 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/03 ,  H01S3/034 ,  H01S3/08036 ,  H01S3/08059 ,  H01S3/10092 ,  H01S3/105 ,  H01S3/2251 ,  H01S3/2333

Abstract: 제1가스방전 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저 챔버, 및 제1오실레이터 캐비티 내의 라인 내로우잉 모듈을 포함하는 레이저 출력 광 빔 펄스를 포함하는 출력을 산출하는 시드 레이저 오실레이터; 레이저 출력 광 빔 펄스를 포함하는 레이저 시스템 출력을 형성하기 위해 시드 레이저 오실레이터의 출력을 수신하고, 시드 레이저 오실레이터의 출력을 증폭하는 제2가스방전 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저 챔버 내에 증폭 이득 매체를 포함하는 레이저 증폭 스테이지; 및 링 파워 증폭 스테이지를 포함하는 라인 내로우드 펄스 엑시머 또는 분자 플루오르 가스방전 레이저 시스템을 포함할 수 있는 방법 및 장치가 개시된다.
펄스 엑시머 또는 분자 플루오르 가스방전 레이저 시스템, 레이저 출력 광 빔 펄스, 시드 레이저 오실레이터, 레이저 증폭 스테이지, 링 파워 증폭 스테이지, 가스방전 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저 챔버, 오실레이터 캐비티, 라인 내로우잉 모듈, 제2가스방전 엑시머 또는 분자 플루오르 레이저 챔버, 증폭 이득 매체.

公开(公告)号：KR1020120051740A

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：KR1020127007046

申请日：2006-02-24

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 보워링노보트알. ,  한손브존에이.,엠. ,  바이카노프알렉산더엔. ,  코디킨올레 ,  엘쇼프알렉산더아이. ,  파틀로윌리엄엔.

IPC: H05G2/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: G03F7/70925 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70166 ,  G03F7/70916 ,  G21K2201/06 ,  H05G2/001

Abstract: 플라즈마 형성에 의해 발생된 파편으로부터 EUV 광원 플라즈마 생성 챔버 광소자 표면을 보호하기 위한 시스템 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 하나의 실시예에서, 쉴드가 개시되어 있는데 이것은 광소자와 플라즈마 형성 사이트 사이에서 위치된 적어도 하나의 중공 튜브를 포함하고 있다. 튜브는 파편을 포착하는 한편 비교적 작은 각도로 반사를 통해 튜브의 루멘을 광이 통과하도록 향해 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 쉴드는 쉴드에 퇴적된 파편 재료의 하나 이상의 종을 제거하기에 충분한 온도로 가열되도록 개시되어 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 쉴드가 광원 플라즈마 챔버로부터 쉴드가 청소되는 크리닝 챔버까지 움직이는 시스템이 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR101147316B1

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：KR1020077012317

申请日：2005-11-28

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 알고트스마틴제이. ,  버그스테트로버트에이. ,  글레스피월터디. ,  쿨게이코블라디미르에이. ,  파틀로윌리엄엔. ,  라일로프게르만이. ,  샌드스트롬리차드엘. ,  스트레이트브라이언디. ,  다이어디모티에스.

IPC: H01S3/22

CPC classification number: H01S3/1055 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70041 ,  H01S3/005 ,  H01S3/036 ,  H01S3/08 ,  H01S3/08004 ,  H01S3/08059 ,  H01S3/097 ,  H01S3/106 ,  H01S3/2251

Abstract: 공칭 광경로를 갖고 있고, 펄스의 버스트내의 출력 레이저 광 펄스 빔 펄스를 생성하는 협대역 DUV 고전력 고반복율 가스 방전 레이저용 라인 내로잉 모듈에 있어서, 분산 중심 파장 선택 광학기구상의 각각의 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 입사각에 의해 적어도 부분적으로 결정된 각 펄스에 대하여 적어도 하나의 중심 파장을 선택하는, 상기 라인 내로우잉 모듈의 광경로내에 이동가능하게 장착된 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구; 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구쪽으로 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 투사각을 선택함으로써, 상기 분산 중심 파장 선택 광학 기구상에 각 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 입사각을 선택하도록 부분적으로 동작하는 제1 튜닝 메커니즘; 및 상기 라인 내로우잉 모듈의 공칭 광경로에 대하여 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구의 위치를 변경함으로써 상기 각 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 입사각을 선택하도록 부분적으로 동작하는 제2 튜닝 메커니즘;을 포함하고, 상기 제2 튜닝 메커니즘은 상기 중심 파장에 대한 값을 거칠게 선택하고 상기 제1 튜닝 메커니즘은 상기 중심 파장에 대한 값을 보다 미세하게 선택하는 라인 내로우잉 방법 및 모듈이 개시되어 있다.
라인 내로우잉 모듈, 가스 방전 레이저, 분산 중심 파장 선택 광학 기구, 튜 닝 메커니즘, 거친 조정, 미세조정, 입사각, 투사각, 광경로, 출력 레이저 광 펄스 빔 펄스

公开(公告)号：KR1020120025004A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020127002413

申请日：2005-11-28

Applicant: 사이머 엘엘씨

Inventor： 알고트스마틴제이. ,  버그스테트로버트에이. ,  글레스피월터디. ,  쿨게이코블라디미르에이. ,  파틀로윌리엄엔. ,  라일로프게르만이. ,  샌드스트롬리차드엘. ,  스트레이트브라이언디. ,  다이어디모티에스.

IPC: H01S3/22

CPC classification number: H01S3/1055 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70041 ,  H01S3/005 ,  H01S3/036 ,  H01S3/08 ,  H01S3/08004 ,  H01S3/08059 ,  H01S3/097 ,  H01S3/106 ,  H01S3/2251

Abstract: 공칭 광경로를 갖고 있고, 펄스의 버스트내의 출력 레이저 광 펄스 빔 펄스를 생성하는 협대역 DUV 고전력 고반복율 가스 방전 레이저용 라인 내로잉 모듈에 있어서, 분산 중심 파장 선택 광학기구상의 각각의 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 입사각에 의해 적어도 부분적으로 결정된 각 펄스에 대하여 적어도 하나의 중심 파장을 선택하는, 상기 라인 내로우잉 모듈의 광경로내에 이동가능하게 장착된 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구; 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구쪽으로 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 투사각을 선택함으로써, 상기 분산 중심 파장 선택 광학 기구상에 각 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 입사각을 선택하도록 부분적으로 동작하는 제1 튜닝 메커니즘; 및 상기 라인 내로우잉 모듈의 공칭 광경로에 대하여 상기 분산 중심 파장 선택 광학기구의 위치를 변경함으로써 상기 각 펄스를 포함하는 레이저 광 펄스 빔의 입사각을 선택하도록 부분적으로 동작하는 제2 튜닝 메커니즘;을 포함하고, 상기 제2 튜닝 메커니즘은 상기 중심 파장에 대한 값을 거칠게 선택하고 상기 제1 튜닝 메커니즘은 상기 중심 파장에 대한 값을 보다 미세하게 선택하는 라인 내로우잉 방법 및 모듈이 개시되어 있다.

Abstract translation: 在用于窄带DUV高功率高重复率气体放电激光器的输入模块中，其具有标称光路并在脉冲串中产生输出激光脉冲束脉冲， 所述色散中心波长选择光学机构可移动地安装在所述机翼模块的所述光路内进入所述线中，为至少部分由所述激光脉冲束的入射角度确定的每个脉冲选择至少一个中心波长; 通过选择包括脉冲的激光束脉冲束在色散中心波长选择光学器件上的投射角，部分地选择包括每个脉冲的激光束脉冲束的入射角， 1调谐机制; 以及第二调谐机构，其部分地操作以通过将色散中心波长选择光学器件相对于机翼模块的标称光路的位置改变成线路来选择包括每个脉冲的激光脉冲束的入射角 第二调谐机构大致选择中心波长的值，第一调谐机构为中心波长选择更精细的值。