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公开(公告)号：KR1019970072075A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011433
申请日：1996-04-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 이온 클러스터 빔 증착 장치에 관한 것으로서, 본 발명은 기판상에 이온화된 클러스터를 균일하게 증착시킬 수 있는 이온 클러스터 빔 증착 장치를 제공하는데 그 목적을 두고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 이온 클러스터 빔 증착 장치는 크루서블 필라멘트에 가해진 저전압·고전류에 의해 클러스터가 발생될 수 있도록 일단에 장착되어 있는 클러스터 발생부; 상기 클러스터 발생부에서 생성된 이온화된 원자를 완전히 차단하는 이온 차단부; 상기 이온 차단부를 통과한 원자 클러스터를 이온화시키는 이온 생성부; 상기 이온 생성부에서 생성된 이온을 가속시키는 이온 가속부; 상기 이온 가속부에서 가속된 이온 클러스터를 기판에 균일하게 증착되게 하는 이온 균일부를 포함하고 있는 것을 특징으로 한다.-
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公开(公告)号：KR1019970005951B1
公开(公告)日：1997-04-22
申请号：KR1019930015525
申请日：1993-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: A method is provided that such tri-value dopants as boron(B) is injected and a p well(100)is formed and a field oxide film is formed, using LOCOS method for defining an element forming area and an element separation area. By forming a lst insulating film(10) on the front of the resulting material, a thermo-oxide prevention film and spreading photo-resistance on the nitride film(10), desired photo resistant pattern through the process of mask is formed, after which photo exposure, development and the thermo-oxide prevention film are formed in which the a lst channel(CH1) is formed.
Abstract translation: 提供了一种方法，其中注入硼（B）这样的三值掺杂剂，并且使用LOCOS方法形成元素形成区域和元素分离区域，形成p阱（100）并形成场氧化膜。 通过在所得材料的前面形成第一绝缘膜（10），形成热氧化物防止膜并在氮化膜（10）上展开光电阻，形成通过掩模处理所需的耐光图案，之后 形成第一通道（CH1）的曝光，显影和热氧化物防止膜。
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公开(公告)号：KR101770289B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020100094615
申请日：2010-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/1463
Abstract: 이미지센서및 이의형성방법을제공한다. 이이미지센서는포텐셜베리어영역을포함하여화소간의크로스토크를방지할수 있다. 이의제조방법은소자분리막을형성하기전에트렌치를채우는절연막상에마스크패턴을형성하고이를이온주입마스크로이용하여이온주입공정을진행하여트렌치하부에포텐셜베리어영역을형성한다. 이로써소자분리막의손상을최소화할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种图像传感器及其形成方法。 该图像传感器可以包括势垒区域以防止像素之间的串扰。 在该方法中，在形成器件隔离膜之前，在填充沟槽的绝缘膜上形成掩模图案，并且使用掩模图案作为离子注入掩模进行离子注入工艺，以在沟槽下方形成势垒区域。 这可以最大限度地减少对器件隔离膜的损坏。
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公开(公告)号：KR101503682B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020080036375
申请日：2008-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 공유 픽셀형 이미지 센서가 제공된다. 공유 픽셀형 이미지 센서는 반도체 기판 내에 형성된 플로팅 확산 영역, 상기 반도체 기판 내에 일 방향으로 인접하여 형성된 제1 및 제2 광전 변환 영역, 상기 제1 및 제2 광전 변환 영역에 축전된 전하를 상기 플로팅 확산 영역으로 각각 전송하는 두개의 전송 소자, 상기 플로팅 확산 영역의 전하를 출력하는 드라이브 소자, 상기 플로팅 확산 영역 상에 형성된 제1 콘택, 상기 드라이브 소자 상에 형성된 제2 콘택 및 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택을 연결하여 상기 플로팅 확산 영역과 상기 드라이브 소자를 전기적으로 연결하되, 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택의 상면보다 낮은 높이에 형성된 국부 배선을 포함한다.
공유 픽셀 이미지 센서, 국부 배선-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101463609B1
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020080014038
申请日：2008-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14685
Abstract: 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 이미지 센서는 센서 어레이 영역과 주변 회로 영역이 정의된 기판, 주변 회로 영역에 형성되고, 제1 다층 배선을 포함하는 제1 절연막 구조체, 및 센서 어레이 영역에 형성되고, 제2 다층 배선을 포함하는 제2 절연막 구조체를 포함하고, 제1 다층 배선의 최상층 배선은 제2 다층 배선의 최상층 배선보다 높고, 제1 절연막 구조체는 등방성 식각 정지막을 포함하고, 제2 절연막 구조체는 등방성 식각 정지막을 포함하지 않는다.
이미지 센서, 등방성 식각 정지막-
公开(公告)号：KR1020120110193A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110027899
申请日：2011-03-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L21/324
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L21/2652 , H01L21/268 , H01L27/14632 , H01L31/1872 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: An impurity doping method and a manufacturing method of a CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor using the same are provided to control the generation of a dark current or a luminous dot by eliminating an electron discharged from a dangling bond of a silicon substrate. CONSTITUTION: An amorphous layer is formed on a substrate(100) by a chemical vapor deposition method, an atomic layer deposition method, or a sputtering method. A first doping region is formed on the upper side of the substrate by injecting impurities through the upper side of the amorphous layer. The first doping region is transformed into a second doping region(130) through a laser annealing process. The amorphous layer is transformed into a re-crystallized layer(140). The re-crystallized layer is eliminated.
Abstract translation: 目的：提供使用其的CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器的杂质掺杂方法和制造方法，以通过消除从硅悬挂键排出的电子来控制暗电流或发光点的产生 基质。 构成：通过化学气相沉积法，原子层沉积法或溅射法在基底（100）上形成非晶层。 通过从非晶层的上侧注入杂质，在衬底的上侧形成第一掺杂区域。 第一掺杂区域通过激光退火工艺转变成第二掺杂区域（130）。 将非晶层转变成再结晶层（140）。 消除再结晶层。
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公开(公告)号：KR1020120033027A
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020100094615
申请日：2010-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14612
Abstract: PURPOSE: An image sensor and a formation method thereof are provided to minimize damage of a device separation film by forming a potential barrier region on the lower part of a trench using a mask pattern as an ion injection mask. CONSTITUTION: A buffer film(102) and a first insulating film(104) are successively formed on a semiconductor epitaxial layer(100). A trench is formed by patterning a predetermined part of the semiconductor epitaxial layer and the first insulating film. A buried insulating film(108) which fills the trench is formed on the first insulating film. A second insulating film(110) is formed on the buried insulating film. A first mask pattern(112) is formed on the second insulating film.
Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器及其形成方法，以通过使用掩模图案作为离子注入掩模在沟槽的下部上形成势垒区域来最小化器件分离膜的损伤。 构成：在半导体外延层（100）上依次形成缓冲膜（102）和第一绝缘膜（104）。 通过图案化半导体外延层和第一绝缘膜的预定部分来形成沟槽。 在第一绝缘膜上形成填充沟槽的掩埋绝缘膜（108）。 在绝缘膜上形成第二绝缘膜（110）。 在第二绝缘膜上形成第一掩模图案（112）。
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公开(公告)号：KR1020110036312A
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：KR1020090093902
申请日：2009-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L29/7845
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and manufacturing method thereof are provided to apply different stress to each channel area of each transistor by poly silicon, thereby increasing the performance of the semiconductor device. CONSTITUTION: A first gate structure comprises a first gate oxide film pattern(102a), a first poly silicon pattern, and a first hard mask pattern on a substrate on a first area with tensile stress. N type impurity areas are placed under both substrates of the first gate structure. A second gate structure comprises a second gate oxide film pattern(102b), a second poly silicon pattern, and a second hard mask pattern(112b) on a substrate on a second area with compressive stress. P type impurity regions are placed under both substrates of the second gate structure.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过多晶硅对每个晶体管的每个沟道区域施加不同的应力，从而提高半导体器件的性能。 构成：第一栅极结构包括第一栅极氧化膜图案（102a），第一多晶硅图案以及在具有拉伸应力的第一区域上的基板上的第一硬掩模图案。 在第一栅极结构的两个衬底下面放置N型杂质区。 第二栅极结构包括在具有压缩应力的第二区域上的衬底上的第二栅极氧化膜图案（102b），第二多晶硅图案和第二硬掩模图案（112b）。 P型杂质区域放置在第二栅极结构的两个衬底下。
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公开(公告)号：KR1020090110729A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：KR1020080036375
申请日：2008-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: PURPOSE: A shared pixel type image sensor is provided to improve a coupling property of a transmitting device and a floating diffusion region by symmetrically arranging a local wiring in a transmitting device which shares a floating diffusion region. CONSTITUTION: A shared pixel type image sensor includes a floating diffusion region(FD), a first photoelectric conversion region(PD1), a second photoelectric conversion region(PD2), two transmitting devices(TG1,TG2), a drive device(DG), a first contact(C1), a second contact(C2), and a local wiring(L1). The floating diffusion region is formed inside the semiconductor substrate. Two transmitting devices transmit electric charge charged in the first photoelectric conversion region and the second photoelectric conversion region to the floating diffusion region. The first contact is formed on the floating diffusion region. The second contact is formed on the drive device.
Abstract translation: 目的：提供共享像素型图像传感器，通过在共享浮动扩散区域的发送装置中对称地布置局部布线来提高发送装置和浮动扩散区域的耦合特性。 构成：共享像素型图像传感器包括浮置扩散区域（FD），第一光电转换区域（PD1），第二光电转换区域（PD2），两个发送装置（TG1，TG2），驱动装置（DG） ，第一触点（C1），第二触点（C2）和局部布线（L1）。 浮动扩散区形成在半导体衬底的内部。 两个发送装置将在第一光电转换区域和第二光电转换区域中充电的电荷发送到浮动扩散区域。 第一触点形成在浮动扩散区上。 第二触点形成在驱动装置上。
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