반도체 제조용 냉각 장치
    21.
    发明公开
    반도체 제조용 냉각 장치 无效
    冷却系统用于半导体制造工艺

    公开(公告)号:KR1020060033278A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:KR1020040082288

    申请日:2004-10-14

    CPC classification number: H01L21/67098 F24F3/1405 F25B2339/046 H01L21/67242

    Abstract: 냉매를 사용하여 반도체 장치 제조 공정에서 요구하는 온도를 조절하기 위한 냉각 장치에서, 압축기는 기상의 제1 냉매를 압축하고, 응축기는 상기 압축기에 의해 압축된 제1 냉매를 액화시킨다. 적어도 두개의 열교환기는 상기 압축기와 응축기 사이에서 병렬로 연결되며, 상기 응축기에 의해 액화된 제1 냉매를 기화시킴으로서 상기 제1 냉매 주변의 온도를 하강시키고, 상기 기화된 제1 냉매를 다시 상기 압축기로 제공한다. 따라서, 상기 냉각 장치 내부에 여러 개의 열교환기들을 설치하는 경우 상기 열교환기들이 압축기와 응축기를 공유하도록 설계함으로서, 냉각 장치의 제조 단가를 현저히 낮출 수 있고, 냉각 장치의 부피를 감소시켜 반도체 클린룸 공간 사용 효율을 증가시킨다.

    서버, 영상 표시 장치 및 그 동작 방법
    25.
    发明公开
    서버, 영상 표시 장치 및 그 동작 방법 审中-实审
    服务器,视频显示装置及其操作方法

    公开(公告)号:KR1020170101077A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:KR1020160074728

    申请日:2016-06-15

    Abstract: 서버로부터상기영상표시장치가위치한지역에대응하는통합주파수대역에대한정보를수신하는통신부, 디스플레이부, 프로세서, 메모리, 및상기메모리에저장되고상기프로세서에의해실행되는하나이상의프로그램들을포함하고, 상기하나이상의프로그램들은, 상기통합주파수대역에포함된채널들중 상기영상표시장치에서수신가능한채널을검색하고, 상기검색결과를상기디스플레이부에표시하기위한인스트럭션들(instructions)을포함하고, 통합주파수대역은, 상기영상표시장치와동일한지역에위치하는다른영상표시장치들에서수신가능한주파수대역들에기초하여결정된주파수대역인영상표시장치가개시된다.

    Abstract translation: 通过在所述通信单元,显示单元,处理器,存储器和用于接收关于对应于图像显示设备所位于的区域的集成频带信息存储器中的服务器存储,并且包括由处理器,其中执行的一个或多个程序 一个或多个程序,包含在综合频带搜索由所述图像显示装置的接收信道的信道的一个,并且包括用于显示在显示单元上的搜索结果,集成频带的指示(指令) 是,公开了其他的图像显示基于在它们位于相同的区域中的视频显示装置的设备可接收频带所确定的频带的逆视频显示装置。

    그래핀 볼 구조체 및 그 제조방법
    27.
    发明公开
    그래핀 볼 구조체 및 그 제조방법 审中-实审
    石墨球结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130058407A

    公开(公告)日:2013-06-04

    申请号:KR1020110124398

    申请日:2011-11-25

    Abstract: PURPOSE: A graphene ball structure, a manufacturing method thereof, and graphene ball network are provided to be manufactured in a network shape by laminating several graphene ball structures and usefully use lithium ion battery, hydrogen storage device, sensor, capacitor, optical device or electric component etc. CONSTITUTION: A graphene ball structure (100) comprises the core of sphere shape including semiconductor material; a graphene shell (120) including graphene which covers the core. The semiconductor material comprises an IV group semiconductor, III- V group semiconductor or II-VI group semiconductor. The Graphene ball structure is manufactured by chemical vapor deposition using gas including semiconductor material and carbon. The diameter of the core is 1nm ~ 10 μm. The graphene shell has more than one layered structure.

    Abstract translation: 目的:提供石墨烯球结构及其制造方法和石墨烯球网,通过层压几个石墨烯球结构而制造成网状,并有效地使用锂离子电池,储氢装置,传感器,电容器,光学装置或电 部件等。构成:石墨烯球结构(100)包括包括半导体材料的球形芯; 包括覆盖芯的石墨烯的石墨烯壳(120)。 半导体材料包括IV族半导体,III-V族半导体或II-VI族半导体。 石墨烯球结构通过使用包括半导体材料和碳的气体的化学气相沉积来制造。 芯的直径为1nm〜10μm。 石墨烯壳具有多于一层的分层结构。

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