公开(公告)号：KR1020070057432A

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：KR1020050116887

申请日：2005-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  타카시노구치 ,  임혁 ,  선우문욱 ,  조세영

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78696

Abstract: A polycrystalline silicon TFT and an organic light emitting display using the same are provided to decrease the generation of leakage current by using an Si-based channel with a curved portion. A polycrystalline silicon TFT includes an Si-based channel, a source and drain, a gate, an insulating layer and a substrate. The Si-based channel(10) has a nonlinear electron moving path. The source and drain(10c,10d) are formed at both sides of the channel. The gate(20) is formed on the channel. The insulating layer is interposed between the channel and the gate. The substrate is used for supporting the channel and the source and drain. The channel is formed like a crank type structure. The channel is capable of being formed like an U type structure.

Abstract translation: 提供多晶硅TFT和使用其的有机发光显示器，以通过使用具有弯曲部分的Si基通道来减少漏电流的产生。 多晶硅TFT包括Si基沟道，源极和漏极，栅极，绝缘层和衬底。 Si基通道（10）具有非线性电子移动路径。 源极和漏极（10c，10d）形成在通道的两侧。 门（20）形成在通道上。 绝缘层介于通道和栅极之间。 衬底用于支撑通道和源极和漏极。 通道形成为曲柄型结构。 该通道能够像U型结构那样形成。

公开(公告)号：KR1020070040128A

公开(公告)日：2007-04-16

申请号：KR1020050095496

申请日：2005-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  임혁 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

Abstract: 셀프얼라인에 의한 오프셋 구조를 가지는 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 박막트랜지스터는 기판과; 기판 상에 형성되는 것으로 폭이 넓은 부분과 좁은 부분을 가지는 것으로 그 양측에 경사면이 형성된 돌출부를 가지는 버퍼층과; 상기 버퍼층의 돌출부상에 마련되는 채널과 돌출부의 양측에 위치하는 소스 및 드레인을 가지는 것으로 상기 돌출부의 양측 경사부에 대응하는 오프렛 구조를 가지는 반도체층과; 상기 돌출부의 상방에 마련되는 것으로 상기 돌출부의 좁은 부분에 비해 큰 폭을 가지는 게이트 절연층 및 게이트를 구비한다.
오프셋, LDD, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR100707215B1

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：KR1020060037219

申请日：2006-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  박영수 ,  이준호 ,  임혁 ,  조세영 ,  후아샹잉

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 고배향성 실리콘 박막을 형성하는 방법, 3D 반도체소자를 제조하는 방법 및 3D 반도체소자를 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따른 고배향성 실리콘 박막을 형성하는 방법은, 기판 상에 일정한 방향으로 배향된 고배향성 AlN 박막을 형성하는 단계; 상기 고배향성 AlN 박막을 산화시켜, AlN 박막의 표면에 고배향성 Al
2 O
3 층을 형성하는 단계; 및 상기 고배향성 Al
2 O
3 층 상에 실리콘 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明公开了形成高度取向的硅薄膜的方法，制造3D半导体器件的方法和3D半导体器件。 根据本发明的一种类型的形成高取向硅薄膜的方法包括：在基板上形成沿预定方向取向的高取向AlN薄膜; 高度取向的AlN薄膜被氧化形成高度取向的Al

公开(公告)号：KR1020060135263A

公开(公告)日：2006-12-29

申请号：KR1020050055111

申请日：2005-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  조세영 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  장샤오신 ,  후아샹잉 ,  임혁 ,  박경배 ,  김석필

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/06 ,  Y10T428/10

Abstract: A method for forming a highly-oriented silicon layer and a substrate having the same are provided to produce a higher quality three-dimensional integrated circuit by forming a highly-oriented silicon layer with a larger grain size. An aluminum layer(300) is formed on a substrate(100), and then is recrystallized to form a highly-oriented Al layer. A highly-oriented gamma-Al2O3 layer(400) is formed on the highly-oriented Al layer. A silicon layer is epitaxially grown on the highly-oriented gamma-Al2O3 layer. The highly-oriented Al layer is recrystallized using at least one method selected from the group including excimer laser annealing, sequential lateral solidification, and hot roll scanning.

Abstract translation: 提供了形成高取向硅层的方法和具有该方法的基板的方法，以通过形成具有较大晶粒尺寸的高取向硅层来产生更高质量的三维集成电路。 在基板（100）上形成铝层（300），然后重结晶以形成高取向Al层。 在高取向Al层上形成高取向度的γ-Al 2 O 3层（400）。 在高取向γ-Al 2 O 3层上外延生长硅层。 使用选自包括准分子激光退火，顺序侧向固化和热辊扫描的组中的至少一种方法使高取向Al层重结晶。

公开(公告)号：KR1020060108124A

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：KR1020050030285

申请日：2005-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  권장연 ,  임혁 ,  타카시노구치

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0226 ,  H01L29/42384

Abstract: 개시된 실리콘 박막트랜지스터는: 기판에 형성되는 실리콘 채널과; 상기 실리콘 채널 위에 형성되는 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 위에 마련되는 게이트를; 구비하고, 상기 게이트 절연층은 상기 실리콘 채널의 플라즈마 저온산화에 의한 산화막 및 상기 채널에 별도로 증착된 산화막을 포함하는 구조를 가진다. 이러한 박막트랜지스터는 게이트절연층과 채널간의 개선된 인터페이스특성을 가지며, 특히 낮은 구동전압을 가진다.
다결정, 실리콘, 게이트 절연층, 플라즈마 산화, 저온산화

公开(公告)号：KR101176545B1

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：KR1020060070296

申请日：2006-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  임혁 ,  박영수 ,  선우문욱 ,  조세영

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02327

Abstract: 본 발명은 마이크로 렌즈의 형성방법과 마이크로 렌즈를 포함한 이미지 센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 개시된 본 발명의 마이크로 렌즈의 형성방법은 하부 구조물이 구비된 반도체 기판 상에 실리콘 패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 캡핑막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 패턴 및 상기 캡핑막을 어닐링하여 상기 실리콘 패턴을 지주(pole) 형상의 폴리실리콘 패턴으로 변형시키고 상기 캡핑막을 라운드형 마이크로 렌즈용 껍질부로 변형시키는 단계; 및 상기 캡핑막이 껍질부로 변형되면서 유발된 상기 껍질부 가장자리와 상기 기판 사이의 개구부를 통해 상기 껍질부 내에 렌즈 물질을 채우는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 이미지 센서는 상기 방법 또는 그와 유사한 방법으로 형성된 마이크로 렌즈를 포함하고, 마이크로 렌즈의 중앙 하부에 폴리실리콘으로 이루어진 지주(pole) 형상의 포토 다이오드 부분을 갖는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 提供微透镜，包括微透镜的图像传感器，形成微透镜的方法和制造图像传感器的方法。 微透镜包括形成在基板上的具有圆柱形状的多晶硅图案和包围多晶硅图案的圆形外壳部分。 微透镜还可以包括填充壳体部分的内部的填充材料或覆盖第一壳体部分的第二壳体部分。 形成微透镜的方法包括在具有较低结构的半导体衬底上形成硅图案，在硅图案上的半导体衬底上形成覆盖膜，使硅图案和覆盖膜退火，将硅图案改变为具有 圆筒形，并且封盖膜用于圆形微透镜的外壳部分，并且通过半导体基板和外壳部分的边缘之间的开口用透镜材料填充外壳部分的内部。 图像传感器包括通过类似方法形成的微透镜和具有圆柱形状的光电二极管。

公开(公告)号：KR1020080094483A

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：KR1020070038978

申请日：2007-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은하 ,  강동훈 ,  이재철 ,  김창정 ,  임혁

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675

Abstract: A thin film transistor having selectively a crystallized channel layer and a manufacturing method thereof are provided to prevent deterioration of characteristic distribution of thin film transistors due to grain boundary by crystallizing thinly a surface of channels. A thin film transistor includes a gate(32), a channel layer(34), a source(40a), and a drain(40b). The channel layer is an oxide semiconductor layer. A part of the channel layer contacted with the source and drain is crystallized. The crystallization is expanded to the channel layer between the source and drain or the whole channel layer. The thin film transistor further includes metal layers(36a,36b) between the channel layer and the source or the drain.

Abstract translation: 提供了选择性地具有结晶化的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法，以通过使通道的表面薄薄地结晶来防止由于晶界引起的薄膜晶体管的特性分布的劣化。 薄膜晶体管包括栅极（32），沟道层（34），源极（40a）和漏极（40b）。 沟道层是氧化物半导体层。 与源极和漏极接触的沟道层的一部分被结晶。 结晶扩展到源极和漏极或整个沟道层之间的沟道层。 薄膜晶体管还包括在沟道层和源极或漏极之间的金属层（36a，36b）。

公开(公告)号：KR100829570B1

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：KR1020060102464

申请日：2006-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송이헌 ,  박영수 ,  강동훈 ,  김창정 ,  임혁

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/105 ,  H01L29/7869

Abstract: A thin film transistor for a cross-point memory and a method for manufacturing the TFT are provided to simplify a TFT manufacturing process by omitting a dopant injection process for forming source/drain regions and an activation process. A TFT(Thin Film Transistor) is used as a select transistor in a cross-point memory and includes a substrate(21), a gate(23), a gate insulation layer(24), a channel(25), a source(26a), and a drain(26b). The gate is formed on one region on the substrate. The gate insulation layer is formed on the substrate and the gate. The channel is formed on the gate insulation layer corresponding to the gate and contains Ga2O3, In2O3, and ZnO. The source and drain are formed to be contacted with both sides of the channel. The source or the drain is made of a metal or a conductive oxide material.

Abstract translation: 提供了用于交叉点存储器的薄膜晶体管和用于制造TFT的方法，以通过省略用于形成源极/漏极区域的激光注入工艺和激活过程来简化TFT制造工艺。 TFT（薄膜晶体管）在交叉点存储器中用作选择晶体管，并且包括基板（21），栅极（23），栅极绝缘层（24），沟道（25），源极 26a）和漏极（26b）。 栅极形成在衬底上的一个区域上。 栅极绝缘层形成在基板和栅极上。 通道形成在与栅极对应的栅极绝缘层上，并含有Ga2O3，In2O3和ZnO。 源极和漏极形成为与沟道的两侧接触。 源极或漏极由金属或导电氧化物材料制成。

公开(公告)号：KR1020070071968A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：KR1020050135845

申请日：2005-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  타카시노구치 ,  임혁 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/2026 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1281

Abstract: A method for fabricating a polycrystalline silicon film is provided to form polycrystalline silicon in a desired position by previously forming a silicon island and by crystallizing the silicon island. An electrically insulated thermal conductive layer is formed on a substrate, made of one of aluminum ceramic, cobalt ceramic or Fe ceramic. The aluminum ceramic can be one of Al2O3 or AlN. The cobalt ceramic can be one of CoO or Co3N4. The Fe ceramic can be one of FeO, Fe2O3, Fe3O4 or Fe2N. An amorphous silicon layer is formed on the thermal conductive layer. The amorphous silicon layer is patterned to form an amorphous silicon island. The island is annealed to crystallize the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 提供一种制造多晶硅膜的方法，以通过预先形成硅岛并通过使硅岛结晶而在期望的位置形成多晶硅。 在由铝陶瓷，钴陶瓷或Fe陶瓷之一制成的基板上形成电绝缘导热层。 铝陶瓷可以是Al2O3或AlN中的一种。 钴陶瓷可以是CoO或Co3N4之一。 Fe陶瓷可以是FeO，Fe2O3，Fe3O4或Fe2N之一。 在导热层上形成非晶硅层。 图案化非晶硅层以形成非晶硅岛。 将岛退火以使非晶硅层结晶。

公开(公告)号：KR1020070051090A

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：KR1020050108524

申请日：2005-11-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임혁 ,  타카시노구치 ,  김종만 ,  박경배 ,  후아샹잉

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 자기정렬에 의한 오프셋 또는 LDD 구조를 갖는 박막 트랜지스터에 관해 기술된다. 개시된 박막 트랜지스터는 기판; 기판 위에 마련되는 것으로 채널 영역, 채널 영역 양측의 소스와 드레인 영역, 그리고 채널 영역과 채널 영역 양측의 소스 영역 및 드레인 영역들 사이에 각각 위치하는 오프셋 영역들을 가지는 실리콘층; 상기 소스 및 드레인 영역을 제외한 상기 채널 영역과 채널 영역의 양측에 마련된 오프셋 영역을 덮는 게이트 절연층; 그리고 상기 양 오프셋 영역을 제외한 채널 영역의 위에 형성되는 게이트층;을 구비한다. 이러한 박막 트랜지스터는 추가적인 마스크 공정이 없이 오프셋 또는 LDD 영역이 얻어지는 구조를 갖는다.
박막 트랜지스터, 셀프얼라인, LDD, 오프셋, 전류누설