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21.发明授权
公开(公告)号：KR101539671B1
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020110121729
申请日：2011-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/10
Abstract: 복합투명전극을포함하는그래핀기반포토디텍터와그 제조방법및 포토디텍터를포함하는장치에관해개시되어있아. 일실시예에의한그래핀기반포토디텍터는기판과, 기판상에구비된그래핀층과, 상기그래핀층상에형성되고, 서로이격된제1 및제2 전극을포함하고, 상기제1 및제2 전극은복합투명전극을포함한다. 이러한포토디텍터에서, 상기제1 및제2 전극의복합투명전극은다른구성을가질수 있다.
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公开(公告)号：KR101532313B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020110061804
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 그래핀과상변화물질을포함하는불휘발성메모리소자와그 제조및 동작방법이개시되어있다. 일실시예에의한불휘발성메모리소자는기판과, 소스및 드레인전극과, 상기소스및 드레인전극사이의상기기판상에구비된게이트필터와, 상기게이트필터를통과한광이조사되는그래핀층을포함하고, 상기게이트필터는적층된투명전극및 상변화물질층을포함한다. 상기게이트필터는상기그래핀층의위 또는아래에구비될수 있다. 상기게이트필터는상기상변화물질층과함께적어도하나의투명전극을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101532312B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020120006412
申请日：2012-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 그래핀을이용한논리소자와그 제조및 동작방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한논리소자는그래핀을채널로구비하는그래핀트랜지스터와, 상기그래핀을사이에두고상기그래핀트랜지스터의게이트전극과마주하는광 밸브층를포함한다. 상기그래핀트랜지스터는게이트전극이상기채널위에있는탑(top) 구조이거나상기게이트전극이상기채널아래에있는바텀(bottom) 구조일수 있다. 상기광 밸브층은상기그래핀층상에형성된상변화층과, 상기상변화층상에형성된투광성게이트전극을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130056011A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121729
申请日：2011-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/10
Abstract: 복합투명전극을포함하는그래핀기반포토디텍터와그 제조방법및 포토디텍터를포함하는장치에관해개시되어있아. 일실시예에의한그래핀기반포토디텍터는기판과, 기판상에구비된그래핀층과, 상기그래핀층상에형성되고, 서로이격된제1 및제2 전극을포함하고, 상기제1 및제2 전극은복합투명전극을포함한다. 이러한포토디텍터에서, 상기제1 및제2 전극의복합투명전극은다른구성을가질수 있다.
Abstract translation: 目的：提供一种基于石墨烯的光电检测器，其包括复合透明电极及其制造方法，以及包括该透明电极的制造方法和装置，通过使用柔性基板来灵活地实现光电检测器。 构成：在基板上形成石墨烯层（34）。 衬底包括依次层压的硅层（30）和氧化硅层（32）。 第一电极和第二电极分别形成在石墨烯层上。 第一电极包括依次层压的第一底电极（36）和第一顶电极（38）。 第二电极包括依次层压的第二底部电极（46）和第二顶部电极（48）。
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公开(公告)号：KR1020130007062A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110063127
申请日：2011-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L29/1606 , H01L29/4234 , H01L29/66825 , H01L29/792
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device using the hysteresis property of graphene, a manufacturing method thereof, and an operating method thereof are provided to improve the operation margin of a memory device by forming a graphene layer with a chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: A data storage layer(36) is formed on a substrate. A gate electrode(40) is separated from the data storage layer. An insulation layer is formed between the gate electrode and the data storage layer. A source region and a drain region are formed on both sides of the data storage layer. A channel layer connects the source region to the drain region.
Abstract translation: 目的：提供使用石墨烯的滞后特性的非易失性存储器件及其制造方法及其操作方法，以通过用化学气相沉积法形成石墨烯层来改善存储器件的操作余量。 构成：在基板上形成数据存储层（36）。 栅电极（40）与数据存储层分离。 在栅电极和数据存储层之间形成绝缘层。 源极区域和漏极区域形成在数据存储层的两侧。 沟道层将源极区域连接到漏极区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130006873A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110061804
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L29/1606 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 그래핀과상변화물질을포함하는불휘발성메모리소자와그 제조및 동작방법이개시되어있다. 일실시예에의한불휘발성메모리소자는기판과, 소스및 드레인전극과, 상기소스및 드레인전극사이의상기기판상에구비된게이트필터와, 상기게이트필터를통과한광이조사되는그래핀층을포함하고, 상기게이트필터는적층된투명전극및 상변화물질층을포함한다. 상기게이트필터는상기그래핀층의위 또는아래에구비될수 있다. 상기게이트필터는상기상변화물질층과함께적어도하나의투명전극을포함할수 있다.
Abstract translation: 目的：提供包括石墨烯和相变材料的非易失性存储器件，以通过测量在石墨烯层中产生的光电流来读取数据来比PRAM更快地存取数据。 构成：衬底（30）包括第一杂质区（32）和第二杂质区（34）。 在第一和第二杂质区之间的衬底上形成石墨烯层（36）。 第一透明电极（38）形成在石墨烯层上。 在第一透明电极上形成相变材料层（40）。 第二透明电极（42）形成在相变材料层上。
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公开(公告)号：KR101037043B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020090016724
申请日：2009-02-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 반도체 기판의 비아 형성방법을 개시한다. 상기 방법은 반도체 기판을 진공 상태의 챔버 내 시료를 올려놓은 척(chuck)부에 제공하는 기판 제공단계, 상기 진공 상태의 챔버 내 공간인 플라즈마 생성부로 육플루오린화 황(SF
6 ), 산소(O
2 ) 및 팔플루오르화 부텐(C
4 F
8 )을 투입하고 상기 플라즈마 생성부에 전원을 인가하는 제1전원 및 상기 척부에 전원을 인가하는 제2전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계, 및 상기 제1전원은 연속적으로 인가하고 상기 제2전원은 저 주파수로 주기적으로 온(on)·오프(off)하면서 상기 플라즈마를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각함으로써 상기 반도체 기판에 비어를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함한다.
반도체, 비아, 플라즈마, 저 주파수, 펄스-
公开(公告)号：KR102100415B1
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：KR1020130083154
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR1020160134292A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150068122
申请日：2015-05-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기재상에형성된제 1 절연층; 상기제 1 절연층상에형성된반도체층; 상기반도체층상에서서로이격된제 1 전극내지제 3 전극; 상기제 1 전극과제 2 전극사이에배치되며, p형도펀트에의해도핑된제 1 이차원물질층; 상기제 2 전극과제 3 전극사이에배치되며, n형도펀트에의해도핑된제 2 이차원물질층; 및상기제 1 이차원물질층, 상기제 1 전극, 및상기제 2 전극상에형성된제 2 절연층을포함하는인버터소자, 및상기인버터소자의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101556360B1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020120089736
申请日：2012-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B31/0484 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/194 , C23C16/56 , H01J37/321 , H01J37/32146 , Y10S977/845
Abstract: 그래핀물성복귀방법및 장치가개시된다. 개시된그래핀물성복귀방법및 장치는그래핀을접지한상태에서 0.3*10~30*10cm의범위내에저밀도플라즈마에상기그래핀을노출하여상기그래핀의물성을복귀시킨다. 이러한그래핀물성복귀방법및 장치는저온, 대면적, 빠른공정속도, 친환경, 그리고실리콘공정과호환가능하다.
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