公开(公告)号：KR1020110052569A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020117000709

申请日：2009-06-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  사토잇세이 ,  나카하타히데아키 ,  아라카와사토시 ,  야마모토요시유키 ,  사쿠라다다카시

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 본 발명은 큰 두께를 가지며 또 고품질인 III족 질화물 결정을 성장시키는 III족 질화물 결정의 제조 방법 및 III족 질화물 결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. III족 질화물 결정(13)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 우선, (0001)면에서 방향으로 경사진 주표면(11a)을 갖는 하지 기판(11)이 준비된다. 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판(11)의 주표면(11a) 상에 III족 질화물 결정(13)이 성장된다. 하지 기판(11)의 주표면(11a)은 {01-10}면에서 -5° 이상 5° 이하 경사진 면인 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR101025530B1

公开(公告)日：2011-04-04

申请号：KR1020087030971

申请日：2007-06-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 본 발명은 대형이며 전위 밀도가 낮은 결정을 얻을 수 있는 Al
x Ga
1-x N 결정의 성장 방법 및 Al
x Ga
1-x N 결정 기판을 제공한다.
본 Al
x Ga
1-x N 결정(0 x Ga
1-x N 결정(10)의 성장 방법으로서, 결정 성장 시, Al
x Ga
1-x N 결정(10)의 주성장 평면(11)에 복수의 패싯(facet)(12)을 갖는 피트(10p)를 적어도 1개 형성하며, 피트(10p)가 적어도 1개 존재하고 있는 상태에서 Al
x Ga
1-x N 결정(10)을 성장시킴으로써, Al
x Ga
1-x N 결정(10)의 전위를 저감시키는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020100133978A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：KR1020107020566

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 본 발명은 크랙의 발생을 억제하며 가공성이 용이한 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재(基材)의 제조 방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재 및 에피택셜 웨이퍼를 제공한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재(10a)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 먼저, Si 기판(11)을 준비한다. 그리고, Si 기판 상에 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층(0

公开(公告)号：KR1020100100582A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020097014664

申请日：2008-11-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미즈하라나호 ,  타니자키게이스케 ,  미야나가미치마사 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  C30B25/18

Abstract: 본 발명은, 대구경의 두꺼운 AlN 결정을 안정적으로 성장시킬 수 있는 AlN 결정의 성장 방법을 제공한다. 본 발명의 AlN 결정의 성장 방법은, 1000 ㎛ 이상의 파이프 직경을 갖는 마이크로 파이프(4mp)의 밀도가 0 ㎝
-2 이고, 또한 100 ㎛ 이상 1000 ㎛ 미만의 파이프 직경을 갖는 마이크로 파이프(4mp)의 밀도가 0.1 ㎝
-2 이하인 주요면(4m)을 갖는 SiC 기판(4)을 준비하는 공정과, 기상법에 의해 주요면(4m) 상에 AlN 결정(5)을 성장시키는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100018465A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：KR1020090071298

申请日：2009-08-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02

CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

Abstract: PURPOSE: A wavelength converter and a manufacturing method thereof are provided to reduce loss the loss of a transmittance at the interface of a first and a second crystallization by controlling a reflection at the interface of the first and the second crystallization. CONSTITUTION: An wavelength conversion element(10a) comprises an optical waveguide(13). The optical waveguide radiates an outgoing light(102) to the other terminal(13b) by changing the wavelength of an incident light(101) of one side terminal(13a). The wavelength conversion element comprises a first crystallization(11) and a second crystallization(12). The first and the second crystallizations have the polarization inversion structure periodically inverting according to the optical waveguide. The polarization inversion structure satisfies a quasi-phase matching condition for an incident light.

Abstract translation: 目的：提供一种波长转换器及其制造方法，以通过控制在第一和第二结晶的界面处的反射来减少在第一和第二结晶界面处的透射损失。 构成：波长转换元件（10a）包括光波导（13）。 光波导通过改变一侧端子（13a）的入射光（101）的波长而将出射光（102）辐射到另一端子（13b）。 波长转换元件包括第一结晶（11）和第二结晶（12）。 第一和第二结晶具有根据光波导周期性地反转的偏振反转结构。 偏振反转结构满足入射光的准相位匹配条件。

公开(公告)号：KR101591523B1

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020090071298

申请日：2009-08-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02

CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

Abstract: 본발명은, 투과율을향상시킬수 있는파장변환소자의제조방법및 파장변환소자를제공한다. 파장변환소자(10a)의제조방법은, 이하의공정을구비하고있다. 우선, 결정을성장시킨다. 그리고, 결정을분극이서로반전되도록 2 이상으로분할함으로써제1 결정(11)과제2 결정(12)을형성한다. 그리고, 광도파로(13)를따라제1 및제2 결정(11, 12)의분극방향이주기적으로반전되는분극반전구조를형성하고, 분극반전구조는입사광(101)에대해의사위상정합조건을만족하도록, 제1 및제2 결정(11, 12)을끼워맞춘다.

公开(公告)号：KR101526632B1

公开(公告)日：2015-06-05

申请号：KR1020107020566

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 본발명은크랙의발생을억제하며가공성이용이한 SiCAlN기재(基材)의제조방법, 에피택셜웨이퍼의제조방법, SiCAlN기재및 에피택셜웨이퍼를제공한다. SiCAlN기재(10a)의제조방법은이하의공정을포함한다. 먼저, Si 기판(11)을준비한다. 그리고, Si 기판상에 SiCAlN층(0

公开(公告)号：KR1020110122090A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020117001411

申请日：2010-01-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명은, 내구성을 가지며, 또한 도가니의 외부로부터 불순물이 혼입되는 것을 억제한 질화물 반도체 결정을 제조하기 위한 질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정을 제공한다. 질화물 반도체 결정의 제조 장치(100)는 도가니(101)와, 가열부(125)와, 피복부(110)를 구비한다. 도가니(101)에는 원료(17)가 내부에 배치된다. 가열부(125)는 도가니(101)의 외주에 배치되며, 도가니(101)의 내부를 가열한다. 피복부(110)는 도가니(101)와 가열부(125) 사이에 배치된다. 피복부(110)는, 도가니(101)에 대향하는 측에 형성되며 원료(17)보다 융점이 높은 금속으로 이루어지는 제1층(111)과, 제1층(111)의 외주측에 형성되며 제1층(111)을 구성하는 금속의 탄화물로 이루어지는 제2층(112)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110041440A

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：KR1020107029290

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  C30B29/40 ,  C30B23/06

Abstract: 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정(10)을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함한다. 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)이 성장한다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.3 이상이다.

公开(公告)号：KR1020110040814A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020117000149

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함하고 있다. Al
x Ga
(1-x) N 단결정과 동일한 조성비(x)를 갖는 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정이 성장된다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)은, 300 K로 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 100 cm
-1 이하이며, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 21 cm
-1 이하이다.