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21.发明授权
公开(公告)号：KR101387739B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020110044204
申请日：2011-05-11
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 가지는 폴리실록산을 포함하는 투광성 수지 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
*-Si-Ar-Si-*
상기 화학식 1에서, Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이다.-
公开(公告)号：KR101107004B1
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR1020090100776
申请日：2009-10-22
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/108 , H01L21/8242
Abstract: 말단에 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함하는 반도체 캐패시터용 충전제를 제공한다. 또한 반도체 기판 위에 갭(gap)을 가지는 몰드를 형성하는 단계, 상기 반도체 기판 및 상기 몰드 위에 도전층을 형성하는 단계, 상기 갭 및 상기 도전층 위에 충전제를 도포하여 충전층을 형성하는 단계, 상기 충전층을 열처리하는 단계, 상기 충전층의 일부를 현상하여 상기 갭에 채워진 충전 패턴을 형성하는 단계, 상기 도전층의 일부를 제거하여 복수의 제1 전극으로 분리하는 단계, 상기 몰드 및 상기 충전 패턴을 제거하는 단계, 상기 제1 전극 위에 유전체층을 형성하는 단계, 그리고 상기 유전체층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 캐패시터의 제조 방법을 제공한다. 여기서, 상기 충전제는 말단에 화학식 1로 표현되는 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함한다.
반도체 캐패시터, 충전제, 현상성, 충전성, 보관 안정성-
23.发明公开레지스트 하층막용 조성물, 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체 집적회로 디바이스 无效耐冲击组合物，使用其制造集成电路装置的方法和由该方法生产的半导体装置
公开(公告)号：KR1020110075688A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090132209
申请日：2009-12-28
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , C07C33/26 , C08G77/50 , C08L83/06 , G03F7/091 , G03F7/092 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0332
Abstract: PURPOSE: A composition for a resist sub-layer, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the same, and the semiconductor integrated circuit device manufactured by the same are provided to control the refractive index and the absorbance in a wavelength range which is lower than or equal to 250nm. CONSTITUTION: A composition for a resist sub-layer includes organic silane-based polycondensate and a solvent. The organic silane-based polycondensate is generated from a group represented by chemical formulas 1 or 2 under acidic catalyst and alkaline catalyst. In the chemical formulas, the R1 is halogen, hydroxyl group, alkoxy group, carboxylic group, ester group, cyano group, haloalkyl sulfite group, alkylamine group, alkylsilyl amine group, or alkylsilyloxy group. The Ar1 is substituted or non-substituted C6 to C12 arylene group. The Ar2 and the Ar3 are identical or different and substituted or non-substituted C6 to C12 aryl group. The m and the n are identical or different and are respectively 0 or the integer of 1 to 5.
Abstract translation: 目的：提供一种抗蚀剂子层用组合物，使用该组合物的半导体集成电路器件的制造方法以及由其制造的半导体集成电路器件，以控制折射率和波长范围内的吸光度， 低于或等于250nm。 构成：抗蚀剂亚层的组合物包括有机硅烷基缩聚物和溶剂。 有机硅烷类缩聚物由酸式催化剂和碱性催化剂由化学式1或2表示的基团生成。 在化学式中，R1为卤素，羟基，烷氧基，羧基，酯基，氰基，卤代烷基亚硫酸酯基，烷基胺基，烷基甲硅烷基胺基或烷基甲硅烷氧基。 Ar 1是取代或未取代的C6至C12亚芳基。 Ar2和Ar3是相同或不同的取代或未取代的C6至C12芳基。 m和n相同或不同，分别为0或1〜5的整数。
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公开(公告)号：KR100910542B1
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020070045215
申请日：2007-05-09
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체 미세 갭 필(gap-fill)용 중합체에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 직경이 70 nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 일반적인 스핀코팅 방법으로 공기 보이드(void) 등의 결함없이 완전한 갭 필이 가능하며, 베이킹(baking)에 의한 경화 후에 불산 수용액 처리에 의해서 홀 내부에서 잔유물이 없이 깨끗이 제거됨과 동시에 그 속도를 조절할 수 있으며, 보관안정성이 우수한 조성물을 제공한다.
갭 필(gap-fill), 스핀코팅, 불산, 보관안정성-
25.发明授权
公开(公告)号：KR100894417B1
公开(公告)日：2009-04-24
申请号：KR1020070090677
申请日：2007-09-06
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 갭 필(gap-fill) 능력이 우수한 반도체 미세 갭 필용 유기실란계 중합체 및 이를 포함하는 조성물에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 직경이 70 nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 일반적인 스핀코팅 방법으로 공기 보이드(void) 등의 결함 없이 완전한 갭 필이 넓은 분자량 범위에서 가능하며, 베이킹(baking)에 의한 경화 후에 불산 수용액 처리에 의해서 홀 내부에서 잔유물 없이 깨끗이 제거될 수 있으며, 보관안정성이 우수한 조성물을 제공한다.
갭 필(gap-fill), 유기실란, 스핀코팅, 불산, 보관안정성-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080098295A
公开(公告)日：2008-11-07
申请号：KR1020070045215
申请日：2007-05-09
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: A polymer for micro gap-filling of semiconductor device is provided to perform the complete gap-filling without defectives such as air void, to remove the residue with a hydrofluoric acid solution treatment after being cured by the baking while controlling the speed, and to ensure storage stability. A compound for micro gap-filling of semiconductor device comprises a condensation polymer of hydrolysates generated from at least one compound selected from a group consisting of a compound of the chemical formula 1, a compound of the chemical formula 2 and a compound of the chemical formula 3. The formula 1 is [RO]3Si-[CH2]nPh, wherein Ph is a phenyl, n is 0~2, and R is a methyl or ethyl. The formula 2 is [RO]3Si-H, wherein R is a methyl or ethyl. The formula 3 is [RO]3Si-CH3, wherein R is a methyl or ethyl.
Abstract translation: 提供了用于半导体器件的微间隙填充的聚合物，用于执行完整的间隙填充而没有诸如空气的缺陷，在通过烘焙固化之后用氢氟酸溶液处理除去残余物，同时控制速度，并确保 储存稳定性。 用于半导体器件的微间隙填充的化合物包括由选自化学式1的化合物，化学式2的化合物和化学式的化合物的至少一种化合物产生的水解产物的缩合聚合物 式1是[RO] 3Si- [CH 2] n Ph，其中Ph是苯基，n是0〜2，R是甲基或乙基。 式2是[RO] 3 Si-H，其中R是甲基或乙基。 式3是[RO] 3 Si-CH 3，其中R是甲基或乙基。
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公开(公告)号：KR101574835B1
公开(公告)日：2015-12-04
申请号：KR1020120144913
申请日：2012-12-12
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/0755 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/0751 , H01L51/5253
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는 (A)아미드기를갖는실리콘계화합물을포함하는광경화조성물, 이를포함하는장벽층(barrier layer), 이를포함하는장벽스택(barrier stack), 이를포함하는봉지화된장치, 및이를이용하는장치의봉지방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101574085B1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020120133067
申请日：2012-11-22
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 적어도 1개의플루오르를가지는실란커플링제에의해표면처리되어있는충전재, 말단에규소결합된수소(Si-H)를가지는제1 폴리실록산, 그리고말단에규소결합된알케닐기(Si-Vi)를가지는제2 폴리실록산을포함하는봉지재및 상기봉지재를포함하는전자소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150054271A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136506
申请日：2013-11-11
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08J7/047 , B05D3/0254 , B05D3/107 , B05D7/02 , C08J7/042 , C08J7/14 , C08J2369/00 , C08J2433/00 , C08J2463/00 , C08J2475/04 , C08J2477/00 , C08J2483/04 , Y10T428/265 , Y10T428/266 , Y10T428/31507 , C08J7/04 , B32B27/08 , B32B27/283 , B32B27/365
Abstract: 본발명은폴리카보네이트계기재; 및상기기재의일면에형성된실리콘계하드코팅층을포함하고, 테이버마모시험기(Taber Abraser)를이용하여 CS-10F 마모휠과 500g 하중조건에서 500회마모시, 마모전·후의헤이즈차이(△Haze)가 4.5 이하이고, 물방울접촉각이 40 내지 60°인폴리카보네이트글래이징에관한것으로, 상기폴리카보네이트글래이징은기재의일 면에폴리실록산또는폴리실세스퀴옥산혼합물을포함하는코팅액을도포하여실리콘계하드코팅층을형성하는단계; 상기하드코팅층을산처리하는단계; 및열처리하는단계를포함하는폴리카보네이트글래이징의제조방법에의하여제조될수 있다. 상기제조된폴리카보네이트글래이징은내마모성및 투명성이우수하고, 그제조방법은습식공정으로비진공웻-코팅(wet coating)이가능하여제조시간이짧고공정성이우수하며, 산처리에의하여내마모성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 聚碳酸酯玻璃技术领域本发明涉及聚碳酸酯玻璃，其包括：基于聚碳酸酯的基材; 以及形成在聚碳酸酯类基材的一个表面上的硅酮类硬涂层。 当CS-10F磨轮和500g负载条件下的聚碳酸酯玻璃通过使用制片磨料磨损500次时，磨损操作之前和之后的状态之间的雾度差（ΔHaze）为4.5或更低，而水滴 接触角为40〜60度。 制造聚碳酸酯玻璃的方法包括以下步骤：将包含聚硅氧烷或聚倍半硅氧烷的混合物的涂布溶液涂布在基材的一个表面上以形成硅基硬涂层; 用酸处理硬涂层; 并用热处理硬涂层。 聚碳酸酯玻璃具有优异的耐磨性和透明度。 该制造方法能够通过湿法进行非真空湿式涂布操作，缩短制造时间，提高生产效率，并且通过酸处理提高耐磨性。
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公开(公告)号：KR101518498B1
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：KR1020120072228
申请日：2012-07-03
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 광경화 조성물, 상기 조성물로 형성된 유기 보호층 및 이를 포함하는 광학 부재에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 (메타)아크릴레이트기를 갖는 dipodal 실리콘 화합물과 광중합 개시제를 포함하고, 25℃에서 점도가 10 내지 500cps인 광경화 조성물 및 상기 조성물로 형성된 유기 보호층을 포함하는 광학 부재에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及光固化性组合物，由该组合物形成的有机保护层以及包含该组合物的光学部件。 更具体地，本发明是一种（甲基）包括双臂硅化合物和具有丙烯酸酯光聚合引发剂，并且包括25℃的光固化组合物，并且所述组合物在从10的粘度500cps形成的有机保护层的光学构件 Lt。
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