반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
    21.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 有权
    用于封装半导体器件的环氧树脂组合物和使用其的半导体器件

    公开(公告)号:KR100882533B1

    公开(公告)日:2009-02-06

    申请号:KR1020070141337

    申请日:2007-12-31

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device is provided to increase adhesive force with a semiconductor chip and a lead frame and to improve cracking resistance and peeling resistance. An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device comprises an epoxy resin, curing agent, curing accelerator, adhesive strength improver and inorganic filler. The curing agent is represented by amino triazine-based modified phenol novolac resin indicated as the chemical formula 1. The adhesive strength improver is methyl / phenylsilsesquioxane resin indicated as the chemical formula 2. In the chemical formula 1, the average of m is 0-15 and the average of m is 0-10. The order of two repeating units can be arranged in the chemical formula 1 randomly. In the chemical formula 2, n is 1-20 and R1-R16 are independently a methyl radical or phenyl radical.

    Abstract translation: 提供用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以增加与半导体芯片和引线框架的粘合力,并提高耐龟裂性和耐剥离性。 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物包括环氧树脂,固化剂,固化促进剂,粘合强度改进剂和无机填料。 固化剂由化学式1表示的氨基三嗪类改性苯酚酚醛清漆树脂表示。粘合强度改进剂是以化学式2表示的甲基/苯基倍半硅氧烷树脂。在化学式1中,m的平均值为0- 15,m的平均值为0-10。 两个重复单元的顺序可以随机排列在化学式1中。 在化学式2中,n为1-20,R1-R16独立地为甲基或苯基。

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자
    22.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자 有权
    用于封装半导体器件的环氧树脂组合物和使用它的半导体器件

    公开(公告)号:KR100836571B1

    公开(公告)日:2008-06-10

    申请号:KR1020060138280

    申请日:2006-12-29

    Inventor: 엄태신 유제홍

    Abstract: An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device is provided to improve an adhesiveness with various members such as a semiconductor device and a lead frame, and to ensure crack resistance upon substrate mounting. An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device includes an epoxy resin, a hardener, a hardening accelerator, a coupling agent, and an inorganic filler. A benzotriazole-based compound represented by the following formula 1 is contained in an amount 0.01-2wt% of the total epoxy resin composition. In the formula 1, each of R1 and R2 is any one selected from a hydrogen atom, a mercapto group, an amino group, a hydroxyl group, and a C1-8 hydrocarbon chain.

    Abstract translation: 提供一种用于封装半导体器件的环氧树脂组合物,以提高与诸如半导体器件和引线框架的各种部件的粘合性,并且确保基板安装时的抗裂纹性。 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物包括环氧树脂,硬化剂,硬化促进剂,偶联剂和无机填料。 由下式1表示的苯并三唑系化合物的含量为总环氧树脂组合物的0.01〜2重量%。 在式1中,R 1和R 2各自为氢原子,巯基,氨基,羟基和C 1-8烃链中的任意一种。

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자
    23.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자 失效
    用于封装半导体器件的环氧树脂组合物和使用它的半导体器件

    公开(公告)号:KR100834069B1

    公开(公告)日:2008-06-02

    申请号:KR1020060137054

    申请日:2006-12-28

    Abstract: An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device is provided to improve the adhesion to various parts including a semiconductor device or lead frame, and to realize improved cracking resistance when mounting a wafer. An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device comprises an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, a coupling agent and an inorganic filler. The epoxy resin composition further comprises 2-thienyl disulfide represented by the following formula 1. The epoxy resin composition comprises 2-thienyl disulfide in an amount of 0.01-0.1 wt% based on the total weight of the composition.

    Abstract translation: 提供一种用于封装半导体器件的环氧树脂组合物,以提高对包括半导体器件或引线框架的各种部件的粘附性,并且在安装晶片时实现提高的抗开裂性。 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物包括环氧树脂,固化剂,固化促进剂,偶联剂和无机填料。 环氧树脂组合物还包含由下式1表示的2-噻吩二硫化物。环氧树脂组合物包含基于组合物总重量的0.01-0.1重量%的2-噻吩二硫醚。

    텅스텐 CMP 슬러리 조성물
    24.
    发明授权
    텅스텐 CMP 슬러리 조성물 有权
    CMP浆料组成

    公开(公告)号:KR100725552B1

    公开(公告)日:2007-06-08

    申请号:KR1020040066768

    申请日:2004-08-24

    Abstract: 본 발명은 높은 연마속도를 가지고, 결함 발생위험도 적으며, 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어난 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 금속산화물, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및 탈이온수를 포함하는 슬러리 조성물에 있어서, 상기 무기산으로 질산을 전체 슬러리 조성물 대비 0.001 내지 0.1 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
    본 발명의 슬러리 조성물은 PEG를 포함하므로써 저장안정성 또는 분산안정성이 뛰어나고, 연마속도가 높다. 따라서, 본 발명에 따른 슬러리를 사용할 경우, 반도체 제조과정에 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.
    또한, 연마시 부식 또는 균열(seam) 등의 결함이 현저하게 감소하여 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보할 수 있다.

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
    25.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 有权
    반도체소자밀봉용에폭시수지조성반

    公开(公告)号:KR100678689B1

    公开(公告)日:2007-02-02

    申请号:KR1020050136065

    申请日:2005-12-30

    Abstract: Provided is an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices, which uses a halogen-free flame retardant, emits no substances harmful to the human body and environment, shows excellent flame retardant, humidity resistance and moldability. The epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices comprises an epoxy resin, a curing agent, a flame retardant, a curing accelerator and an inorganic filler. In the epoxy resin composition, a melamine resin and a silica-coated melamine resin as the flame retardant, and the curing accelerant includes an adduct of tertiary phosphine with para-benzoquinone represented by the following formula, wherein R is a C1-C4 alkyl group or alkoxy group, and m is an integer of 0-3.

    Abstract translation: 本发明提供一种半导体装置密封用环氧树脂组合物,其使用无卤阻燃剂,不会释放出对人体和环境有害的物质,显示优异的阻燃性,耐湿性和成型性。 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物包含环氧树脂,固化剂,阻燃剂,固化促进剂和无机填料。 在环氧树脂组合物中,三聚氰胺树脂和二氧化硅包覆的三聚氰胺树脂作为阻燃剂,并且固化促进剂包括由下式表示的叔膦与对苯醌的加合物,其中R为C1-C4烷基 或烷氧基,并且m是0-3的整数。

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
    26.
    发明授权
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 有权
    用于封装半导体器件的环氧树脂组合物

    公开(公告)号:KR100671128B1

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:KR1020040111921

    申请日:2004-12-24

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비페닐계 에폭시 수지, 페놀 노볼락 수지 및 이소시아네이트 터미네이티드 폴리우레탄 프리폴리머를 포함하고 무기 충전제를 고충진함으로써 열 충격, 특히 반도체 후 공정에서 패드면 및 칩에 발생하는 크랙 문제를 개선하고, 에폭시 봉지재와 웨이퍼 칩 사이에 발생하는 접착문제를 감소시킴으로써 고신뢰성을 제공하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
    에폭시 수지, 반도체 밀봉, 내크랙성, 접착성, 고신뢰도, 이소시아네이트, 폴리우레탄

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

    公开(公告)号:KR1020050070621A

    公开(公告)日:2005-07-07

    申请号:KR1020030100374

    申请日:2003-12-30

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로 보다 상세하게는 인체나 기기에 유해한 할로겐계 난연제 및 인계 난연제를 사용하지 않고, 다방향족 에폭시 수지와 다방향족 경화제를 사용하며, 여기에 무기난연제인 징크보레이트(zinc borate) 및/또는 마그네슘 징크 하이드록사이드(Magnesium Zinc Hydroxide)를 사용하여 난연성을 달성한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.

    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
    29.
    发明公开
    반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 有权
    用于封装半导体器件的环氧树脂组合物

    公开(公告)号:KR1020050068655A

    公开(公告)日:2005-07-05

    申请号:KR1020030100330

    申请日:2003-12-30

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (1) 에폭시 수지, (2) 경화제, (3) 경화 촉진제 및 (4) 무기 충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 (1) 에폭시 수지로서 분자 중에 노볼락 구조의 페놀류 화합물과 4,4'-디히드록시 비페닐(dihydroxy biphenyl)의 혼합물을 글리시딜 에테르화시켜 얻어지는 변성 에폭시 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자 패키지 성형시 고유동 특성을 나타내며, 수분의 흡수가 낮고 내열성이 우수할 뿐만 아니라 별도의 할로겐계, 삼산화 안티몬 등의 난연제를 사용하지 않아도 우수한 난연성이 확보되므로 수지 밀봉형 반도체 소자 제조에 유용하다.

    고온 내크랙성이 우수한 에폭시 몰딩 컴파운드 조성물
    30.
    发明公开
    고온 내크랙성이 우수한 에폭시 몰딩 컴파운드 조성물 有权
    环氧树脂组合物在高温下具有优异的耐开裂性

    公开(公告)号:KR1020030056507A

    公开(公告)日:2003-07-04

    申请号:KR1020010086731

    申请日:2001-12-28

    Abstract: PURPOSE: Provided is an epoxy molding compound composition having excellent flexural properties and cracking resistance at a high temperature of 230 deg.C or more. CONSTITUTION: The epoxy molding compound composition comprises 12 to 13 wt% of an epoxy resin, 6 to 7 wt% of a curing agent, 0.2 to 0.3 wt% of a curing accelerator, 0.6 to 0.7 wt% of other conventional additives, 75 to 85 wt% of an inorganic filler and 0.2 to 1.5 wt% of a nano-particle co-filler. Preferably, the nano-particle co-filler is nanosilicate, nanosilica or a mixture thereof.

    Abstract translation: 目的:提供在230℃以上的高温下具有优异的弯曲性和耐龟裂性的环氧树脂组合物组合物。 构成:环氧成型化合物组合物含有12〜13重量%的环氧树脂,6〜7重量%的固化剂,0.2〜0.3重量%的固化促进剂,0.6〜0.7重量%的其他常规添加剂,75〜 85重量%的无机填料和0.2-1.5重量%的纳米颗粒共填料。 优选地,纳米颗粒共填料是纳米硅酸盐,纳米二氧化硅或其混合物。

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