公开(公告)号：KR1020020075545A

公开(公告)日：2002-10-05

申请号：KR1020010015609

申请日：2001-03-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  김효진 ,  김태환

IPC: H01L29/15

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127

Abstract: PURPOSE: A method for forming a quantum point array using an inclined substrate is provided to arrange materials of which grating constants are largely inconsistent to each other in quantum points as quantum wire of high quality. CONSTITUTION: A substrate which has a constant determined axis and is inclined to the constant determined axis is prepared. A buffer layer of the same quality as the substrate is formed on an upper portion of the substrate by using a chemical vapor deposition method. A material which is largely inconsistent with the substrate in a grating constant grows on the substrate. A quantum wire of high quality is formed by controlling a partial pressure of a source gas and thickness of the buffer layer, and thickness of the material layer in the chemical deposition process of the buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用倾斜衬底形成量子点阵列的方法，用于将量子点上光栅常数彼此大体上不一致的材料排列成高品质的量子线。 构成：制备具有恒定的测定轴并倾斜于恒定的测定轴的衬底。 通过使用化学气相沉积法在衬底的上部形成与衬底相同质量的缓冲层。 在光栅常数上与衬底大致不一致的材料在衬底上生长。 通过在缓冲层的化学沉积过程中控制源气体的分压和缓冲层的厚度以及材料层的厚度来形成高质量的量子线。

公开(公告)号：KR100279055B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990001045

申请日：1999-01-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김춘근 ,  박용주 ,  김은규

IPC: H01L21/66

Abstract: 본발명은반도체과도용량측정장비의온도조절장치에관한것으로, 외부케이스(12)의내측에설치된시료받침통(14)의하측으로냉각가스를유,출입시킬수 있도록내,외측관(18)(18')을설치하고, 시료받침통(14)의외측에는시료를가열하기위한밴드히터(15)를설치하여, 시료를시료받침통(14)에얹어놓는상태에서냉각가스를유출입시키거나밴드히터(15)를가열하여 77 K∼800 K까지온도를조절할수 있도록함으로서, 깊은준위결함에관한다양한정보를얻을수 있다.

公开(公告)号：KR100250953B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019970045523

申请日：1997-09-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기 ,  박영균 ,  손창식

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing fine quantum lines is provided to freely adjust the size of fine quantum lines upon formation of fine quantum lines. CONSTITUTION: A method for manufacturing fine quantum lines forms a groove of a specific shape on a substrate. Aluminum(Al) gallium(Ga) arsenide(As) having a step is formed on the substrate. A GaAs epitaxial layer is grown at the sidewall of the step using organic metal chemical deposition method. A growth control compound such as CCl4 or CBr4 for changing the growth rate of GaAs depending on the ratio of the concentration when the GaAs epitaxial layer is grown is injected. The GaAs epitaxial layer is grown at a specific temperature by injecting mixed 5-group elements and 3-group elements.

Abstract translation: 目的：提供精细量子线的制造方法，可以在形成微量子线时自由调节精细量子线的尺寸。 构成：用于制造精细量子线的方法在衬底上形成特定形状的沟槽。 在基板上形成具有台阶的铝（Al）镓（Ga）砷化物（As）。 使用有机金属化学沉积方法在台阶的侧壁处生长GaAs外延层。 注入用于根据GaAs外延层生长时的浓度比来改变GaAs的生长速度的诸如CCl4或CBr4的生长控制化合物。 GaAs外延层通过注入混合的5族元素和3族元素在特定温度下生长。

公开(公告)号：KR100239679B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970039811

申请日：1997-08-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기 ,  최원철

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y20/00

Abstract: 본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10
-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100234001B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960049916

申请日：1996-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  김태근

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/341 ,  H01S5/4043

Abstract: 본 발명은 양자세선 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 레이저 다이오드들은 활성층으로서의 전류주입을 증가시키기 위하여 레이저 구조 성장 후 비활성층 부분에 대한 이온주입 또는 절연층의 증착과 같은 후속공정을 필요로 하였는데, 이러한 후속공정은 레이저 다이오드의 제작을 복잡하게 할 뿐만 아니라 활성층 내의 광구속(Optical confinement) 계수의 감소로 인하여 레이저 다이오드의 특성을 저하시키는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 성장기판의 전도형과 반대 전도형의 에피층을 성장시키고 광리소그래피와 습식식각에 의해 기판 부분까지 V홈 패턴을 형성하여 전류차단층을 형성한 다음 V홈 패턴 위해 AlGaAs/GaAs의 양자세선 구조를 성장시키고 p와 n전극을 형성함으로써, 별도의 후속 공정없이 레이저 구조의 활성층으로만 전류의 유입이 가능하게 하여 낮은 문턱전류를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100219836B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019970005289

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  김춘근 ,  민석기

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점 구조를 형성하고 그 양자점 구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지 않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990070850A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005950

申请日：1998-02-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  손창식 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01L29/15

Abstract: 종래 기술을 이용하여 양자세선을 제작하면 양자세선의 모양이 초승달 모양으로 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작시에 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 단점을 가진다.
본 발명에서는 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄) 원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 Al
x Ga
1-x As/Al
y Ga
1-y As (x 〉y) 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께(thickness) 및 폭(width)을 정확하게 조절 할 수 있을 뿐 아니라 x 또는 y 값을 변화시켜서 다양한 폭 및 에너지 갭을 가지는 양자세선을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명을 이용하면 사각형 모양의 양자세선을 얻을 수 있고, 따라서 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 등 우수한 특성을 가진 양자세선의 제작이 가능하다.

公开(公告)号：KR100203376B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960011000

申请日：1996-04-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김성일 ,  김은규

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L21/02395 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  Y10S148/042 ,  Y10S148/05 ,  Y10S148/056 ,  Y10S148/168 ,  Y10S438/912 ,  Y10S438/915

Abstract: A fabrication method for a horizontal direction semiconductor PN junction array which can be achieved when an epitaxial layer is grown by a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD method) by introducing (or doping) a small amount of CCl4 or CBr4 gas, includes forming a recess on an N type GaAs substrate by using a non-planar growth, performing a growth method of a P type epitaxial layer on the N type GaAs substrate by a metalorganic chemical vapor deposition method, and forming a horizontal direction PN junction array of P-GaAs/N-GaAs or P-AlGaAs/N-GaAs by introducing a gas comprising CCl4 or CBr4 .

公开(公告)号：KR1019980068605A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005289

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  김춘근 ,  민석기

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점구조를 형성하고 그 양자점구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 출력시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980050586A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069421

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01S3/0941

Abstract: 본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가진 반광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300㎛) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO
2 )이나 실리콘질화박막(Si
3 N
4 )의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 있는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.
결국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광전소자의 광전변환 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방지할 수 있는 효과가 있다.