公开(公告)号：KR102227526B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020190115580

申请日：2019-09-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인수 ,  김영환 ,  이관일 ,  김춘근 ,  남병현 ,  김혜준

IPC: H01L51/00

Abstract: 본개시는, 기판을제공하는단계, 기판상에제1 페로브스카이트층을형성하는단계, 기판을기체상태의금속할라이드, 금속산화물, 금속황화물중 어느하나또는이들의조합에노출함으로써, 제1 페로브스카이트층 상에금속층을형성하는단계, 및금속층 상에할로겐화합물을공급하여, 금속층에포함된금속할라이드, 금속산화물, 금속황화물중 어느하나또는이들의조합과공급된할로겐화합물간의반응에의해, 제2 페로브스카이트층을형성하는단계를포함하는, 복층구조의페로브스카이트를제조하는방법을개시한다.

公开(公告)号：KR101450858B1

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：KR1020120152563

申请日：2012-12-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 신성범 ,  김성일 ,  김영환 ,  김춘근 ,  김정윤 ,  김용태

IPC: H01L51/50 ,  C01B31/02 ,  H05B33/10

Abstract: 본 발명은 그래핀 산화물을 이용한 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 양극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 음극이 적층되는 유기전계 발광소자에 있어서, 상기 정공주입층 또는 전자주입층 중 하나 이상이 그래핀 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 및 이의 제조방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100573380B1

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040118315

申请日：2004-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  김용태 ,  김영환 ,  김춘근 ,  염민수

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/10

公开(公告)号：KR1020050071954A

公开(公告)日：2005-07-08

申请号：KR1020040000357

申请日：2004-01-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김성일 ,  김춘근

IPC: H01L21/8239

Abstract: 본 발명은 상변화 물질의 접촉면적을 최대한 줄임으로써 저전력 및 고집적 특성을 갖는 상변화 물질을 이용한 상변화 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 절연막/하부전극/기판에 상변화 물질을 증착하고 건식 식각을 통해 수직으로 에칭하여 절연막/하부전극의 벽면을 따라 상변화 물질의 스페이서가 형성되도록 하여 하부전극의 두께로 상변화 물질의 접촉면적이 결정될 수 있도록 한다. 또한, 트렌치 구조의 내부에 하부전극을 형성하고 상변화 물질을 증착한 후 건식 식각을 통해 수직으로 에칭하여 절연막의 벽면을 따라 상변화 물질의 스페이서가 형성되도록 하여 상변화 물질의 두께로 상변화 물질의 접촉면적이 결정될 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR1020050021095A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020030059188

申请日：2003-08-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김성일 ,  김춘근 ,  심선일

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L29/6684 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/66575

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with high etch selectivity is provided to increase integration of a self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing a silicon substrate from being damaged by performing a dry etch process after a buffer layer with high etch selectivity is interposed between the silicon substrate and a ferroelectric layer. CONSTITUTION: A buffer layer(2) made of a material with high etch selectivity is formed on a silicon substrate(1). A ferroelectric layer and an upper electrode are formed on the buffer layer. The ferroelectric layer and the upper electrode except a portion corresponding to a gate(5) are etched. An etch process stops in the buffer layer. A source/drain is formed in a portion etched by an ion implantation process.

Abstract translation: 目的：提供使用具有高蚀刻选择性的缓冲层制造自对准铁电栅极晶体管的方法，以增加自对准铁电栅极晶体管的集成，同时防止硅衬底在经过干法蚀刻工艺之后被损坏 在硅衬底和铁电层之间插入具有高蚀刻选择性的缓冲层。 构成：在硅衬底（1）上形成由具有高蚀刻选择性的材料制成的缓冲层（2）。 在缓冲层上形成铁电体层和上部电极。 除了对应于栅极（5）的部分之外的铁电层和上电极被蚀刻。 蚀刻工艺在缓冲层中停止。 在通过离子注入工艺蚀刻的部分中形成源极/漏极。

公开(公告)号：KR1020020084524A

公开(公告)日：2002-11-09

申请号：KR1020010023860

申请日：2001-05-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  김춘근 ,  김용태 ,  김선호

IPC: B64C11/20

CPC classification number: Y02T50/44

Abstract: PURPOSE: A subminiature helicopter is provided to promote the manufacturing by making the structure and shape simplified and to precisely measure aeromechanic characteristic value of a subminiature helicopter. CONSTITUTION: A subminiature helicopter comprises a pair of blades(2) having sections of an airfoil shape, a rotor device(4) for giving driving force for rotation of the blades, a guide device, and a power source supply unit(10) for applying power source to the rotor device. The guide device prevents rotation of the rotor device and makes rectilinear movement of the rotor device possible together when the rotor device moves up and down by rotation of the blades. The guide device comprises a guide bracket(6) and a guide rod(8). The guide bracket is installed on the outer surface of the rotor device for rectilinear movement of the rotor device. The guide rod is installed vertically to guide the guide bracket up and down. The guide bracket comprises a pair of guide connection units extended from the rotor device and guide pipes installed to the upper and lower side of both ends of the guide connection units to reduce the weight of the helicopter.

Abstract translation: 目的：提供超小型直升机，通过使结构和形状简化，精确测量超小型直升机的机械特性值来促进制造。 构成：超小型直升机包括具有翼型形状的一对叶片（2），用于产生用于叶片旋转的驱动力的转子装置（4），导向装置和电源装置（10），用于 将电源施加到转子装置。 引导装置防止转子装置的旋转，并且当转子装置通过叶片的旋转而上下移动时，使转子装置的直线运动成为可能。 导向装置包括导向支架（6）和导杆（8）。 导向支架安装在转子装置的外表面上，用于转子装置的直线运动。 引导杆垂直安装，上下引导引导支架。 引导支架包括从转子装置延伸的一对引导连接单元和安装到引导连接单元两端的上侧和下侧的引导管，以减小直升机的重量。

公开(公告)号：KR100279052B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019970057883

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  이호녕 ,  김춘근

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115

Abstract: 반도체표면에 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 이중막을 형성시키고 이중막의 강유전체인 SrBi
2 Ta
2 O
9 막상에 백금전극을 부착하며, 상기 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 /Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전계효과트랜지스터의 게이트로 이용하므로서 커패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET)기억소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR100279055B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990001045

申请日：1999-01-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김춘근 ,  박용주 ,  김은규

IPC: H01L21/66

Abstract: 본발명은반도체과도용량측정장비의온도조절장치에관한것으로, 외부케이스(12)의내측에설치된시료받침통(14)의하측으로냉각가스를유,출입시킬수 있도록내,외측관(18)(18')을설치하고, 시료받침통(14)의외측에는시료를가열하기위한밴드히터(15)를설치하여, 시료를시료받침통(14)에얹어놓는상태에서냉각가스를유출입시키거나밴드히터(15)를가열하여 77 K∼800 K까지온도를조절할수 있도록함으로서, 깊은준위결함에관한다양한정보를얻을수 있다.

公开(公告)号：KR100219836B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019970005289

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  김춘근 ,  민석기

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점 구조를 형성하고 그 양자점 구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지 않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980068605A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005289

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  김춘근 ,  민석기

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점구조를 형성하고 그 양자점구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 출력시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.