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公开(公告)号：KR101436925B1
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130074764
申请日：2013-06-27
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A sensor apparatus comprises: a sensor body with an optical fiber where multiple grids are formed in the longitudinal direction; an optical source which generates first incidence light and second incidence light with a different wavelength from each other, and induces the incidence to the optical fiber; and an optical analyzer which analyzes a wavelength signal of the light. The first incidence light forms refractive detection reflected light by being interfered or reflected by the multiple grids. The second incidence light forms second reflected light by being reflected from an outside obstacle after being outputted from a light outlet of the optical fiber. The second reflected light forms distance detection reflected light by being interfered by reference reflected light which is formed by the reflection of the second incidence light from a reference surface. The optical analyzer detects reflective states of the sensor body by detecting changes in the wavelength band of the refractive detection reflected light, and detects a distance between the sensor body and the obstacle by detecting the wavelength band of the distance detection reflected light.
Abstract translation: 传感器装置包括：具有光纤的传感器主体，其中在纵向上形成多个格栅; 产生彼此具有不同波长的第一入射光和第二入射光的光源，并且引入光纤的入射; 以及分析光的波长信号的光学分析仪。 第一入射光通过被多个网格干涉或反射而形成折射检测反射光。 第二入射光在从光纤的光出口输出之后从外部障碍物反射而形成第二反射光。 第二反射光通过被来自参考表面的第二入射光的反射形成的参考反射光的干扰而形成距离检测反射光。 光学分析仪通过检测折射检测反射光的波长带的变化来检测传感器体的反射状态，并且通过检测距离检测反射光的波长带来检测传感器本体与障碍物之间的距离。
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公开(公告)号：KR101424603B1
公开(公告)日：2014-08-04
申请号：KR1020130108576
申请日：2013-09-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , C01B32/184 , C01B32/23 , H01L21/02527 , H01L21/02628 , H01L27/1292 , H01L29/0692 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78684
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a thin film transistor. The present invention provides a single-process method of manufacturing a thin film transistor which includes a step of preparing ink containing a solution in which graphene oxide, reduced graphene oxide, or the combination of the two is diffused; a step of forming the ink in a pattern on a substrate; a step of forming a source electrode and a drain electrode placed at the edge of the pattern by the coffee ring effect; and a step of forming a semiconductor channel between the source electrode and drain electrode.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。 本发明提供一种制造薄膜晶体管的单工艺方法，其包括制备含有氧化石墨烯，氧化还原型石墨烯或二者的组合扩散的溶液的油墨的步骤; 在基板上形成图案的墨水的步骤; 通过咖啡环效应形成位于图案边缘处的源电极和漏电极的步骤; 以及在源极和漏极之间形成半导体沟道的步骤。
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公开(公告)号：KR101350264B1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120042821
申请日：2012-04-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N21/412 , G01N21/77 , G01N2021/7776 , G01N2021/7779
Abstract: 본 명세서는, 광원에서 형성된 빛에 대하여 광섬유 패브리-페롯 간섭계의 원리에 의한 간섭파를 형성하는 헤더부, 및 상기 간섭파의 스펙트럼 주기 변화 여부를 기초로 산소의 존재 여부를 판단하는 광 스펙트럼 분석기를 포함하되, 상기 헤더부는, 상기 산소와의 결합에 의하여 유효 굴절률이 변화하는 감지 물질을 포함하고, 상기 간섭파는, 상기 감지 물질의 유효 굴절률 변화에 따라 상기 스펙트럼 주기가 변화하는 것을 특징으로 하는 산소 감지 장치에 관한 것이다.
또한, 본 명세서는, 산소를 검출하는 산소 감지 장치에 있어서, 빛의 전반사를 이용하여 광원에서 형성된 빛의 이동 경로를 제공하는 광섬유 또는 광 도파로, 상기 광섬유 또는 광 도파로의 끝단에 도포 되어 광섬유 패브리-페롯 간섭계의 두 막으로써 기능 하는 고분자 물질, 및 상기 고분자 물질의 표면에 코팅되고, 상기 광섬유를 통해 입사된 상기 광원에서 형성된 빛에 대하여 광섬유 패브리-페롯 간섭계의 원리에 의한 간섭파를 형성하는 감지 물질을 포함하되, 상기 감지 물질은, 상기 산소와 결합하여 유효 굴절률이 변화하고, 상기 간섭파는, 상기 감지 물질의 유효 굴절률 변화에 따라 스펙트럼 주기가 변화하는 것을 특징으로 하는 산소 감지 장치의 헤더부에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020130085260A
公开(公告)日：2013-07-29
申请号：KR1020120006294
申请日：2012-01-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B22F3/1055 , B33Y10/00 , H05K3/12
Abstract: PURPOSE: A pattern sintering device and a selective sintering method of a pattern are provided to prevent the deformation of a substrate by controlling a conductive pattern to be stably absorbed at the substrate. CONSTITUTION: A pattern forming part (200) forms a pattern at a substrate. The pattern comprises at least one material. A light irradiating part (300) irradiates light to the pattern. A light filter (600) is positioned in the path of the light. The light filter selectively controls the wavelength of the light. [Reference numerals] (200) Pattern forming part; (400) Change measuring part; (510) Roller control part; (520) Light control part; (530) Central control part
Abstract translation: 目的：提供图案烧结装置和图案的选择性烧结方法，以通过控制在基板上稳定吸收的导电图案来防止基板的变形。 构成：图案形成部（200）在基板上形成图案。 图案包括至少一种材料。 光照射部（300）将光照射到图案上。 光过滤器（600）位于光的路径中。 光滤光器选择性地控制光的波长。 （附图标记）（200）图案形成部; （400）更换测量部件; （510）滚子控制部; （520）光控制部; （530）中央控制部分
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公开(公告)号：KR101250512B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020110122301
申请日：2011-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic solar cell using a white light pulse is provided to improve the efficiency of a solar cell by quickly forming a photoactive layer. CONSTITUTION: A substrate is prepared. An anode electrode is formed on a substrate. An organic photoelectric conversion layer is formed on the anode electrode. The organic photoactive conversion layer is optically processed. A cathode electrode is formed on the organic photoelectric conversion layer. [Reference numerals] (AA) Comparative embodiment 1; (BB) Embodiment 1; (CC) Comparative embodiment 2;
Abstract translation: 目的：提供使用白光脉冲制造有机太阳能电池的方法，以通过快速形成光活性层来提高太阳能电池的效率。 构成：制备底物。 在基板上形成阳极电极。 在阳极上形成有机光电转换层。 光学处理有机光活性转换层。 在有机光电转换层上形成阴极电极。 （附图标记）（AA）比较实施例1; （BB）实施例1; （CC）比较实施例2;
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Patent Agency Ranking26.发明公开태양전지용 광흡수층 제조 방법, 이를 이용한 박막형 태양전지의 제조 방법 및 이를 이용한 박막형 태양전지 无效用于制造太阳能电池的光吸收层的方法，使用其制造薄膜太阳能电池的方法和使用其的薄膜太阳能电池
公开(公告)号：KR1020120135833A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020110054772
申请日：2011-06-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light absorption layer, a method for manufacturing a thin-film solar cell using the same, and the thin-film solar cell are provided to produce an environment-friendly product by omitting a selenization process. CONSTITUTION: An alloy particle and a chalcogen element are included in a metal particle. The metal particle is coated on a substrate. The metal particle coated on substrate is light-sintered. The alloy particle is composed of a CuIn1-xGax element. A Se element is included in the metal particle which includes the chalcogen element.
Abstract translation: 目的：提供一种光吸收层的制造方法，使用其的薄膜太阳能电池的制造方法以及薄膜太阳能电池，通过省略硒化工序来制造环保产品。 构成：金属颗粒中包含合金颗粒和硫属元素。 将金属颗粒涂覆在基材上。 涂覆在基材上的金属颗粒是轻烧结的。 合金颗粒由CuIn1-xGax元素组成。 包含硫族元素的金属颗粒中包含Se元素。
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公开(公告)号：KR101207945B1
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020110040382
申请日：2011-04-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명의일 실시예는단일벽탄소나노튜브 (SWNT)를이용하여펨토초의초고속펄스레이저를제조하는데있어서, SWNT가안정적으로동작하며, 열적으로도내성을갖게되어고출력레이저작동이가능해지는방법을제공한다. 상기레이저펄스는포화흡수체 (saturable absorber)에의한모드잠김 (mode-locking) 현상에의해형성되며, 상기포화흡수체는실리카호스트내에분산된 SWNT의광학적비선형현상을기초로하고, 상기포화흡수체의제조는상온에서동작하는에어로졸증착 (aerosol deposition; AD)법에의한다. 상기실리카-SWNT 복합체를제조하는 AD법은, 볼밀링(ball miling)을이용하여실리카분말과 SWNT의혼합물을준비하는단계와; 상기실리카분말과 SWNT의혼합물을출발파우더로서, 상온에서노즐을통해광섬유페룰의끝면에반복적으로분사하는단계와; 상기페룰의끝면에일정한두께의필름형태로코팅되도록상기반복횟수및 상기왕복운동의속도를조절하는단계를포함할수 있다. 상기필름의두께는상기혼합물의밀도와분사시간과분사위치의이동속도에의해서조절될수 있다. 상기 AD법은용매가필요없는건식방법으로진행되므로, 세라믹, 금속, 폴리머등 임의의성분을첨가하여생성되는필름의성분은조절할수 있다.
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公开(公告)号：KR101091609B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020090050410
申请日：2009-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 실시예들은 나노선, 그 제조 장치 및 방법에 관한 것이다. 나노선은 은 및 III족 원소에 의하여 도핑된 산화아연으로 이루어질 수 있다. 나노선 제조 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 기판; 상기 챔버 내에 상기 기판과 인접하여 위치하며 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질; 상기 챔버를 가열하는 가열기; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하는 레이저 발생기를 포함할 수 있다. 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
나노선, 은, 알루미늄, III족, 코도핑, 산화아연-
29.发明公开상온에서 증착된 Ｍｇ２Ｈｆ５Ｏ１２를 포함하는 유전체 박막, 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법 有权室温烧结MG2HF5O12介电膜，电容器和晶体管组成的MG2HF5O12介电膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110081685A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001962
申请日：2010-01-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01B3/10 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/108 , H01L21/02225 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L29/41725 , H01L29/42312 , H01L29/4232 , H01L29/78696 , H01L2924/01012
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dielectric thin film is provided to form an Mg2Hf5O12 dielectric thin film with low leakage current, high breakdown voltage properties at room temperature by a sputtering method. CONSTITUTION: A dielectric thin film comprises Mg2Hf5O12, MgO and Mg2Hf5O12, or HfO2 and Mg2Hf5O12. A method for preparing the dielectric thin film comprises the steps of: (i) mixing an MgO powder and a HfO2 powder and calcining the mixture at high temperature to form an MgO-HfO2 composite; (ii) pulverizing and molding the MgO-HfO2 composite and sintering the molded material at high temperature to form an MgO-HfO2 sputtering target; and (iii) forming a thin film using the MgO-HfO2 sputtering target by a sputtering method.
Abstract translation: 目的：提供一种制造电介质薄膜的方法，通过溅射法在室温下形成具有低漏电流，高耐压特性的Mg2Hf5O12电介质薄膜。 构成：介电薄膜包括Mg2Hf5O12，MgO和Mg2Hf5O12，或HfO2和Mg2Hf5O12。 制备电介质薄膜的方法包括以下步骤：（i）将MgO粉末和HfO 2粉末混合并在高温下煅烧混合物以形成MgO-HfO 2复合材料; （ii）粉碎和模塑MgO-HfO 2复合材料并在高温下烧结模塑材料以形成MgO-HfO 2溅射靶; 和（iii）通过溅射法使用MgO-HfO 2溅射靶形成薄膜。
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30.发明授权
公开(公告)号：KR101045563B1
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：KR1020090118062
申请日：2009-12-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G9/04
Abstract: 본 발명은 박층을 포함하는 전극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 집전체와, 표면에 금속산화물 박막이 코팅된 카본 입자를 포함하는, 상기 집전체 상에 형성되어 있는 박층을 포함하는 전극과 (a) 용매에 금속산화물 전구체와 카본 입자를 분산시켜 분산액을 준비하는 단계 (b) 집전체 상에 상기 분산액을 전기 분사하여, 표면에 금속산화물 전구체 박막이 코팅된 카본 입자를 포함하는 박층을 형성하는 단계 및 (c) 상기 박층을 열처리하여, 표면에 금속산화물 박막이 코팅된 카본 입자를 포함하는 박층을 형성하는 단계를 포함하는 전극 제조방법과 상기 (c) 단계 이후에 (d) 상기 박층을 열압착하는 단계를 더 포함하는 전극 제조방법에 관한 것이다.
전기화학 캐퍼시터, 전기 분사, 카본 입자, 금속산화물 박막, 금속산화물 전구체Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种电极，该电极包含集电体和在该集电体上形成的薄层，该薄层包括在表面上涂覆有金属氧化物薄膜的碳颗粒， ），步骤（b）容纳所述电喷雾整个图像上的分散体，包括：形成一薄层含有碳颗粒，通过分散制得由金属氧化物前体和在溶剂中的碳颗粒分散在表面上涂布的金属氧化物前体的薄膜 （c）对该薄层进行热处理，以形成含有在其表面上涂有金属氧化物薄膜的碳颗粒的薄层;以及（d）在步骤（d）之后， 一种电极制造方法。
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