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公开(公告)号：KR100361034B1
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：KR1020000078679
申请日：2000-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드(AND) 논리 연산방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 비선형 특성을 갖는 마하젠더 간섭계 형태의 반도체 광증폭기로 구성된 XPM 파장변환기를 이용하여 소형이면서 작은 입력강도의 초고속 논리연산을 구현토록 하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 일정 수준의 연산속도를 구현하기 위한 광펄스를 생성하는 광섬유 모드록 레이저와; 광출력을 감쇠시키는 광 감쇠기와; 다중화기와; 제 1광지연선로와; 50 : 50으로 광세기를 분리시키는 3-dB 광섬유커플러와; 최대의 광파장 효율을 얻기 위한 편광상태를 맞추기 위한 편광조절기와; 제 2광지연선로와; 광파장을 전송시키는 광 격리기와; XPM 파장변환기와; 어븀첨가광증폭기와; 광파장 필터와; 광신호분석기를 포함하여 구성됨으로서
상기 XPM 파장변환기에서 도파로 부분의 전류를 조절하여 신호 A의 출력이 정상적으로 신호 C로 출력되도록 간섭계를 구성하는 두 도파로의 전류를 조절하고, 신호 A의 지연시간을 적절히 조절하여 신호 B와 동조시킴으로서 앤드(AND) 논리 연산을 수행하는 것을 특징으로 하는 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드 논리 연산방법이 제시된다.-
公开(公告)号：KR100351197B1
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020000046490
申请日：2000-08-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 금속이온을 포함하는 플라즈마를 이용한 금속박막 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 금속이온이 포함된 플라즈마에 기판을 노출시키되, 상기 기판에 수∼수십 kV대의 음의 고전압을 인가함으로써 상기 기판 표면에 금속이온주입에 따른 동적 이온선 혼합 효과에 의한 계면 혼합층을 형성시킨 후 금속박막을 증착시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래와 같이 접착력의 개선을 위한 별도의 전처리 공정을 행하지 않고도 단 한번의 스텝(step)으로 접착력이 개선된 금속박막을 형성시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020013992A
公开(公告)日：2002-02-25
申请号：KR1020000046490
申请日：2000-08-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal thin film using plasma including a metal ion is provided to improve adhesion of the metal thin film, by making the metal ion implanted into a substrate in an initial state of a deposition process so that an interface composite layer is formed. CONSTITUTION: The substrate is exposed to the plasma including the metal ion, and a negative voltage is applied to the substrate. The metal thin film(102) is deposited after the interface composite layer(100) caused by a dynamic ion mixing effect according to the injection of the metal ion is formed on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供使用包含金属离子的等离子体形成金属薄膜的方法，以通过在沉积工艺的初始状态下将金属离子注入到基板中，从而提高金属薄膜的粘合性，使得界面复合层 形成了。 构成：将衬底暴露于包括金属离子的等离子体，并向衬底施加负电压。 根据在基板上形成金属离子的注入，通过动态离子混合效应在界面复合层（100）之后，沉积金属薄膜（102）。
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公开(公告)号：KR1020020007881A
公开(公告)日：2002-01-29
申请号：KR1020000041408
申请日：2000-07-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M10/38
Abstract: PURPOSE: A method for producing a lithium phosphate sputtering target for an electrolyte of a thin film cell is provided to improve the quality of the lithium phosphate target for producing LiPON showing excellent properties as an electrolyte of thin film cell. CONSTITUTION: The method includes (a) calcining powders of lithium phosphate at a temperature range of 600 to 950 deg.C; (b) pulverizing the calcined powders; (c) compress molding the pulverized powder; and (d) sintering the molded body at a temperature range of 500 to 1500 deg.C. The method can further comprise a step of adding a binder to improve the molding before the compress molding in the step (c). The powder of lithium phosphate is represented by LixPyO4, in which x is 2.5 or more and 3.5 or less and y is 0.7 or more and 1.3 or less.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜电池用电解质的磷酸锂溅射靶的方法，以提高作为薄膜电池的电解质的显示出优异性能的LiPON的磷酸锂靶的质量。 构成：该方法包括（a）在600〜950℃的温度范围内煅烧磷酸锂粉末; （b）粉碎煅烧粉末; （c）压缩粉碎粉末; 和（d）在500〜1500℃的温度范围内烧结成型体。 该方法还可以包括在步骤（c）中在压缩成型之前添加粘合剂以改善模塑的步骤。 磷酸锂粉末由LixPyO4表示，其中x为2.5以上且3.5以下，y为0.7以上且1.3以下。
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公开(公告)号：KR101934569B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020170126389
申请日：2017-09-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/0376
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101797117B1
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：KR1020150133469
申请日：2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170035009A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150133469
申请日：2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明是在以下步骤的闪光灯，超薄硅晶片上涂布掺杂源层的图案化步骤，所述掺杂剂源层，图案化的掺杂的源极层以粘合处理晶片和超薄硅晶片（闪光灯） 扩散掺杂剂的步骤照射robit到超薄硅晶片，移除图案化掺杂的源极层，和形成超薄硅晶片上的钝化层，和图案化，以使所述掺杂物暴露于扩散区域 步骤和用于制造超薄硅太阳能电池包括掺杂剂形成在扩散区上的电极的步骤提供了一种方法。
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公开(公告)号：KR101575854B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140085341
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
Abstract: 태양전지용웨이퍼구조체는초박형웨이퍼; 및광 흡수를증가시키기위해상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를포함하되, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다. 또한, 태양전지용웨이퍼구조체의제조방법은초박형웨이퍼의표면에에치(etch) 마스크또는금속촉매박막을형성하는단계; 상기마스크또는금속촉매박막이형성된상기초박형웨이퍼를에칭하는단계; 및상기에치마스크또는금속촉매박막을제거함으로써, 상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를형성하는단계;를포함하되, 나노리소그라피(nanolithography)를이용하며, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다.
Abstract translation: 用于太阳能电池的晶片结构包括超薄型晶片和周期性地布置在超薄型晶片的表面上以增加光吸收的多个纳米结构。 纳米结构呈盘状。 此外，制造太阳能电池的晶片结构的方法包括：在超薄型晶片的表面上形成蚀刻掩模或金属催化剂薄膜的步骤; 蚀刻其上形成有掩模或金属催化剂薄膜的超薄型晶片的步骤; 以及通过去除蚀刻掩模或金属催化剂薄膜来形成周期性地设置在超薄型晶片的表面上的多个纳米结构的步骤。 使用纳米光刻制造晶片结构; 并且纳米结构是盘的形状。
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公开(公告)号：KR1020080069288A
公开(公告)日：2008-07-28
申请号：KR1020070006794
申请日：2007-01-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A method for manufacturing a multi-quantum-well structure epilayer for an integrated optical device is provided to improve intensity of PL and to reduce noise by re-crystallizing defective crystals. A method for manufacturing a multi-quantum-well structure epilayer for an integrated optical device comprises the steps: implanting an ion to a lattice matched multi-quantum-well substrate; evaporating a SiO2 thing film on the uppermost layer of the epilayer; and progressing a heat treatment for two times with different temperature of heats for the multi-quantum-well substrate.
Abstract translation: 提供了一种用于集成光学器件的多量子阱结构外延层的制造方法，以改善PL的强度并通过重新结晶有缺陷的晶体来降低噪声。 一种用于集成光学器件的多量子阱结构外延层的制造方法包括以下步骤：将离子注入到晶格匹配的多量子阱衬底中; 在外延层的最上层蒸发SiO2物质膜; 并且对于多量子阱基板，用不同的加热温度进行两次热处理。
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公开(公告)号：KR100714974B1
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020060044936
申请日：2006-05-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법에 관한 것이다. 더 자세하게는 산화아연 박막에 주입된 코발트 클러스터에 수백 MeV의 고에너지를 가진 중(重)이온을 소정의 이온선량으로 조사하여 단시간 내에 상기 코발트 클러스터를 분해시킨 다음 산화아연의 격자 내에 고용시킴으로써 우수한 강자성 특성을 나타내는 코발트가 주입된 산화아연 박막을 상온에서 제작하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 산화아연 박막을 플라즈마 보조 분자선 증착법(plasma assisted molecular beam epitaxy, PA-MBE)으로 단결정 기판 위에 증착하는 단계와; 상기 증착된 산화아연 박막에 코발트 이온을 소정 이온선량으로 주입하는 단계와; 상기 코발트가 주입된 산화아연 박막에 상온에서 고에너지를 가진 중이온을 소정 이온선량으로 조사하는 단계를 포함하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법이 제시된다.
코발트 주입 산화아연 반도체, 은 이온 조사, 자화이력, 항전계, 강자성, DMS(diluted magnetic semiconductor)Abstract translation: 本发明涉及一种在室温下制造铁磁氧化锌半导体薄膜的方法。 更特别是在以下的氧化锌的晶格优良铁磁通过就业照射（重）与几百MeV的高能量的离子与钴簇通过在短时间内分解钴簇注入到氧化锌薄膜具有预定的离子剂量的 本发明涉及一种在室温下制造掺杂有钴的氧化锌薄膜的方法。
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