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公开(公告)号：KR1020030003938A
公开(公告)日：2003-01-14
申请号：KR1020010039808
申请日：2001-07-04
IPC: C01B13/10
CPC classification number: C01B13/11 , C01B2201/90
Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for controlling the amount of ozone production using dual frequencies especially in ozone generator adopting silent discharge are provided, which control ON/OFF time ratio of high frequency and high voltage pulse according to ON/OFF time ratio of other frequency which is relatively lower than frequency of high frequency and high voltage pulse, thus can obtain ozone generation rate changeable lineally according to control input signal. CONSTITUTION: The method for controlling the amount of ozone production using dual frequencies includes the steps of generating a first signal of direct voltage of 5V to 10 V for controlling ozone generation rate; generating a second signal having ON/OFF time ratio in response to the first signal; generating a third signal of pulse signal having frequency of 1 Hz to 5 kHz having ON/OFF time ratio in response to the second signal; generating a fourth signal of pulse signal having 1 kHz to 50 kHz; and controlling the ON/OFF time ratio of the fourth signal to change according to the ON/OFF signal of the third signal.
Abstract translation: 目的：提供一种使用双频进行臭氧发生量控制的方法和装置，特别是采用静音放电的臭氧发生器，根据其他频率的ON / OFF时间比，控制高频和高压脉冲的ON / OFF时间比 其频率相对低于高频和高压脉冲的频率，从而可以根据控制输入信号线性地改变臭氧发生率。 构成：使用双频控制臭氧产生量的方法包括以下步骤：产生5V至10V的直流电压的第一信号以控制臭氧产生速率; 响应于第一信号产生具有ON / OFF时间比的第二信号; 产生响应于第二信号的具有ON / OFF时间比的频率为1Hz至5kHz的脉冲信号的第三信号; 产生1kHz至50kHz的脉冲信号的第四信号; 以及根据第三信号的ON / OFF信号控制第四信号的ON / OFF时间比改变。
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公开(公告)号：KR1019970073239A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960010740
申请日：1996-04-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05H1/00
Abstract: 본 발명은 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 시료를 위치시키고, 진공조 내에 가스를 도입하여 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키고, 부(-)의 고전압 펄스를 시료에 가하여, 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 고분자 시료의 표면에 주입되도록 하는 것이 특징인 소분자 소재의 표면 개질 방법 및 그를 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 따르면, 입사되는 이온의 에너지가 종래의 플라즈마를 이용한 고분자 표면 개질 방법에서의 이온 에너지보다 매우 높으므로 표면 개질 효율이 탁월하고 표면 이하 깊은 층까지 개질시킬 수 있어 처리 후 시간에 따른 표면 특성 저하를 효과적으로 방지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 고분자 표면 개질 방법은 대면적이 시료를 단시간내에 용이하게 균일 처리할 수 있으며, 고전압 펄스를 조절하여 이온 에너지를 쉽게 변화시킬 수 있을 뿐 아니라 장치의 구조 또한 매우 단순화시키므로 대량 생산 장치에 유리하다.
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公开(公告)号：KR101907143B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101649746B1
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020110006123
申请日：2011-01-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은인공관절용고분자소재의마모량감소를목적으로, 상대재인금속소재의관절표면층에세라믹박막을효율적으로증착하기위하여고안된것으로, 고분자소재의마모량을더욱감소시키기위해박막의증착전에이온주입을수행하는방법, 세라믹박막을증착하는방법, 그리고세라믹박막과금속소재사이의접합력을증진시키기위해박막의증착과동시에이온주입을수행하는방법및 그장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101535000B1
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020140001888
申请日：2014-01-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L51/4213 , H01L2031/0344
Abstract: 유무기하이브리드적층형태양전지가개시된다. 유무기하이브리드적층형태양전지는제1 무기태양전지유닛, 제2 무기태양전지유닛, 중간전극층및 유기태양전지유닛을구비한다. 제1 무기태양전지유닛의제1 p-형반도체층은 p-형불순물이도핑된비정질수소화실리콘으로이루어진제1 박막및 p-형불순물이도핑된비정질수소화실리콘산화물로이루어진제2 박막을구비한다. 이러한유무기하이브리드적층형태양전지는개방전압(Voc)을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 公开了一种有机和无机混合串联太阳能电池。 有机和无机混合串联太阳能电池包括第一无机太阳能电池单元，第二无机太阳能电池单元，中间电极层和有机太阳能电池单元。 第一无机太阳能电池单元的第一p型半导体层包括由掺杂有p型杂质的非晶氢化硅制成的第一薄膜和由掺杂有p型杂质的非晶氢化氧化物制成的第二薄膜， 型杂质。 有机和无机混合串联太阳能电池提高开路电压（Voc）。
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公开(公告)号：KR1020150059432A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有优异性能的抗反射膜的制造方法，以及由该反射膜制造的防反射膜，以提高入射光的利用率，同时随着反射率的降低和作为多孔的入射光的透射率的增加 氧化硅薄膜通过大输出脉冲溅射法沉积在玻璃基板的表面上。 根据本发明，在通过磁控溅射将抗反射膜沉积在基板上时，施加到沉积源的脉冲直流电力的峰值功率密度为0.1-10kW / cm 2。 根据本发明，多孔氧化硅薄膜在薄膜内部包含大量孔，以减少薄膜的反射率，从而起反射膜的作用，通过反射率的降低改善了入射光的利用率， 入射光透过率的增加。
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公开(公告)号：KR101503000B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130125355
申请日：2013-10-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층(strain-relaxed SiGe buffer layer) 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 실리콘-게르마늄 버퍼층에 관한 것이다, 본 발명은 게르마늄(Ge)을 실리콘 웨이퍼에 직접 플라즈마 이온주입하고 후속 열처리 공정을 이용함으로써, 기존의 제작 방법에 비하여 매우 간단한 공정으로 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층을 제조하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造应变松弛Si-Ge缓冲层和由其制成的Si-Ge缓冲层的方法。 与现有的制造方法相比，本发明通过简单的工艺制造应变松弛的Si-Ge缓冲层，其通过在硅晶片中直接注入等离子体离子中的Ge并使用后热处理工艺。
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公开(公告)号：KR1020150021776A
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020130099157
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/358 , G02B1/115
Abstract: 광투과율이 우수한 반사방지막의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 반사방지막에 관한 것이다. 본 발명은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 기판상에 반사방지막을 형성하는 함에 있어서, 진공조 내부의 가스 공정 압력이 20 ~ 200 mTorr 이고, 상기 반사방지막은 다공성 박막인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 20~ 200 mTorr의 높은 공정압력에서 마그네트론 증착원을 이용한 반응성 증착으로 다공성 박막을 증착하게 되면, 박막의 기공 형성에 의해 유리 기판의 반사율이 감소하고 투과율이 증가할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 반사방지막을 비정질 실리콘 태양전지에 적용하면 에너지 변환효율을 증가시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 다층 반사방지막 방법 또는 글랜싱 앵글 증착 방법이 아닌, 하나의 진공조 내에서 높은 공정 압력 조건에서 다공성 산화규소 박막을 유리 기판에 증착할 수 있기 때문에, 한층 간단한 방법으로 별도의 과정 없이 비정질 실리콘 박막 태양전지의 유리 기판에 반사방지막을 제작할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过该方法制造的具有优异透光性的抗反射膜和抗反射膜的制造方法。 通过使用磁控溅射法在基板上形成防反射膜。 真空室中的工艺气体压力为20-200mTorr，防反射膜为多孔薄膜。 根据本发明，如果在20-200mTorr的高工艺压力下通过使用磁控管沉积源的反应沉积法沉积多孔薄膜，则玻璃基板的反射率可以降低，透光率可以是 由薄膜的孔形成增加。 此外，当将本发明的抗反射膜应用于硅太阳能电池时，可以提高能量转换效率。 此外，根据本发明，不使用多层防反射膜法或扫视角淀积法，在玻璃基板上，在高压处理条件下，可以在玻璃基板上沉积多孔氧化硅膜 真空室，因此无需额外的工艺，可以在非晶硅薄膜太阳能电池的玻璃基板上制造防反射膜。
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