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公开(公告)号：KR101878926B1
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：KR1020120127619
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은듀얼모드디스플레이장치및 그의제조방법을개시한다. 그의장치는, 하부기판과, 상기하부기판상의제 1 하부전극과, 상기제 1 하부전극상의광 스위칭층과, 상기광 스위칭층 상의제 1 상부전극과, 상기제 1 상부전극층 상의보호층과, 상기제 1 상부전극에연결되고, 상기보호층을관통하는콘택플러그와, 상기콘택플러그및 상기보호층 상의제 2 하부전극과, 상기제 2 하부전극상의유기발광층과, 상기유기발광층 상의제 2 상부전극과, 상기제 2 상부전극상의상부기판을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160110664A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033292
申请日：2015-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/155 , G02F1/15 , G02F1/153 , G02F1/157 , G02F2001/1552 , G02F2001/1555 , G02F2201/44 , G09G3/38 , H01L27/3232 , H01L27/3267 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088
Abstract: 서로대향하여배치되는제 1 기판및 제 2 기판, 상기제 1 기판과상기제 2 기판사이에순차적으로적층되는제 1 전극, 전기변색층, 공통전극, 발광부및 제 2 전극을포함하고, 상기제 1 전극과상기전기변색층사이, 및상기전기변색층과상기공통전극사이중 어느하나에배치되는유기층을포함하는복합표시소자를제공한다. 본발명의실시예들에따른복합표시소자의상기유기층은정공주입물질, 정공수송물질및 이들의혼합물중 적어도하나를포함할수 있다. 또는, 상기유기층은전자주입물질, 전자수송물질및 이들의혼합물질중 적어도하나를포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了具有优异的加工性能和改进的低功率驱动性能的复合显示装置。 复合显示装置包括：布置成彼此面对的第一和第二基板; 第一电极，电致变色层，公共电极，发光单元和顺序堆叠在第一和第二基板之间的第二电极; 以及布置在第一电极和电致变色层之间或者在电致变色层和公共电极之间的有机层。 根据本发明的实施例，复合显示装置的有机层可以包括空穴注入材料，空穴转移材料以及空穴注入材料和空穴转移材料的混合物中的至少一种，或者可以包括在 电子注入材料，电子转移材料以及电子注入材料和电子转移材料的混合物中的至少一种。
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公开(公告)号：KR1020130130610A
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120127619
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/3241 , G09F9/301 , G09G3/3208 , H01L27/3274 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/566
Abstract: In the present invention, disclosed are a dual mode display device and a manufacturing method thereof. The dual mode display device includes a bottom substrate, a first bottom electrode which is formed on the bottom substrate, an optical switching layer which is formed on the first bottom electrode, a first top electrode which is formed on the optical switching layer, a protection layer which is formed on the first top electrode layer, a contact plug which is connected to the first top electrode and passes through the protection layer, a second bottom electrode which is formed on the contact plug and the protection layer, an organic light emitting layer which is formed on the second bottom electrode, a second top electrode which is formed on the organic light emitting layer, and a top substrate which is formed on the second top electrode.
Abstract translation: 在本发明中，公开了双模显示装置及其制造方法。 双模显示装置包括底部基板，形成在底部基板上的第一底部电极，形成在第一底部电极上的光学开关层，形成在光学开关层上的第一顶部电极，保护层 形成在第一顶部电极层上的层，与第一顶部电极连接并通过保护层的接触插塞，形成在接触插塞和保护层上的第二底部电极，有机发光层 其形成在第二底部电极上，形成在有机发光层上的第二顶部电极和形成在第二顶部电极上的顶部基板。
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公开(公告)号：KR1020130022438A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020110083618
申请日：2011-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , C23C16/325 , C23C16/24 , C23C16/50
Abstract: PURPOSE: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon is provided to increase the luminous efficiency of the silicon carbide film applied to the next generation solar cell field by forming the silicon carbide film with the nanocrystalline silicon. CONSTITUTION: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon uses plasma gas including methane(CH4) gas and silane(SiH) gas. The silicon carbide film(110) comprises silicon carbide(SiC) or silicon oxycarbide(SiOC). The silicon carbide film and the nanocrystalline silicon(120) are formed simultaneously.
Abstract translation: 目的：提供具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法，以通过与纳米晶硅形成碳化硅膜来增加施加到下一代太阳能电池领域的碳化硅膜的发光效率。 构成：具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法使用包括甲烷（CH 4）气体和硅烷（SiH））气体在内的等离子体气体。 碳化硅膜（110）包括碳化硅（SiC）或碳氧化硅（SiOC）。 碳化硅膜和纳米晶硅（120）同时形成。
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公开(公告)号：KR101204338B1
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR1020090027376
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B32B27/28
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 유기 박막 트랜지스터에서는 고유전율의 친수성 고분자와 저유전율의 소수성 고분자를 동시에 포함하는 이중 블록 공중합체가 라멜라 구조로 유기 절연막으로 사용되므로, 박막을 구현할 수 있어 문턱전압과 구동전압을 동시에 낮출 수 있다. 또한 이의 제조 방법에서는, 한번의 스핀 코팅에 의해 두가지 물성이 다른 고분자 절연막을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화할 수 있다.
이중 블록 공중합체, 유기 박막 트랜지스터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120106521A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110069863
申请日：2011-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A flexible flat cable and a manufacturing method thereof are provided to minimize distortion and interference of signals by surrounding a wire core with shield coating layers made of metal components, and insulation coating layers made of parylene polymers. CONSTITUTION: A flexible flat cable(100) includes insulation coating layers(20) made of parylene polymers and shield coating layers(30) made of metal components surrounding a wire core(10). The insulation coating layer increases insulation properties between the wire cores. The insulation coating layer reduces an RC delay of a signal. The shield coating layer shields electromagnetic waves between the wire cores. The flexible flat cable maximizes the transfer efficiency of the wire core.
Abstract translation: 目的：提供柔性扁平电缆及其制造方法，以通过围绕具有由金属部件制成的屏蔽涂层的线芯和由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层来最小化信号的变形和干扰。 构成：柔性扁平电缆（100）包括由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层（20）和围绕线芯（10）的金属组件制成的屏蔽涂层（30）。 绝缘涂层增加了导线芯之间的绝缘性能。 绝缘涂层降低了信号的RC延迟。 屏蔽涂层屏蔽线芯之间的电磁波。 柔性扁平电缆使线芯的传输效率最大化。
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公开(公告)号：KR101183964B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020080078593
申请日：2008-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L51/0027 , H01L51/0036 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 본 발명은 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 유기 박막에 유기 용매의 국부적인 도포나 레이저를 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킴으로써, 별도로 유기 박막을 패터닝하지 않고도 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소자간의 크로스토크를 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
유기 박막, 국부적, 결정화, 유기 박막 트랜지스터, 활성층, 유기 용매, 레이저-
公开(公告)号：KR1020120061531A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020100122869
申请日：2010-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B41F17/26 , B05C1/0808 , H01L21/0274 , G03F1/22 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A metal pattern formation method and an apparatus using the same are provided to improve electrical properties of a metal wire by forming the metal wire using a non-electrode electrochemical plating method. CONSTITUTION: An adhesive pattern is formed on a substrate(S10). An initiator is combined on the adhesive pattern by spraying an initiator solution on the substrate(S20). A metal is combined with the initiator by performing a plating process after spraying a metal precursor solution on the substrate(S30). The initiator solution and the metal precursor solution on the substrate are eliminated between the adhesive patterns by performing a cleaning process(S40).
Abstract translation: 目的：提供一种金属图案形成方法及其使用方法，通过使用非电极电镀法形成金属线来提高金属线的电特性。 构成：在基材上形成粘合剂图案（S10）。 通过在基板上喷射引发剂溶液将引发剂组合在粘合剂图案上（S20）。 通过在金属前体溶液喷涂到基板上之后进行电镀处理，将金属与引发剂结合（S30）。 通过进行清洗处理，在粘合剂图案之间消除了基板上的引发剂溶液和金属前体溶液（S40）。
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公开(公告)号：KR1020110064150A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120621
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603 , H01L27/1262
Abstract: PURPOSE: A transferred thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to separate an active layer from a silicon wafer by a dry etching method and transfer the active layer to a flexible substrate, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A source area(12), a drain area(14), and a channel area(15) are expanded on a first substrate(10) in a first direction. A trench(18) is expanded on the first substrate in the second direction crossing the first direction. A photoresist pattern(20) is formed on an active layer(16) between the trenches. The first substrate in the trench is etched by an anisotropic etching process so that the active layer is separated from the first substrate. The active layer is bonded with a second substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种转移的薄膜晶体管及其制造方法，通过干蚀刻方法将有源层与硅晶片分离，并将活性层转移到柔性基板上，从而最大限度地提高生产率。 构成：源区域（12），漏区（14）和沟道区（15）在第一方向上在第一衬底（10）上扩展。 沟槽（18）在与第一方向交叉的第二方向上在第一基板上膨胀。 光刻胶图形（20）形成在沟槽之间的有源层（16）上。 通过各向异性蚀刻工艺蚀刻沟槽中的第一衬底，使得有源层与第一衬底分离。 有源层与第二衬底结合。
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公开(公告)号：KR1020110064149A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120620
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/84 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/2919 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L27/1266 , H01L27/1262 , H01L29/78603 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to form an embedded insulating film and a gate insulating film by different materials, thereby preventing damage of the gate insulating film when the embedded insulating film is eliminated. CONSTITUTION: An embedded insulating film(14) and an active layer(16) are stacked on a single-crystalline silicon wafer(12). A gate insulating layer(18) is formed on the active layer. A gate electrode(20) is formed on the gate insulating layer. Source/drain areas(22,24) are formed on the active layer of the gate electrode. A part of the embedded insulating film is eliminated to form an under cut in the lower part of the thin film transistor.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过不同的材料形成嵌入式绝缘膜和栅极绝缘膜，从而防止当绝缘膜被去除时对栅极绝缘膜的损坏。 构成：在单晶硅晶片（12）上堆叠嵌入绝缘膜（14）和有源层（16）。 在有源层上形成栅极绝缘层（18）。 栅电极（20）形成在栅极绝缘层上。 源极/漏极区域（22,24）形成在栅电极的有源层上。 消除了嵌入式绝缘膜的一部分，以在薄膜晶体管的下部形成欠切割。
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