Abstract:
PURPOSE: A GaN type led device and manufacturing method thereof are provided to control an area where an amorphous layer is formed, thereby reducing stress which can occur in the amorphous layer. CONSTITUTION: An amorphous layer(200) is formed on a substrate. A unit LED cell area is defined on the amorphous layer. A width pattern separates the unit LED cell area on the amorphous layer. An amorphous layer is etched according to the width pattern. A light emitting structure(500) is formed on a substrate from which the amorphous layer is etched. A buffer layer(400) is formed on the substrate before the light emitting structure is formed to form a light emitting structure on the buffer layer.
Abstract:
PURPOSE: A polarizing divider, an optical hybrid, and an optical receiver including the same are provided to configure the same waveguide layer structure and to easily integrate a single board. CONSTITUTION: First to fourth phase shift wave guides(143_1~143_4) receive a first output optical signal. The first to fourth phase shift wave guides control the shift wave guides to the first output optical signal. A second optical splitter(142) distributes a second input optical signal and outputs a second optical signal. The first to fourth phase shift wave guides combine a first optical signal distributer and a second optical signal distributer.
Abstract:
A photo detector array in which a readout IC is integrated for a laser image signal and a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process by excluding a hybrid packaging process of a separate flip chip. A plurality of optical detection pixels(210) includes a photo diode and a first heterojunction bipolar transistor. The photo diode converts incident light energy into electrical energy. The first heterojunction bipolar transistor selectively converts the electrical energy of the photo diode into electrical signals. An output control circuit(220) includes a second heterojunction bipolar transistor which controls an output of the electrical signals transmitted from a plurality of optical detection pixels. The photo diode, the first heterojunction bipolar transistor, and the second heterojunction bipolar transistor are formed into a single chip integration type on a semi-insulation InP substrate.
Abstract:
A band signaling transmitter using multiplex waveguide structures is provided to transmit an electric signal of 50GHz or more generated from an MMIC mounted on a ceramic substrate. Signal transfer lines(210,220) of a multistage waveguide are connected to each other at least two stages on a substrate by at least two separated metal surfaces with different width and/or length by wiring an MMIC(Microwave Integrated Circuit Design). The signal transfer line has first double lines having two first metal surfaces separated by double-wiring the MMIC, and second double lines having two second metal surfaces different from the first metal surface in the width and length.
Abstract:
본 발명은 차세대(~ 5세대) 초고속 무선 인터넷 서비스를 위한 밀리미터파 무선 가입자 통신 시스템의 기지국에서 무선 가입자에게 전송되는 밀리미터파의 발진 주파수 신호원으로 사용될 수 있는 밀리미터파 대역 주파수 광 발진기에 관한 것으로, 루프 거울과 한 쌍의 광섬유 격자 거울들을 사용한다. 파장 고정형과 파장 가변형 광섬유 격자 거울을 직렬로 연결하여 각각의 파장에 적합한 두개의 레이저 모드가 동시에 발진할 수 있는 이중 모드 레이저 공진기를 형성함으로서 두 레이저 모드 사이의 맥놀이 현상에 의해 초고주파수(60㎓ 이상)로 변조되는 레이저 광원을 얻을 수 있다. 광 발진기, 루프 거울, 광증폭 광섬유, 광섬유 격자 거울, 이중 모드
Abstract:
본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 밀리미터파 무선 전송 시스템의 기지국에서 밀리미터파의 발진 주파수 신호원으로 사용될 것으로 예측되고 있는 밀리미터파 대역 주파수 광 발진기에 관한 것으로, 구현이 용이하면서도 변조 주파수 영역을 보다 넓힐 수 있는 변조 주파수 가변형 광 발진기를 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에서 제시하는 광 발진기는 단방향 링형 광섬유 레이저 공진기에 파장 가변형 광섬유 격자 거울 한 쌍을 삽입하여 선형 레이저 공진기를 내부적으로 추가 구성함으로써 두 개의 안정된 레이저 공진기에서 이중 모드의 레이저가 발진할 수 있도록 한 이중 공진기 구조이다. 이중 모드 사이의 맥놀이 현상에 의해 입력 레이저 광이 초고주파수(60 GHz 이상)로 변조된다. 레이저 모드의 편광 의존도를 이용하여 편광 조절기에 의해 공진기 내에서의 이득의 변화를 유도하고, 광섬유 격자 거울의 반사광의 파장을 변화시킴으로써 변조 주파수를 60 GHz에서부터 80 GHz로 연속적으로 변화시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 넓은 주파수 대역폭 및 낮은 입출력 반사 손실을 갖는 트랜스임피던스 증폭기를 개시한다. 개시된 본 발명은, 포토 다이오드에서 발생하는 광 전류를 전기적 신호로 변환시키는 트랜스임피던스 증폭기로서, 광전류를 전압으로 변환, 증폭하는 제 1 증폭부, 상기 제 1 증폭부의 출력을 재차 증폭시키는 제 2 증폭부, 상기 제 2 증폭부의 출력을 제 1 증폭부의 입력단으로 피드백시키는 궤환부, 및 상기 궤환부의 출력 신호를 버퍼링하는 버퍼부를 포함한다.
Abstract:
A modulated frequency-tunable light oscillator is provided to increase an oscillation frequency to be higher than 60GHz by connecting a wavelength coupler with a loop mirror via a 50% coupler. A wavelength coupler receives a pump light with a preset wavelength. A loop mirror is connected to one side of the wavelength coupler. An optical fiber amplifier is connected to the other side of the wavelength coupler. A coupler is connected to the optical fiber amplifier to output an amplified light. A pair of fiber grating mirrors are connected to the coupler. The light from the optical fiber amplifier is reflected with different reflection factors at the loop mirror, and is inputted to the fiber grating mirrors via the optical fiber amplifier. The fiber grating mirrors reflect lights with different wavelength ranges to constitute a dual laser mode resonator.