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公开(公告)号：KR1020120098395A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110124421
申请日：2011-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박래만
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/04 , H01L31/186 , H01L31/1864
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a solar cell is provided to increase the productivity by forming a buffer layer between a light absorption layer and a window electrode layer with a vacuum deposition method. CONSTITUTION: A conductive metal layer(20) is formed on a substrate(10). A light absorption layer(30) is formed on the conductive metal layer. A buffer layer(40) is formed on the light absorption layer. The buffer layer is formed by a vacuum deposition method of cation metal materials. A window electrode layer(50) is formed on the buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造太阳能电池的方法，以通过在真空沉积法中在光吸收层和窗户电极层之间形成缓冲层来提高生产率。 构成：在基板（10）上形成导电金属层（20）。 在导电金属层上形成光吸收层（30）。 在光吸收层上形成缓冲层（40）。 缓冲层由阳离子金属材料的真空沉积法形成。 在缓冲层上形成窗口电极层（50）。
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公开(公告)号：KR1020110027537A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020100039115
申请日：2010-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박래만
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing apparatus is provided to ensure high quality of CIGS light absorption layer by spraying plasma gas to a target so as to prevent the target contaminated by the reactive gas of a chamber. CONSTITUTION: A semiconductor device manufacturing apparatus(100) comprises a target(132), a reactive gas injector(152), and a nozzle(164). The target is formed on the top of a chamber(110) which faces a chuck(120) loading a substrate(10) in the bottom of the chamber. The reactive gas injector sprays reactive gas, which reacts with the material sputtered from the target, onto the substrate. The nozzle sprays plasma gas for sputtering the target, and the nozzle has a gap(162) to the target, an edge ring that surrounds the target and comprises a metal angle which is bent from the lateral side to the lower flat face of the target, and a shield(166) that surrounds the exterior of the angle.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件制造装置，以通过向等离子体气体喷射等离子体气体来确保CIGS光吸收层的高质量，以防止靶被腔室的反应性气体污染。 构成：半导体器件制造装置（100）包括靶（132），反应气体注入器（152）和喷嘴（164）。 目标形成在腔室110的顶部上，腔室110面向装载在腔室底部的衬底（10）的卡盘（120）。 反应气体喷射器将与从靶溅射的材料反应的反应性气体喷射到基底上。 喷嘴喷射等离子体气体用于溅射目标，并且喷嘴具有到靶的间隙（162），围绕目标的边缘环，并且包括从靶的侧面弯曲到下平面的金属角 以及围绕该角度的外部的护罩（166）。
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公开(公告)号：KR1020110010539A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：KR1020090125467
申请日：2009-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: PURPOSE: A CIGS solar battery and a manufacturing method thereof are provided to maximize energy conversion efficiency by minimizing sunlight which is reflected from the surface of a window electrode layer. CONSTITUTION: A lower electrode layer is formed on a substrate. An optical absorption layer(30) is formed on the lower electrode layer. A buffer layer(40) comprises a plurality of protrusions. A window electrode layer(50) is unevenly bent on the buffer layer along the plurality of protrusions.
Abstract translation: 目的：提供CIGS太阳能电池及其制造方法，以通过使从窗电极层的表面反射的太阳光最小化来最大化能量转换效率。 构成：在基板上形成下电极层。 在下电极层上形成有光吸收层（30）。 缓冲层（40）包括多个突起。 窗口电极层（50）沿着多个突起在缓冲层上不均匀地弯曲。
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公开(公告)号：KR100912807B1
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020070026775
申请日：2007-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/34 , C01B2202/36
Abstract: 이산화티탄이 균일하게 코팅된 탄소나노튜브를 제공한다. 본 발명에서는 탄소나노튜브를 친수성기로 기능화시키는 단계; 상기 친수성으로 기능화된 탄소나노튜브를 이산화티탄 전구체를 포함하는 용액에 혼합하는 단계; 상기 탄소나노튜브와 상기 이산화티탄 전구체의 혼합 용액으로부터 이산화티탄 전구체가 코팅된 탄소나노튜브를 정제하는 단계; 및 상기 정제된 이산화티탄 전구체가 코팅된 탄소나노튜브을 열처리하는 단계; 를 포함한다. 이와 같이 형성된 이산화티탄이 균일하게 코팅된 탄소나노튜브는 탄소나노튜브와 이산화티탄 나노와이어의 특성을 동시에 보유함으로, 태양전지, 전계방출 디스플레이 소자, 가스센서, 광촉매 등으로 사용할 수 있다.
이산화티탄, 탄소나노튜브, 이산화티탄이 코팅된 탄소나노튜브-
公开(公告)号：KR100809421B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060096432
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A multi-gas sensor having a nano-size sensing material and a sensing method using the same are provided to lower an operation temperature of the sensor and to reduce power consumption of the sensor. A multi-gas sensor having a nano-size sensing material includes a semiconductor substrate(10), an insulating layer(12), small heaters(16), and a heater electrode. The semiconductor substrate is a silicon substrate. The insulating layer is disposed on the silicon substrate. The small heaters are disposed in the insulating layer at predetermined intervals. The small heaters receive power from the heater electrode. A portion of the semiconductor substrate is removed to expose the insulating layer under the small heaters. After removing the portion of the semiconductor substrate, the sensor can be implemented in a membrane shape.
Abstract translation: 提供具有纳米尺寸感测材料的多气体传感器和使用其的感测方法以降低传感器的操作温度并降低传感器的功耗。 具有纳米尺寸感测材料的多气体传感器包括半导体衬底（10），绝缘层（12），小型加热器（16）和加热器电极。 半导体衬底是硅衬底。 绝缘层设置在硅衬底上。 小型加热器以预定间隔设置在绝缘层中。 小型加热器从加热器电极接收电力。 去除半导体衬底的一部分以在小型加热器下露出绝缘层。 在去除半导体衬底的部分之后，传感器可以实现为膜形状。
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Patent Agency Ranking26.发明授权
公开(公告)号：KR100698014B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020040089475
申请日：2004-11-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/34 , C23C16/30 , C23C16/345 , H01L33/08 , H01L33/18 , Y10S977/773
Abstract: 본 발명의 발광소자용 실리콘 질화막은 실리콘 질화물 기저체와 그 내부에 동시에 형성된 실리콘 나노 결정구조들을 포함한다. 이 실리콘 질화막을 이용하면, 발광효율이 우수하고, 청색 및 보라색과 같은 단파장 영역을 비롯한 가시광선 영역뿐만 아니라 근적외선 영역에서의 발광도 가능한 발광소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
실리콘 질화막, 실리콘 발광소자, 나노 결정, 발광-
公开(公告)号：KR100590775B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050037623
申请日：2005-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/465 , H01L33/34 , H01L33/38
Abstract: DBR (Distributed Bragg Reflector)과 n형 도핑층, p형 기판 구조물을 채용한 고효율의 실리콘 발광 소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 메사(mesa)형 p형 기판 구조물이 형성된 기판을 구비한다. 기판상에는 활성층이 형성된다. 활성층은 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가진다. 활성층의 제1 면에는 제1 반사층이 대향하고 있다. 활성층의 제2 면에는 제2 반사층이 대향하고 있다. 제2 반사층은 p형 기판 구조물을 사이에 두고 그 양측에 위치되어 있다. 활성층과 제1 반사층과의 사이에는 n형 도핑층이 개재되어 있다. 제1 전극이 n형 도핑층에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다. 그리고, 제2 전극이 p형 기판 구조물에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다.
실리콘 발광 소자, DBR, n형 도핑층, p형 기판 구조물, 실리콘 나노점Abstract translation: 揭示了采用DBR（分布式布拉格反射器），n型掺杂层和p型衬底结构的高效硅发光器件。 根据本发明的硅发光器件包括在其上形成台面型p型衬底结构的衬底。 基底上形成有源层。 有源层具有彼此相对的第一侧和第二侧。 第一反射层与有源层的第一表面相对。 并且第二反射层与有源层的第二表面相对。 第二反射层位于其间的p型基板结构的两侧。 在有源层和第一反射层之间插入n型掺杂层。 第一电极形成为可电连接到n型掺杂层。 第二电极形成为可电连接到p型衬底结构。
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公开(公告)号：KR100576718B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030096218
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/105 , H01L33/24 , H01L33/465
Abstract: 도핑층과 DBR(Distributed Bragg Reflector)을 동시에 채용한 실리콘 발광 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가지는 활성층을 포함한다. 상기 활성층의 제1 면에는 제1 반사부가 대향하고 있고, 상기 활성층의 제2 면에는 제2 반사부가 대향하고 있다. 상기 활성층과 제1 반사부와의 사이에는 제1 도핑층이 개재되어 있고, 상기 활성층과 제2 반사부와의 사이에는 제2 도핑층이 개재되어 있다. 상기 제1 도핑층에 전기적으로 연결 가능한 제1 전극과, 상기 제2 도핑층에 전기적으로 연결 가능한 제2 전극이 형성되어 있다. 상기 제1 반사부 및 제2 반사부 중 적어도 하나는 서로 다른 조성을 가지는 2종의 실리콘함유 절연층이 교대로 적층되어 있는 DBR과 게이트를 포함한다.
실리콘 발광 소자, DBR, 전반사 금속막, 게이트, 도핑층, 실리콘 나노점-
公开(公告)号：KR1020040018009A
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020020050297
申请日：2002-08-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an SiCN thin film having a band gap in large energy region is provided to be capable of controlling the width of the band gap. CONSTITUTION: A mixed target of SiC and Si3N4 is manufactured(100). A silicon carbon nitride thin film is manufactured by operating a pulse laser deposition equipment using the mixed target(200). Preferably, the mixing rate of SiC for the mixed target is in the range of 10-90 %. Preferably, the silicon carbon nitride thin film is an amorphous or crystalline type film. Preferably, the gas condition of a growth chamber of pulse layer deposition equipment contains nitrogen atoms, nitrogen reactors, or carbon atoms in manufacturing the silicon carbon nitride thin film. Preferably, methane gas, ammonia gas, nitrogen gas, or inert gas is used for the gas condition of the growth chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种制造具有大能带区带的SiCN薄膜的方法，能够控制带隙的宽度。 构成：制造SiC和Si3N4的混合靶（100）。 通过使用混合靶（200）的脉冲激光沉积设备进行制造，制造碳氮化硅薄膜。 优选地，用于混合靶的SiC的混合比例在10-90％的范围内。 优选地，碳氮化硅薄膜是非晶或结晶型膜。 优选地，在制造氮化硅薄膜时，脉冲层沉积设备的生长室的气体状态包含氮原子，氮反应器或碳原子。 优选地，甲烷气体，氨气，氮气或惰性气体用于生长室的气体状态。
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公开(公告)号：KR102227078B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140035484
申请日：2014-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은터치패널로, 본발명의일실시예에따른터치패널은기판, 상기기판중 적어도일부상에형성된산화물층, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖고, 상기산화물층중 외부에노출된노출부를정의하도록상기산화물층상에형성된금속패턴부, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖도록상기금속패턴부상에형성된산화물패턴부및 상기산화물층의상기노출부중 적어도일부상에형성된광학적성질조절패턴부를포함한다.
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