公开(公告)号：KR1019990053227A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072828

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박흥옥 ,  주철원 ,  이상복 ,  백종태 ,  김보우

IPC: H03K5/00

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 위상 동기 루프의 기능을 수행하는 디지털 방식의 주파수 체배 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자하는 기술적 요지
본 발명은 입력신호에 동기되고 다수 배의 주파수를 가지는 체배 신호를 순수 디지털 회로로 구성하여 얻을 수 있도록하여 디지털 집적회로 소자에 내장 시킬 수 있는 주파수 체배 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은 주파수를 발진하는 주파수 발진수단; 상기 주파수를 분주시켜 출력하는 제 1 및 제 2 주파수 분주수단; 상기 제 1 및 제 2 주파수 분주수단에 의해 분주된 주파수를 카운트하는 제 1 및 제 2 카운팅수단; 및 상기 제 1 및 제 2 카운팅수단의 출력신호 합하여 한주기 주파수를 출력하는 제어수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 외부로부터 입력되는 클럭신호를 다수 배의 주파수로 체배시키는데 이용됨.

公开(公告)号：KR100146554B1

公开(公告)日：1998-11-02

申请号：KR1019950009260

申请日：1995-04-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강영일 ,  임태영 ,  박흥옥 ,  이용현 ,  이재성

IPC: H01L21/8246

Abstract: 본 발명은 프로그램 가능 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 캐패시터 형태의 구성을 가진 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프로그램 가능 안티퓨즈 소자는 , p형 실리콘 기판과; 상기 p형 실리콘 기판 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐으로 된 의사 전극층과; 상기 의사 전극층의 일측 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제1전극층과; 상기 의사 전극층의 타측 위에 형성되며, 박막의 티타늄 산화막과 실리콘 산화막으로 된 절연층과; 상기 절연층 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제2전극층으로 구성되며, 절연층인 티타늄 산화막의 두께를 열처리시의 공정조건(시간 및 온도)을 변화하여 조절함으로써 프로그램 전압의 재현성과 제어성을 실현하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980037752A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960056552

申请日：1996-11-22

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  박흥옥 ,  이상복

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/10

Abstract: 본 발명은 다중칩모듈 세라믹 기판(MCM-C)에서 가스 방출을 위한 전원층의 제조방법에 관한 것으로서, 종래 전원층은 층 전체를 금속과 유기용제로 조성된 금속-패이스트(metal paste)로 스크린 프린팅함으로써 프린팅후 열을 가하는 과정에서 유기용제로부터 가스가 발생하여 비아(via)를 채우고 있는 금속-패이스트에 압력이 작용하여 가스가 비아를 타고 올라가 윗부분은 가스로 인하여 비아와 비아 포획(capture)간의 연결상태가 끊겨지는 경우가 발생하여 전기적으로 단락(open) 현상이 발생할 수 있으므로 본 발명에서는 금속-패이스트에서 발생하는 가스의 양을 작게하여 가스가 비아에 가하는 압력을 낮추어 비아에서의 일종의 기공현상을 제거함으로 인해 단락현상을 제거한다.

公开(公告)号：KR1019960005241B1

公开(公告)日：1996-04-23

申请号：KR1019920025026

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  박흥옥

IPC: H01L21/68

Abstract: The monolithic precision drive device comprises an actuator providing a cause of movements, a hinge/hinge bar to convert movements shape of a driven object, a guide-line induced movements along arranged track of the driven object and the driven object itself. The hinge bar 14, 14a is arranged respectively at left and right side of the center of the driven object. The 1st driven object 28 of vertical and rotational direction is arranged respectively the hinge bar 12, 13 having L-shaped on upper and lower position of vertical direction. The 2nd driven object 27 of left and right direction has the hinge bar on a corner of vertical and rotational driven object 28. The plane structure is wrapped in left and right driven object 27. The monolithic precision drive device of three shaft motion using the hinge/hinge bar is formed to the monolithic by the hinge/hinge bar vertical and rotational driven object, left and right driven object, and the plane structure.

Abstract translation: 单片精密驱动装置包括提供移动原因的致动器，用于转换被驱动对象的运动形状的铰链/铰链杆，沿着被驱动对象和被驱动对象本身的排列轨迹的引导线感应运动。 铰链杆14,14a分别布置在被驱动体的中心的左右侧。 垂直和旋转方向的第一被驱动物体28分别布置有在垂直方向的上部和下部位置具有L形的铰链杆12,13。 左右方向的第二驱动物体27在垂直和旋转驱动物体28的拐角处具有铰链杆。平面结构被包裹在左右驱动物体27中。使用铰链的三轴运动的单片精密驱动装置 铰链杆通过铰链/铰链杆垂直和旋转驱动对象，左右驱动对象和平面结构形成。

公开(公告)号：KR1019920020645A

公开(公告)日：1992-11-21

申请号：KR1019910006086

申请日：1991-04-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이대우 ,  최창억 ,  박흥옥

IPC: H01L21/335

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1020000002824A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980023758

申请日：1998-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 손영준 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  박흥옥 ,  김보우

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A wafer or reticle aligning method is provided to align the wafer or the reticle in an exposing equipment by measuring the horizontal, vertical and revolving errors of the aligning mark. CONSTITUTION: The wafer or reticle aligning method comprises the steps of: marking the aligning marks more than two on the wafer or the reticle; dividing the wafer or the reticle into the two spaces and making each part of the aligning mark existed in each space having the different area or shape from each other; moving the relative position of the aligning ray; and aligning the relative position of the wafer or the reticle by using the time interval between the aligning signals and the relative intensity strength of the aligning signals.

Abstract translation: 目的：提供晶片或掩模版对准方法，通过测量对准标记的水平，垂直和旋转误差来将晶片或掩模版对准曝光设备。 构成：晶片或掩模版对准方法包括以下步骤：在晶片或掩模版上标记两个以上的对准标记; 将晶片或掩模版分成两个空间，并使对准标记的每个部分存在于彼此不同的区域或形状的每个空间中; 移动对准射线的相对位置; 并且通过使用对准信号之间的时间间隔和对准信号的相对强度强度来对准晶片或掩模版的相对位置。

公开(公告)号：KR100216517B1

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019960056552

申请日：1996-11-22

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  박흥옥 ,  이상복

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/10

Abstract: 본 발명은 다중칩모듈 세라믹 기판(MCM-C)에서 가스 방출을 위한 전원층의 제조방법에 관한 것으로서, 종래 전원층은 층 전체를 금속과 유기용제로 조성된 금속-패이스트(metal paste)로 스크린 프린팅함으로써 프린팅후 열을 가하는 과정에서 유기용제로부터 가스가 발생하여 비아(via)를 채우고 있는 금속-패이스트에 압력이 작용하여 가스가 비아를 타고 올라가 윗부분은 가스로 인하여 비아와 비아 포획(capture)간의 연결상태가 끊겨지는 경우가 발생하여 전기적으로 단락(open) 현상이 발생할 수 있으므로 본 발명에서는 금속-패이스트에서 발생하는 가스의 양을 작게하여 가스가 비아에 가하는 압력을 낮추어 비아에서 일종의 기공현상을 제거함으로 인해 단락현상을 제거한다.

公开(公告)号：KR100176092B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950052649

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박흥옥 ,  김동근

IPC: H03B19/00

CPC classification number: G06F7/68

Abstract: 본 발명은 디지털 회로에서 입력 클럭신호의 주파수를 2
n 배의 높은 주파수로 체배시키는 클럭 입력신호의 주파수 체배장치에 관한 것이다.
외부 입력인 입력 클럭신호의 주파수 보다 훨씬 높은 주파수로 발진하는 링 발진기를 디지털 회로 내부에 내장시켜 이 링 발진기의 발진 주파수를 이용한다.
이 발진 주파수로 입력 클럭신호의 길이(주기)를 측정하고, 필요한 체배된 클럭신호 길이를 발진 주파수의 단위 길이로 계산한 다음, 계산한 체배된 클럭신호 길이만큼 링 발진기가 발진할 때마다 하나씩 신호를 만들어내어 이 신호로 체배된 클럭신호를 만드는 것이다.

公开(公告)号：KR100175565B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019960056554

申请日：1996-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 배정렬 ,  송규상 ,  신희천 ,  박흥옥

IPC: H03J3/00

Abstract: 본 발명은 튜닝회로에서 소자의 특성이 변하더라도 적분기의 시정수를 스스로 보상하여 안정된 튜닝을 수행하는 튜닝회로에 관한 것이다. 목적은 MOSFET저항, 커패시터 및 OP-앰프 등을 사용함으로써 설계도 간단하게 하고, 소자의 수를 현격하게 줄여 칩 면적을 줄이고 적은 전력소모로도 양질의 튜닝을 하는 데에 있다. 그 구성은 저항수단, 용량수단 및 시정수 제어수단으로 구성된다. 저항수단은 하나 이상의 트랜지스터로 구성되어 트랜지스터가 비포화 영역에서 동작되도록 바이어스를 걸어 주고 제어전압으로 저항값을 제어한다. 용량수단은 저항수단과 병렬로 연결되고 두 개의 제어클럭으로 제어되어 충방전함으로써 저항수단과 연동하여 시정수를 튜닝한다. 시정수 제어수단은 저항수단의 출력이 OP-앰프의 입력단에 연결되게하여 저항수단의 제어전압을 공급하여 저항값을 조절함으로써 시정수를 조절한다.

公开(公告)号：KR1019980043234A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960061027

申请日：1996-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 주철원 ,  박흥옥 ,  이상복

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정에 있어서 금속배선에서 발생하는 전자이주(elcrtro-migration: EM) 현상에 의한 금속배선의 수명감소를 효과적으로 감소시킬 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 제조공정에서의 금속배선의 수명 증대방법은, 금속배선(1)의 상·하면 및 측면을 포함하는 전체면을 장벽금속(2a,2b,2c)으로 캡핑하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하며, 이때, 상기한 장벽금속(2a,2b,2c)의 캡핑과정은, 웨이퍼(3)상에 하부 장벽금속층(2a), 금속배선(1) 및 상부 장벽금속층(2b)을 증착시키는 단계와, 마스크를 사용하여 패턴을 형성하고, 상기한 웨이퍼(3)의 전체면을 장벽금속으로 증착하는 단계와, 에치백 공정을 수행하여 상기한 하부 장벽금속층(2a), 금속배선(1) 및 상부 장벽금속층(2b)의 측면에 측벽(2c)을 형성하는 단계를 포함한다. 상기한 본 발명에 따르면, 금속배선(1)의 상·하면 및 측면을 포함하는 전체면이 장벽금속(2a,2b,2c)으로 캡핑된 상태가 되어, 금속배선(1)의 측면에서 발생하는 전자이주현상은 상기한 측벽 장벽금속(2c)에 의해 효과적으로 감소됨으로써, 금속배선(1)의 수명을 대폭적으로 증대시킬 수 있게 된다.