公开(公告)号：KR100460839B1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：KR1020020002534

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균 ,  주영구 ,  신재헌

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A multi-channel long wavelength VCSEL array and a fabricating method thereof are provided to form constantly an interval of a laser oscillation wavelength by controlling a resonant interval. CONSTITUTION: A multi-channel long wavelength VCSEL array includes a semiconductor substrate(10), a bottom mirror(20), an active region(30), a current limit layer(40), a superlattice control layer(50), and a top mirror(60). The bottom mirror is formed on the semiconductor substrate. The active region is formed on the bottom mirror. The current limit layer is formed on the active region in order to limit efficiently the current and enhance the efficiency of the heat transfer. The superlattice control layer is formed on the current limit layer in order to control an interval of laser oscillation wavelength. The top mirror is formed on the superlattice control layer.

Abstract translation: 目的：提供多通道长波长VCSEL阵列及其制造方法，以通过控制谐振间隔恒定地形成激光振荡波长的间隔。 一种多通道长波长VCSEL阵列，包括半导体衬底（10），底部反射镜（20），有源区（30），限流层（40），超晶格控制层（50）和 顶部镜子（60）。 底部反射镜形成在半导体衬底上。 有源区形成在底部反射镜上。 电流限制层形成在有源区域上，以便有效地限制电流并提高传热效率。 在限流层上形成超晶格控制层，以控制激光振荡波长的间隔。 顶部镜子形成在超晶格控制层上。

公开(公告)号：KR1020030074937A

公开(公告)日：2003-09-22

申请号：KR1020020013936

申请日：2002-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종희 ,  노정래 ,  신재헌 ,  권오균 ,  한원석 ,  주영구 ,  유병수

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an intracavity-contacted VCSEL including selective upper mirror layer growth is provided to simplify a heat emission path and a current injection path by using a selective region growth method. CONSTITUTION: A lower mirror layer(200), a laser resonance layer(300), a current injection hole forming layer, and an intracavity-contacted layer are sequentially grown on a substrate(100). An intracavity-contacted layer pattern(500) is formed by wet-etching the current injection hole forming layer. A mask pattern(600) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). An upper mirror layer(250) is formed on an upper surface of the intracavity-contacted layer pattern(500). The first electrode(700) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). The second electrode(750) is formed on a back surface of the substrate(100).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括选择性上镜层生长的腔内接触VCSEL的方法，以通过使用选择性区域生长方法简化热发射路径和电流注入路径。 构成：在基板（100）上依次生长下镜面（200），激光谐振层（300），电流注入孔形成层和腔内接触层。 通过湿蚀刻电流注入孔形成层形成腔内接触层图案（500）。 在腔内接触层图案（500）上形成掩模图案（600）。 在腔内接触层图案（500）的上表面上形成上镜层（250）。 第一电极（700）形成在腔内接触层图案（500）上。 第二电极（750）形成在基板（100）的背面上。

公开(公告)号：KR1020030038072A

公开(公告)日：2003-05-16

申请号：KR1020010069489

申请日：2001-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  권오균 ,  한원석 ,  주영구 ,  유병수

IPC: H01S5/183

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434

Abstract: PURPOSE: A VCSEL(Vertical-Cavity Surface Emitting Laser) for long wavelength having a current caliber of an oxide layer is provided to minimize the loss of the current and the charges by using the InAlAs oxide layer for restraining the InAlAs current path layer. CONSTITUTION: An n-type lower mirror layer(120) and an active layer(130) are sequentially formed on an n-type InP substrate(110). The n-type lower mirror layer(120) satisfies a Bragg reflection condition. A current path layer(142) and a current limit layer(144) are formed on a part of the active layer(130). The current path layer(142) is surrounded by the current limit layer(144). A p-type internal resonance contact layer(150) is formed on the current path layer(142) and the current limit layer(144). An upper mirror layer(160) is formed on a part of the p-type internal resonance contact layer(150). A p-type electrode(170) is formed on the p-type internal resonance contact layer(150) and the upper mirror layer(160). An n-type electrode(180) is formed on a part of a back side of the n-type InP substrate(110).

Abstract translation: 目的：提供具有电流口径为氧化物层的长波长VCSEL（垂直腔表面发射激光器），以通过使用InAlAs氧化物层来抑制InAlAs电流通路层来最小化电流损耗和电荷。 构成：在n型InP衬底（110）上依次形成n型下镜层（120）和有源层（130）。 n型下镜层（120）满足布拉格反射条件。 在有源层（130）的一部分上形成电流通路层（142）和限流层（144）。 电流通路层142由电流极限层144包围。 在电流通路层（142）和限流层（144）上形成p型内部共振接触层（150）。 在p型内部共振接触层（150）的一部分上形成上镜层（160）。 p型电极（170）形成在p型内部共振接触层（150）和上镜层（160）上。 n型电极（180）形成在n型InP衬底（110）的背侧的一部分上。

公开(公告)号：KR1020020055456A

公开(公告)日：2002-07-09

申请号：KR1020000083422

申请日：2000-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신제헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emitting laser and a method of manufacturing the same are provided to minimize a generation of heat and to maximize a discharge of heat, which has a long wavelength and a thick inner resonance contact layer capable of realizing a current injection structure. CONSTITUTION: A lower mirror layer(5) is grown on a semiconductor substrate(6). An ion injection layer(8) is formed on a top of the lower mirror layer(5). An activated layer(3) is coated over the ion injection layer(8) of the mirror layer(5). An inner resonance contact layer(10) is covered on the activated layer(3). An undoped upper mirror layer(9) is formed on the inner resonance contact layer(10). The inner resonance contact layer(10) has a thermal conductivity of at least five times than that of the upper mirror layer(9) and a thickness of 0.7 times than that of the activated layer(3). An electrode(1) is coated on the upper mirror layer(9).

Abstract translation: 目的：提供垂直腔表面发射激光器及其制造方法，以最小化热量的产生并且使具有长波长和厚的内部共振接触层能够实现电流注入结构的热放电最大化 。 构成：在半导体衬底（6）上生长下镜层（5）。 离子注入层（8）形成在下镜层（5）的顶部。 活性层（3）涂覆在镜层（5）的离子注入层（8）上。 内部共振接触层（10）被覆盖在活化层（3）上。 在内谐振接触层（10）上形成未掺杂的上镜层（9）。 内部共振接触层（10）的热导率为上镜面（9）的至少5倍，厚度为激活层（3）的厚度的0.7倍。 电极（1）涂覆在上镜层（9）上。

公开(公告)号：KR100319752B1

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：KR1019990050468

申请日：1999-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/30

Abstract: 표면방출레이저는광배선및 광통신용광원으로사용되고있는데편광에따라특성이다른광소자나광학기기와같이사용하기위해서는안정된편광특성을필요로하며편의에따라편광특성을조절하는것이유용하다. 본발명에서는표면방출레이저에서편광을조절할수 있는구조의편광조절표면방출레이저에관한것으로, 본발명의표면방출레이저소자는한 소자에서전극에따라두개의편광방향으로조절하며, 특히활성층근처에서산화막에의해발진영역이한정되므로횡모드의변화없이편광특성제어가가능하다.

公开(公告)号：KR1020010055919A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990057254

申请日：1999-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  유병수 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A surface emitting laser for polarization control is provided to select oscillation light of polarized direction by controlling polarization without changing characteristic. CONSTITUTION: A surface emitting laser has a lower part mirror layer(32), resonance activity layer, upper part mirror layer(36). An insulation layer(37) gets inserted impurities-ion or fills up resonance activity layer after etching. The first upper part metal layer(38) gets supplied with current for lasering and is formed on the upper part mirror layer(36). The second upper part metal layer controls polarization to each vertical direction about the semiconductor board(31) with isolating the first upper part metal layer(38) from the insulating layer(37). The first lower part metal layer(41a) gets supplied with lasering current with the first upper part metal layer(38) at the same time and is formed on bottom of the semiconductor board(31). The second lower part metal layer(41b) gets supplied with polarization control current at the same time with the second upper part metal layer, keeping the fixed intervals with the first lower part metal layer(41a) on bottom of the semiconductor board(31).

Abstract translation: 目的：提供用于偏振控制的表面发射激光器，通过控制偏振而不改变特性来选择偏振方向的振荡光。 构成：表面发射激光器具有下部镜层（32），共振活性层，上部镜层（36）。 绝缘层（37）在蚀刻后插入杂质离子或填充共振活性层。 第一上部金属层（38）被供给用于激光的电流并形成在上部镜面层（36）上。 第二上部金属层通过将第一上部金属层（38）与绝缘层（37）隔离来控制围绕半导体板（31）的每个垂直方向的偏振。 第一下部金属层（41a）同时与第一上部金属层（38）一起被供给激光电流并形成在半导体基板（31）的底部。 第二下部金属层（41b）与第二上部金属层同时被提供偏振控制电流，与半导体板（31）的底部保持与第一下部金属层（41a）的固定间隔， 。

公开(公告)号：KR100289052B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019980049315

申请日：1998-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  유병수 ,  현경숙

IPC: G02B6/12

Abstract: 본 발명은 광집적회로망 및 광통신 시스템을 구현하는데 요구되는 광결합기에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 입사 신호광의 세기를 분배하여 출력단 광도파로 내부로 전달하는 집적형 광결합기 구조인 위상-격자 구조를 이용한 집적형 광결합기에 관한 것이다.
종래의 집적형 광결합기로는 스타-광결합기와 다중-모드 간섭 결합기가 알려져 있는데 상기 스타-광결합기는 신호광이 입사되어 출력단으로 전달되는 파워의 결합손실과 반사손실이 증가하는 단점이 있으며, 다중-모드 간섭 결합기는 출사광 사이의 위상이 동일하지 않고, 출력단 채널수 변화에 따라 소자의 크기가 변하고 출력단 채널 수가 제한되는 문제점이 있었다. 본 발명 집적형 광결합기는 입력단 광도파로(input optical waveguide) 구조와; 이 구조와 연결되는 자유 전파 평면 광도파로(free-propagation planar optical waveguide); 그리고 신호광이 공간적으로 충분히 회절되는 영역에 위상-격자 구조(phase-grating structure)를 제작하고, 위상-격자의 근접장 초점(near-field focal point) 배열에 출력단 광도파로(output optical waveguide) 채널을 두는 구조이며, 여기서 위상-격자 구조는 신호광의 위상을 정도로 변화시킬 수 있는 영역을 일정한 간격으로 배열하는 형태로서 입력단 광도파로를 통하여 자유-전파 평면 광도파로 영역으로 입사된 신호광은 회절 현상으로 인하여 충분한 거리를 진행한 이후에 광세기 분포가 거의 균일하게 되며, 회절 현상에 의하여 균일 광세기 분포를 가지도록 충분히 확산된 신호광은 위상-격자 구조에 의하여 집속되어 N 개의 초점 배열로 형성된다. N 개의 배열 형태로 집속된 신호광은 N 개의 채널 수를 갖는 출력단 광도파로 내부로 입사된다. 여기서 출력단 광도파로는 위상-격자의 초점 거리에 위치하므로 N 채널 출력단 내부로 신호광이 집속되므로서 결합 손실과 반사 손실이 거의 발생되지 않는다. 그리고 위상-격자의 주기를 조정하여 출력단 광도파로의 채널 수를 결정할 수 있으므로 소자의 크기는 출력단 채널 수와 무관하게 고정된다. 더욱이 광결합기의 크기가 200 - 300㎛ 정도로 매우 소형이므로 집적도를 크게 증대시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000032760A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980049315

申请日：1998-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  유병수 ,  현경숙

IPC: G02B6/12

Abstract: PURPOSE: An integrated typed optical coupler using phase-grating structure is to make a possible to effectively realize the connections among integrated typed optical wave guides and concentrate a signal light within the output optical wave guide. CONSTITUTION: An integrated typed optical coupler comprises: an input optical wave guide(10) having M channels; an output optical wave guide(40) having N channels; a free-propagation planar optical wave guide(20) connected to the input optical wave guide and the output optical wave guide; and a phase-grating structure(30) placed at a position where a signal light of the free-propagation planar optical wave guide is specially sufficiently diffracted. The phase-grating structure has the output optical wave guide at a near-field focal point thereof. The output terminal portion of the free-propagation planar optical wave guide is fabricated to have a semicircular structure having a point where the input optical wave guide and the free-propagation planar optical wave guide are connected, as the origin.

Abstract translation: 目的：使用相位光栅结构的集成型光耦合器可以有效地实现集成型光波导之间的连接，并将信号光集中在输出光波导内。 一种综合型光耦合器包括：具有M个通道的输入光波导（10）; 具有N个通道的输出光波导（40）; 连接到输入光波导和输出光波导的自由传播平面光波导（20）; 以及放置在自由传播平面型光波导的信号光被特别充分衍射的位置的相位差光栅结构（30）。 相位光栅结构在其近场焦点处具有输出光波导。 自由传播平面光波导的输出端子部分被制造成具有连接输入光波导和自由传播平面光波导的点的半圆形结构作为原点。

公开(公告)号：KR100250470B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019970055674

申请日：1997-10-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  박효훈 ,  유병수

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of surface emitting laser with shallow junction is provided to reduce serial resistance and to increase oscillation efficiency of the laser. CONSTITUTION: A lower mirror layer(2), an active layer(3), a current injecting layer, and an upper mirror layer are grown on a semiconductor substrate(1). A nonreflective layer(6) is deposited on the backside of substrate(1), and etched selectively to make a lower n-type electrode(7). After forming a photoresist pattern on the substrate(1), the selected part of upper mirror layer is etched to expose the current injecting layer, and a laser pole(9) is built. Boron ions are injected into an injection region(10), and the photoresist pattern is removed. A p-type electrode pattern(11) is formed by E-beam deposition of Pd/Mg or MN/Sb/Pd on the current injecting layer. Au is doped on the upper mirror layer, and an upper n-type electrode(12) is produced using a lift-off method. To isolate some part of the lower mirror layer(2), the current injecting layer and the active layer is dry etched.

Abstract translation: 目的：提供具有浅结的表面发射激光器的制造方法，以降低串联电阻并提高激光器的振荡效率。 构成：在半导体衬底（1）上生长下镜层（2），有源层（3），电流注入层和上镜层。 非反射层（6）沉积在衬底（1）的背面，并被选择性地蚀刻以制造下部n型电极（7）。 在基板（1）上形成光致抗蚀剂图案之后，蚀刻上镜面层的选定部分以暴露电流注入层，并构建激光棒（9）。 将硼离子注入到注入区域（10）中，并去除光刻胶图案。 通过在电流注入层上电子束沉积Pd / Mg或MN / Sb / Pd形成p型电极图案（11）。 Au在上镜面层上掺杂，使用剥离法制造上部n型电极（12）。 为了隔离下镜面层（2）的一部分，电流注入层和有源层被干蚀刻。

公开(公告)号：KR100244524B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970001101

申请日：1997-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  이규석 ,  유병수 ,  박효훈

IPC: H01S3/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035

Abstract: 본 발명은 반도체 광전 소자에 관한 것으로, 이중장벽 구조를 갖는 공명투과 다이오드의 양자 상태간의 에너지 차이를 최대로 하기 위하여 에미터쪽의 간격층에 인듐비소를 단원자층의 두께로 형성함으로써 약한 세기의 빛에서도 삼각 우물의 두 양자 상태에 의한 공명투과 전류가 분리되어 나타나므로 빛으로 삼각 우물의 여기 상태에 의한 공명투과를 제어하여 광원으로 전기적 신호를 제어하는 스위칭 소자의 제작이 가능할 수 있는 광 제어 공명투과 다이오드가 제시된다.