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公开(公告)号：KR1020110054710A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090111462
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/043 , B81B7/00
CPC classification number: H01L21/6835 , B81B2207/093 , B81B2207/097 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/0127 , B81C2203/019 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A device package and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a small device package with low costs by sealing a MEMS(Micro Electro Mechanical System) or sensor device structure with a micro metal cover. CONSTITUTION: A device structure is positioned on the active surface of a substrate. An input pad(111i) and an output pad(111o) are located on the active surface of the substrate. A metal cover(214) has an internal space to seal the device structure on the active surface of the substrate. A junction pattern is interposed between the active surface of the substrate and the metal cover. The junction pattern includes nonconductive adhesive materials. Input and output pads are interposed between the active surface of the substrate and the junction pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种器件封装及其制造方法，通过用微金属覆盖物密封MEMS（微机电系统）或传感器器件结构来制造低成本的小器件封装。 构成：器件结构位于衬底的有源表面上。 输入焊盘（111i）和输出焊盘（111o）位于基板的有效表面上。 金属盖（214）具有用于密封衬底的有源表面上的器件结构的内部空间。 接合图案插入在基板的有效表面和金属盖之间。 连接图案包括非导电粘合剂材料。 输入和输出焊盘介于衬底的有源表面和接合图案之间。
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公开(公告)号：KR100857469B1
公开(公告)日：2008-09-08
申请号：KR1020070025080
申请日：2007-03-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역 전송특성을 향상시키기 위한 변환기가 구비된 초고주파 모듈에 관한 것으로, 마이크로스트립 전송선로와 CBCPW 전송선로를 와이어 본딩을 이용하여 연결할 경우, 와이어 본딩에 의한 임피던스 변화와 두 전송선로 사이의 전계성분의 급격한 변화를 변환기를 통해 완화시켜 삽입손실 및 반사손실이 감소되도록 함으로써, 밀리미터파 대역의 전송특성을 향상시키는 것을 특징으로 한다.
밀리미터파 대역, 와이어 본딩, 변환기, 마이크로스트립, CBCPW, SOP-
公开(公告)号：KR100706024B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050098482
申请日：2005-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역에서 동작하는 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치에 관한 것이다. 본 발명의 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치는, 마이크로스트립 선로로 진행하는 전자기파 신호를 결합시키기 위한 개구면과, 상기 개구면과 직사각형의 도파관 사이에 배치되며 상기 개구면으로부터 결합된 신호에 의한 공진이 일어나는 메인 패치와, 상기 메인 패치와 상기 도파관 사이에 배치되며 상기 메인 패치와 함께 공진이 일어나는 기생 패치와, 상기 마이크로스트립 선로의 접지면과 상기 도파관의 전기적인 도통을 위한 비아 홀을 포함하며, 상기 비아 홀은 원기둥 형상의 도체 재질로 이루어지고, 그 직경이 0.1㎜보다 작고 상기 비아 홀 사이의 간격이 0.3㎜보다 작으며, 상기 비아 홀들 중심간의 간격은 상기 비아 홀 직경의 3배인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 마이크로스트립 상태의 신호를 도파관 상태의 신호로 변환시키고 공진 대역 특성을 광대역으로 증가시킬 수 있다.
변환장치, 밀리미터파, 마이크로스트립, 도파관, 개구면, 광대역Abstract translation: 本发明涉及在毫米波段工作的宽带微带波导转换器。 本发明的毫米波波段宽带微带波导转换设备包括用于耦合传播到微带线的电磁波信号的开口面以及设置在开口面和矩形波导之间的波导， 设置在主贴片和波导之间并与主贴片和用于在微带线的接地面与波导之间导电的通孔共振的寄生贴片 和通路孔的圆筒状的导电性材料的通孔的直径的三倍构成，即直径为通孔比之间的距离小0.1㎜0.3㎜小于，通孔的中心之间的间距 它表征。
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公开(公告)号：KR100577006B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030096309
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/203
Abstract: 본 발명은, 소형화, 저 손실과 고 감쇠극을 제공하며, 설계시 유전상수에 따른 설계제한에서 자유롭게 하여 설계공정을 최적화하여 제조단가를 줄일 수 있는 마이크로스트립 교차결합 대역통과필터를 제공한다.
본 발명에 따른 마이크로스트립 교차결합 대역통과필터는, 입력단자와 전계결합되는 입력공진기와 출력단자와 전계결합되는 출력공진기 사이가 자계결합되고, 입력공진기와 출력공진기가 자계결합되는 사이 간격인 교차결합 갭이 형성된다. 또 입력단자 및 출력단자와 복합적인 전계결합되는 교차결합선로가 더 포함된다.
여기서, 교차결합 갭은 통과대역의 상측에 감쇠극 특성을 발생시키는 간격이며, 교차결합 갭의 간격의 변화에 따라 감쇠극의 감쇠주파수가 변화될 수 있다. 또한, 교차결합선로는 통과대역의 상측 및 하측에 감쇠극 특성을 발생시키며, 교차결합선로와 상기 입출력단자와의 간격, 교착결합선로의 길이 및 폭에 따라 감쇠극의 주파수가 변화될 수 있다.
대역통과필터, 마이크로스트림, 교차결합, 감쇠극, 감쇠주파수-
公开(公告)号：KR100567322B1
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：KR1020030090549
申请日：2003-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C04B35/20
CPC classification number: C04B35/20 , C04B35/6303 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/656 , C04B2235/77
Abstract: 마이크로파 및 밀리미터파 대역에서 사용할 수 있는 통신 부품용 세라믹 유전체 소재로서, 매우 작은 값의 유전 손실을 가지는 고밀도의 마이크로파 및 밀리미터파용 포스테라이트계 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 유전체 세라믹 조성물은 포스테라이트(Mg
2 SiO
4 )를 주성분으로 하는 조성물로 이루어지고, 상기 포스테라이트를 구성하는 실리콘(Si)의 일부가 산화티탄(TiO
2 )으로 치환되어 있다. MgO 56 ~ 57wt%, SiO
2 33 ~ 42wt%, 및 TiO
2 1 ~ 11wt%의 조성으로 이루어진 포스테라이트를 기본으로 하고 여기에 소결 특성을 향상시키기 위한 소결 조제로서 Li 함유 첨가제를 첨가하여 새로운 조성의 유전체 세라믹 조성물이 얻어진다. 본 발명에 따른 유전체 세라믹 조성물은 MgO, SiO
2 , 및 TiO
2 를 각각 칭량하여 혼합하고 하소 단계를 거쳐 포스테라이트 상을 형성하고 여기에 소결 특성 향상을 위해서 Li 함유 첨가제, 예를 들면 탄산 리튬을 첨가하고, 성형 및 소결 공정을 거쳐 제조된다.
유전체 세라믹, 마이크로파, 유전율, 품질계수, 포스테라이트-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050064724A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096309
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/203
Abstract: 본 발명은, 소형화, 저 손실과 고 감쇠극을 제공하며, 설계시 유전상수에 따른 설계제한에서 자유롭게 하여 설계공정을 최적화하여 제조단가를 줄일 수 있는 마이크로스트립 교차결합 대역통과필터를 제공한다.
본 발명에 따른 마이크로스트립 교차결합 대역통과필터는, 입력단자와 전계결합되는 입력공진기와 출력단자와 전계결합되는 출력공진기 사이가 자계결합되고, 입력공진기와 출력공진기가 자계결합되는 사이 간격인 교차결합 갭이 형성된다. 또 입력단자 및 출력단자와 복합적인 전계결합되는 교차결합선로가 더 포함된다.
여기서, 교차결합 갭은 통과대역의 상측에 감쇠극 특성을 발생시키는 간격이며, 교차결합 갭의 간격의 변화에 따라 감쇠극의 감쇠주파수가 변화될 수 있다. 또한, 교차결합선로는 통과대역의 상측 및 하측에 감쇠극 특성을 발생시키며, 교차결합선로와 상기 입출력단자와의 간격, 교착결합선로의 길이 및 폭에 따라 감쇠극의 주파수가 변화될 수 있다.-
公开(公告)号：KR100440252B1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：KR1020020026699
申请日：2002-05-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N5/52
CPC classification number: H01P5/10
Abstract: A S/N enhancer using the magnetostatic wave signal. The S/N enhancer comprises a balun coupler for dividing an input signal into a first and second signals having the same power, the second signal having the phase difference of 180 degree with respect to the first signal; a saturation magnetostatic wave filter for receiving the first signal output from the balun coupler, converting that into a magnetostatic wave signal, and oppositely converting the magnetostatic wave signal, wherein the power of the magnetostatic wave signal is saturated if the first signal has the power of equal to and more than that of a noise signal; a delay line having the linearity to transmit the second signal output from the balun coupler; and a power synthesizer for synthesizing the respective signals output from the saturation magnetostatic wave filter and the delay line.
Abstract translation: 使用静磁波信号的S / N增强器。 S / N增强器包括平衡 - 不平衡变换器，用于将输入信号分成具有相同功率的第一和第二信号，第二信号相对于第一信号具有180度的相位差; 饱和静磁波滤波器，用于接收从平衡 - 不平衡变换器耦合器输出的第一信号，将其转换成静磁波信号，以及反向转换静磁波信号，其中，如果第一信号的功率为 等于并且大于噪声信号的频率; 具有线性的延迟线，用于传输从平衡 - 不平衡变换器耦合器输出的第二信号; 以及功率合成器，用于合成从饱和静磁波滤波器和延迟线输出的各个信号。
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公开(公告)号：KR1020040043325A
公开(公告)日：2004-05-24
申请号：KR1020020071556
申请日：2002-11-18
CPC classification number: H01F1/346
Abstract: PURPOSE: Provided is a YIG magnetic body ceramic composition for microwaves, which has low magnetic loss and high density and can be used for communication parts for a microwave band. CONSTITUTION: The magnetic body ceramic composition comprises 95-99.95mol% of yttrium iron garnet(Y3Fe5O12) and 0.05-5mol% of silica(SiO2). The magnetic body ceramic composition is produced by a process comprising the steps of: mixing iron oxide(Fe2O3) and yttrium oxide(Y2O3) in the molar ratio of 5:3 and calcining at 1150-1250deg.C for 5-7 hours; adding 0.05-5mol% of the silica and mixing; molding and sintering the mixture at 1300-1450deg.C for 3-5 hours.
Abstract translation: 目的：提供一种用于微波的YIG磁体陶瓷组合物，具有低磁损耗和高密度，可用于微波带的通信部件。 构成：磁体陶瓷组合物包含95-99.95mol％的钇铁石榴石（Y3Fe5O12）和0.05-5mol％的二氧化硅（SiO 2）。 磁体陶瓷组合物通过包括以下步骤的方法制备：将氧化铁（Fe 2 O 3）和氧化钇（Y 2 O 3）以5:3的摩尔比混合并在1150-1250℃下煅烧5-7小时; 加入0.05-5mol％二氧化硅并混合; 将混合物在1300-1450℃下成型和烧结3-5小时。
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公开(公告)号：KR1020010073661A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：KR1020000002437
申请日：2000-01-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/213
CPC classification number: H01P1/2056
Abstract: PURPOSE: A dielectric filter having notch pattern is provided to improve the attenuation characteristics at the low band without increasing the resonators by implementing the coupling between adjacent resonators or non-adjacent resonators. CONSTITUTION: The dielectric filter comprises a dielectric block(100) plated by a conductive material except the both lateral sides, the first to fourth resonators(110,120,130,140) formed by penetrating the dielectric block, an input electrode(150) for receiving the external signal, and an output electrode(160). These electrodes are formed on the both lateral sides. The ground is formed by plating the upper and bottom surfaces with a conductive material. The resonators are formed by plating the inner sides of each hole and the lower part of each resonator is electrically connected to the ground to form the short circuit end. The first to fourth resonant patterns(112,122,132,142) are formed on the dielectric block and connected to resonators. Each resonant pattern is separated from other resonant patterns to form the first electrically opened part(172). The first metal pattern(182) is formed between the second and the third resonant patterns and one end of it is electrically opened and the other end of it is connected to the ground.
Abstract translation: 目的：提供具有凹口图案的介质滤波器，以通过实现相邻谐振器或非相邻谐振器之间的耦合来增加低频带处的衰减特性而不增加谐振器。 构成：介质滤波器包括由除了两个侧面之外的导电材料电镀的介电块（100），穿过介电块形成的第一至第四谐振器（110,120,130,140），用于接收外部信号的输入电极（150） 和输出电极（160）。 这些电极形成在两个侧面上。 地面通过用导电材料电镀上表面和底表面而形成。 谐振器通过电镀每个孔的内侧而形成，并且每个谐振器的下部电连接到地面以形成短路端。 第一至第四谐振图案（112,122,132,142）形成在介质块上并连接到谐振器。 每个谐振图案与其他谐振图案分离以形成第一电开路部分（172）。 第一金属图案（182）形成在第二和第三谐振图案之间，其一端电气打开，另一端连接到地面。
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公开(公告)号：KR1020000039535A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980054892
申请日：1998-12-14
Abstract: PURPOSE: A non-reciprocal circuit elements is provided to fabricate strip line isolator of small size and provide low insertion loss, high isolation and wide band by solving the problems due to material constant, thereby simplifying the fabrication process and reducing costs. CONSTITUTION: A non-reciprocal circuit elements comprises a ring type resonator(401), plural strip lines(402a,402b,402c), inner and outer magnetic walls(403,404) and discontinuous strip lines(405a,405b,405c). The strip lines(402a,402b,402c) are formed on inner circumferential surface of the resonator(401) in equal gap. The inner magnetic walls(403) is formed between input and output. The strip lines(405a,405b,405c) are formed on outer circumferential surface of the resonator(401).
Abstract translation: 目的：提供不可逆电路元件，通过解决由于材料常数引起的问题，制造小尺寸的带状线隔离器，提供低插入损耗，高隔离度和宽带宽，从而简化制造工艺并降低成本。 构成：不可逆电路元件包括环型谐振器（401），多条带状线（402a，402b，402c），内外磁壁（403,404）和不连续带状线（405a，405b，405c）。 带状线（402a，402b，402c）以等间隙形成在谐振器（401）的内周面上。 内部磁性壁（403）形成在输入和输出之间。 带状线（405a，405b，405c）形成在谐振器（401）的外周面上。
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