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公开(公告)号：KR1019970076059A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960015619
申请日：1996-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고해상도 마스크 제조방법에 관한 것으로서 종래의 부가적 방법과 삭감적 방법에 의한 마스크 제조방법이 패턴 형성시 여러 가지 단점으로 인해 미세선폭의 정의가 어려웠던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 이 방법들을 통합하여 부가적 방법에 의해 제2흡수체층의 패턴을 먼저 부가적 방법으로 형성한 후, 이 제2흡수체층을 건식식각 마스크로 사용하여 제1흡수체층의 패턴을 건식식각하는 고해상도 마스크 제조방법을 제공한다.
이와같은 본 발명은 전자빔 셀 투사형 마스크 또는 이온빔 마스크를 제조하는데 이용할 수가 있다.-
公开(公告)号：KR1019940000918B1
公开(公告)日：1994-02-04
申请号：KR1019910006834
申请日：1991-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: A chroma layer (12) on a mask layer (11) is etched with the help of a photo resisting layer (13). A first phase shifting layer (14) is fabricated on the patterned chrome layer (12), a second phase shifting layer (15) on the first phase shifting layer. A second photo resist mask (15a) is built on the second phase shifting layer (15). The first phase shifting layer (14) is etched to form a first phase-shift mask (14a) and a second phase-shift mask (15a).
Abstract translation: 借助于光阻层（13）蚀刻掩模层（11）上的色度层（12）。 在图案化铬层（12）上制造第一相移层（14），在第一移相层上制造第二相移层（15）。 在第二移相层（15）上构建第二光刻胶掩模（15a）。 蚀刻第一相移层（14）以形成第一相移掩模（14a）和第二相移掩模（15a）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930008846B1
公开(公告)日：1993-09-16
申请号：KR1019900016318
申请日：1990-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: forming a phase shifting mask, a chrome light shield film, and a photo sensitive film on a mask base board; forming a light shield film pattern by the use of the photo sensitive film; applying again a photo sensitive film to form a light shield film pattern to complete a photo mask.
Abstract translation: 在掩模基板上形成相移掩模，铬屏蔽膜和感光膜; 通过使用感光膜形成遮光膜图案; 再次施加光敏膜以形成遮光膜图案以完成光罩。
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公开(公告)号：KR1019930008841B1
公开(公告)日：1993-09-16
申请号：KR1019900014262
申请日：1990-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The method for reducing the aspect ratio of contact hole form, solves problems of metal step coverage in depositing metal. The method for forming a contact hole on oxidized film (2) deposited on silicon substrate (1), comprises the steps of: forming contact hole pattern (3a) on photosensitive film (3) by a photo mask process; dry-etching primary contact hole (2a) with a certain depth (h1) on the film (2) by freon gas plasma; dry-etching the film (3) with a certain width (W) by oxygen gas plasma; dry-etching secondary contact hole (2b) with a certain depth (h2) by freon gas plasma; over-etching the film (2) by freon gas plasma with high C/F ratio after dry-etching the film (2) by freon gas plasma and widening the film (3) by oxygen gas plasma; removing the film (3) on the oxidized film (2) by H2SO4/H2O2 solution.
Abstract translation: 减小接触孔形式的纵横比的方法，解决了沉积金属中金属层覆盖的问题。 沉积在硅衬底（1）上的氧化膜（2）上形成接触孔的方法包括以下步骤：通过光掩模法在感光膜（3）上形成接触孔图案（3a）; 通过氟利昂气体等离子体在膜（2）上干蚀刻具有一定深度（h1）的初级接触孔（2a） 用氧气等离子体干燥一定宽度（W）的薄膜（3）; 通过氟利昂气体等离子体干蚀刻具有一定深度（h2）的二次接触孔（2b）; 通过氟利昂气体等离子体干蚀刻膜（2）并用氧气等离子体扩大膜（3）后，用高C / F比的氟利昂气体等离子体对膜（2）进行过蚀刻; 通过H 2 SO 4 / H 2 O 2溶液除去氧化膜（2）上的膜（3）。
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