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公开(公告)号：KR1019970051558A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052658
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H1/00
Abstract: 본 발명은 자기력 구동 마이크로 릴레이 구조체 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기판의 상부면과 바닥면에 절연을 위해 열 산화막을 올린 후, 상기 바닥면 위에 도금의 전극이 될 얇은 금속층을 형성하는 제1단계와; 상기 금속층 위에 폴리이미드를 입혀 패턴을 전사하여 다수의 소정 부분의 금속층이 나타나도록 건식식각하는 제2단계와; 상기 나타난 금속층을 전극으로 하여 구리를 전해 및 무전해 도금으로 코일 바닥면을 제작하는 제3단계와; 상기 코일부분을 제외한 금속층을 제거한 후 산화막 또는 폴리이미드를 덮어 코일 부분인 구리를 보호하는 제4단계와; 후막의 자성체 코아를 형성하기 위해 마스크로 사용할 기판 상부면의 열 산화막을 코아의 패턴 형태로 건식식각한 후 습식 식각방법에 의해 소정 깊이 이상을 식각하는 제5단계와; 상기 제5단계의 식각된 코아 형성부분에 금속층을 입힌 후 자성체를 전기도금으로 제작하는 제6단계와; 상기 도금 전극으로 사용한 금속층을 건식식각으로 제거하고, 절연을 위해 상기 형성된 코아 상부에 소정크기의 산화막을 형성하는 제7단계와; 상기 기판 밑면의 구리코일을 웨이퍼 윗면으로 연결배선하기 위해 습식식각에서 마스크로 사용할 산화막을 건식식각한 후, 비등방성 식각을 하여 밑면의 구리코일 배선이 나타날 때까지 식각하고, 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채우는 제8단계와; 상기 제5단계와 제6단계의 수행 후에 형성된 후막의 분리된 자성체 상부에 형성된 산화막을 식각한 후 밑면 전극이 될 금을 리프트 오프 방법으로 제작하고, 후막의 알루미늄 또는 폴리이미드를 채워 넣은 희생층을 형성하여 전극접점 부위를 형성하는 제9단계와; 상기 희생층 위에 릴레이의 윗면 전극이 될 금과 전기적 절연을 위한 산화막을 올리는 제10단계를 포함하여 이루어지며 실리콘 웨이퍼의 벌크 마이크로 머시닝 기술, 전기도금 기술 및 반도체 공정기술을 이용하여 기존의 릴레이보다 소형이고, 집적회로 공정과 호환성이 있는 자기 구동 마이크로 릴레이 구조체 구조에 관한 것으로, 수백 ㎒에서 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이(array)구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970048636A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052657
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/00
Abstract: 본 발명은 모아레 무늬를 이용한 광학계 성능 측정장치 및 측정방법에 관한 것이다.
본 발명의 광학계 성능 측정장치는 기준격자(1)와, 시편격자(2)와, 조명광원(3)과, 광검출기(5)와, 로타리 스테이지(6)를 포함한다.
아울러, 본 발명의 광학계 성능 측정방법은, 광학계의 상 위치에 기준격자(1)을 광축에 수직되게 위치시키는 단계; 시편격자(2)를 광학계(4)의 물체위치에 위치시키는 단계; 조명광원(3)을 비추어 시편격자(2)가 광학계(4)에 의해 상 위치에 결상되게 하여 결상된 시편격자(2)의 상과 기준격자(1)에 의해 모아레무늬를 생성하는 단계; 상기한 모아레무늬의 강도분포를 광검출기(5)를 이용하여 측정하는 단계; 기준격자(1)가 놓인 로타리 스테이지(6)를 이동하면서 각 지점에서의 모아레무늬의 밝은 부분 강도와 어두운 부분의 강도를 측정하여 모아레무늬에 대한 강도분포의 차이가 최대인 지점을 찾는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019970048457A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950047433
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01C19/00
Abstract: 본 발명은 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 자이로스코프는, 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함한다.
또한, 본 발명의 마이크로 자이로스코프 제조방법은, 실리콘 기판(1) 상에 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 산화막의 하부 희생층(8)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019970023753A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034137
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정에서 플라즈마 표면처리를 이용한 배선금속박막의 평탄화 장비에 관한 것으로 증착된 금속박막과 접속창 및 비아구멍의 플라즈마에 의한 표면처리로 기판 또는 박막표면의 불순물과 산화물의 제거가 가능하고, 정밀한 온도제어가 가능하며, 금속박막증착 후의 가열에 의한 리플로우(reflow) 열처리와 접촉창과 비아의 전처리 공정을 하나의 반응로 내에서 동시 또는 순차적으로 수행 가능하기 위하여 반응로의 상부에 장착되며, 이온화율이 높고 플라즈마 포텐셜이 낮아 반응로로 부터의 오염물질이 적고, 웨이퍼로 입사되는 이온에너지가 작아 접촉창과 비아구멍의 손상을 최소화 할 수 있는 TCP(Transformer Coupled Plasma)를 플라즈마원으로 사용하는 플라즈마 세정 모듈과; 외선 램프와 반사효율 및 온도 균일도를 위한 반사경에 의해 웨이퍼홀더 어셈블러를 가열하여 간접가열방식에 의해 기판의 열처리가 가능하도록 기판가열모듈과; 반응로의 진공유지를 위한 반응로 일측의 진공배기구를 포함하는 진공모듈과; 웨이퍼 홀더 구동기구와 구동축 및 벨로오즈를 구성요소로 하는 웨이퍼 반송모듈로 구성됨을 특징으로 하는 것임.
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公开(公告)号：KR1019960011561A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940025181
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/20
Abstract: 본 발명은 리소그래피(lithography)에 의한 레지스트 패턴을 형성방법에 관한 것으로서, 특히 이층 레지스트(bilayer resist) 구조를 이용하여 미세 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 위에 하층 레지스트를 형성하는 공정과, 상기 하층 레지스트를 갖는 반도체 기판을 전면 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트 상부에 상층 레지스트를 형성하는 공정과, 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 상층 레지스트를 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트와 상기 마스크 패턴에 상응하여 부분적으로 노광된 상층 레지스트를 현상하여 높은 종횡비를 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950021022A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026310
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조를 위한 피소그래피 장비에서 웨이퍼의 수평 상태를 자동으로 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 장치는 광원으로 반도체 레이저(1)를 사용하고, 선형편광자(11)를 사용하며, 광량 조절수단인 광감쇠기(12)에 의해 반도체 레이저(1)로부터의 레이저 빔이 웨이퍼 표면으로 전달되기 전에 레이저 빔을 받아들여 평행광으로 변환하는 광변환수단인 시준렌즈(2)로 부터의 지름 100mm
;의 평행광을 웨이퍼면(4)에 입사각76도로 입사시키고, 2차원 면에서의 광점의 변위를 측정할 수 있도록 2차원형 위치 검출소자(10)를 사용하며, 웨이퍼 표면(4)에서 반사된 광을 소정의 촛점거리(f)에 모아 광점을 형성하는 집광수단인 집광렌즈(6)에 의한 광점(7a)의 위치를 증폭하여 위치 검출 소자(9)에 증폭된 광점의 변위를 전달하고, 이렇게 증폭된 광점이 2-차원 위치검출소자(9)로 입사되면 위치 검출소자(9)에서는 4개의 출력단자들을 통하여 빔의 조사위치에 4개의 신호들이 각각 출력되고, 이들 신호들을 다시 크기, 방향 위치 검출 소자 감지 면 상의
-측과 ｙ-축의 좌표를 나타내는 아날로그 전압 신호로 변환되어 처리하는 자동 수평 측정계(1~12, 20)에 의해 척(10)위에 위치하는 웨이퍼의 기울어짐을 측정하여 이를 보상해 준다.
따라서, 반도체 위치 검출 소자와 간단한 광학장치 만에 의해서도 높은 징밀도와 넓은 감지영역을 갖는 웨이퍼 자동 수평 측정 장치를 전체 노광 영역에 걸쳐 초점심도를 확보할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019910007807B1
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：KR1019880017978
申请日：1988-12-30
Abstract: The lens used for producing the semiconductor element, enables it to change the lens factors such as clearance, thickness, radius of the electrode, and to improve the focusing characteristics of lens without rebuilding of the whole electrode structure. The equipotential electrostatic lens composed of three electrodes, has the first electrode (100) with insert electrode (110), second electrode (200) with the insert electrode (210), and third electrode (300) with the insert electrode (310). An insert electrode is composed of the plate type electrode (7) laminated with two more plies. The lens suppresses increasing of the excessive voltage according to increasing of ion-beam energy, reduces the danger from electric discharge, and stabilizes the lenses.
Abstract translation: 用于制造半导体元件的透镜使得能够改变诸如间隙，厚度，电极的半径的透镜因子，并且可以改善透镜的聚焦特性，而不会重建整个电极结构。 由三个电极构成的等电位静电透镜具有带有插入电极（110）的第一电极（100），具有插入电极（210）的第二电极（200）和具有插入电极（310）的第三电极（300）。 插入电极由层叠有两层的板状电极（7）组成。 透镜根据离子束能量的增加抑制过大电压的增加，减少放电的危险，并稳定透镜。
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公开(公告)号：KR1020110085701A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100005619
申请日：2010-01-21
CPC classification number: G04F10/005 , H03K5/133 , H03L7/0816
Abstract: PURPOSE: A time to digital converter is provided to perform micro detection after a course is detected, thereby obtaining high time resolution, short latency, and low complexity. CONSTITUTION: A course detector(110) detects a course by a chain delay line. The course detector comprises an inverter(1121) and a plurality of flip-flops which latches the output of each inverter. A decoder and a selector(120) find a section where '1' is converted into '0' from output bits of the source detector. The decoder and the selector output a clock. A micro detector(130) performs micro detection by differential delay devices which are connected each other in parallel.
Abstract translation: 目的：提供时间数字转换器，以便在检测到课程后执行微观检测，从而获得高时间分辨率，短延迟和低复杂度。 构成：航向检测器（110）通过链延迟线检测航线。 路线检测器包括逆变器（1121）和锁存每个逆变器的输出的多个触发器。 解码器和选择器（120）找到从源检测器的输出位将'1'转换为'0'的部分。 解码器和选择器输出时钟。 微型检测器（130）通过并联连接的差分延迟器件进行微型检测。
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公开(公告)号：KR100261266B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970054787
申请日：1997-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/27
Abstract: PURPOSE: A polarization optical splitter using an amorphous fluoric resin adhesive and a method of fabricating the same are provided by which the polarization optical splitter that places an image zone and an object zone at different locations is formed using an adhesive that is transparent at 193nm and has endurance for light irradiated on the adhesive for a long period of time. CONSTITUTION: Multi-level dielectric thin films(16,17) formed of transparent materials are coated on the sloped face of one of a pair of prisms(4,8). The thin films includes a material having a high refractive index and a material having a low refractive index. The multi-level dielectric thin films and the sloped face of the other prism are attached to each other using an amorphous fluoric resin adhesive(21), to fabricate a polarization optical splitter. The adhesive having a refractive index of 1.1 to 2.0, and transmissivity of 90% per 1cm.
Abstract translation: 目的：提供使用非晶态氟树脂粘合剂的偏振光分路器及其制造方法，通过该偏光分光器，使用193nm透明的粘合剂形成在不同位置放置图像区域和对象区域的偏振光分路器， 具有长时间照射在粘合剂上的光的耐久性。 构成：由透明材料形成的多层电介质薄膜（16,17）涂覆在一对棱镜（4,8）之一的倾斜面上。 薄膜包括具有高折射率的材料和具有低折射率的材料。 使用非晶态氟树脂粘合剂（21）将多层电介质薄膜和另一棱镜的倾斜面彼此附接，以制造偏振分光器。 折射率为1.1〜2.0，透光率为1％的透光率为90％。
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