公开(公告)号：DE112017003523B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE112017003523

申请日：2017-06-13

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H01F17/00

Abstract: Induktorstruktur (100), die aufweist:einen laminierten Dünnschichtstapel, der abwechselnde Schichten eines magnetischen Materials (112) und eines mehrlagigen isolierenden Materials aufweist, wobei sich das mehrlagige isolierende Material zwischen angrenzenden Schichten (112) des magnetischen Materials befindet und eine erste isolierende Schicht (114A) aufweist, die an zumindest einer zusätzlichen isolierenden Schicht (14B) anliegt, undwobei die erste isolierende Schicht (114A) und die zumindest eine zusätzliche isolierende Schicht (114B) unterschiedliche dielektrische Materialien aufweisen,wobei die erste isolierende Schicht (114A) Siliciumdioxid aufweist und die isolierende Schicht, die an zumindest einer zusätzlichen anliegt, eine isolierende Siliciumnitridschicht aufweist.

公开(公告)号：DE112017003523T5

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE112017003523

申请日：2017-06-13

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H01F17/00

Abstract: Eine magnetische Laminierungsstruktur beinhaltet abwechselnde Schichten eines magnetischen Materials (112) und eines mehrlagigen isolierenden Materials, wobei sich das mehrlagige isolierende Material zwischen angrenzenden Schichten des magnetischen Materials befindet und eine erste isolierende Schicht (114A) aufweist, die an zumindest einer zusätzlichen isolierenden Schicht (114B) anliegt, und wobei die erste isolierende Schicht (114A) und die zumindest eine zusätzliche isolierende Schicht (114B) unterschiedliche dielektrische Materialien aufweisen und/oder durch einen unterschiedlichen Abscheidungsprozess ausgebildet werden.

公开(公告)号：GB2496558B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：GB201303258

申请日：2011-06-07

Applicant: IBM

Inventor： LIU FEI ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01M10/46 ,  H01M14/00 ,  H01M16/00

Abstract: An integrated photovoltaic cell and battery device, a method of manufacturing the same and a photovoltaic power system incorporating the integrated photovoltaic cell and battery device. The integrated photovoltaic cell and battery device includes a photovoltaic cell, a battery, and interconnects providing three-dimensional integration of the photovoltaic cell and the battery into an integrated device for capturing and storing solar energy. Also provided is a design structure readable by a machine to simulate, design, or manufacture the above integrated photovoltaic cell and battery device.

公开(公告)号：DE112011102716T5

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE112011102716

申请日：2011-06-07

Applicant: IBM

Inventor： LIU FEI ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: H01L25/16 ,  H01L31/058 ,  H02N6/00

Abstract: Eine Einheit mit integrierter Fotovoltaikzelle und Batterie, ein Verfahren zu deren Herstellung und eine fotovoltaische Solarstromanlage, die die Einheit mit integrierter Fotovoltaikzelle und Batterie einschließt. Die Einheit (100) mit integrierter Fotovoltaikzelle (110) und Batterie (130) schließt eine Fotovoltaikzelle, eine Batterie und Zwischenverbindungen (140, 150) ein, die die dreidimensionale Integration der Fotovoltaikzelle und der Batterie zu einer integrierten Einheit zum Auffangen und Speichern von Solarenergie bereitstellen. Auch eine maschinenlesbare Entwurfsstruktur wird bereitgestellt, um die obige Einheit mit integrierter Fotovoltaikzelle und Batterie zu simulieren, zu entwerfen oder herzustellen.

公开(公告)号：GB2496558A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：GB201303258

申请日：2011-06-07

Applicant: IBM

Inventor： LIU FEI ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: H01L31/058 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01M10/46 ,  H01M14/00 ,  H01M16/00

Abstract: An integrated photovoltaic cell and battery device, a method of manufacturing the same and a photovoltaic power system incorporating the integrated photovoltaic cell and battery device. The integrated photovoltaic cell and battery device (100) includes a photovoltaic cell (110), a battery (120), and interconnects (140, 150) providing three-dimensional integration of the photovoltaic cell and the battery into an integrated device for capturing and storing solar energy. Also provided is a design structure readable by a machine to simulate, design, or manufacture the above integrated photovoltaic cell and battery device.

公开(公告)号：DE112010003603T5

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE112010003603

申请日：2010-08-19

Applicant: IBM

Inventor： VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336

Abstract: Ein Verfahren zum Verringern des Verlusts von Elementen einer photovoltaischen Dünnfilmstruktur während eines Temperverfahrens umfasst das Aufbringen eines Dünnfilms auf ein Substrat, wobei der Dünnfilm ein einzelnes chemisches Element oder eine chemische Verbindung umfasst, Überziehen des Dünnfilms mit einer Schutzschicht, um eine überzogene Dünnfilmstruktur zu bilden, wobei die Schutzschicht verhindert, dass ein Teil des einzelnen chemischen Elements oder ein Teil der chemischen Verbindung während eines Temperverfahrens entweicht, und Tempern der überzogenen Dünnfilmstruktur, um eine überzogene photovoltaische Dünnfilmstruktur zu bilden, wobei der überzogene photovoltaische Dünnfilm den Teil des einzelnen chemischen Elements oder den Teil der chemischen Verbindung, der von der Schutzschicht am Entweichen während des Temperns gehindert wird, behält.

公开(公告)号：AU2003215126A1

公开(公告)日：2003-09-04

申请号：AU2003215126

申请日：2003-02-10

Applicant: ERICSSON TELEFON AB L M ,  IBM

Inventor： MEIXNER MICHAEL ,  BUCHWALTER LEENA PAIVIKKI ,  LUND JENNIFER LOUISE ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes in the lateral direction. A voltage is applied to electrodes and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes and auxiliary electrodes have first and second potentials, resulting in electrode and auxiliary electrode surface areas with positive and negative charge carriers in the lateral direction and equal charge carriers in the orthogonal direction. The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes (EG,ES) in the lateral direction to which a voltage can be applied. The voltage is applied to electrodes (HG,HS) and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes have a first potential (U1) and the auxiliary electrodes a second potential (U2), resulting in surface areas on the electrodes and auxiliary electrodes with positive and negative charge carriers in the lateral direction and with equal charge carriers in the orthogonal direction. AN Independent claim is also included for the following: a portable terminal with an inventive device.

公开(公告)号：AU1330897A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：AU1330897

申请日：1996-12-16

Applicant: IBM

Inventor： ANDRICACOS PANAYOTIS CONSTANTI ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  DUKOVIC JOHN OWEN ,  HORKANS WILMA JEAN ,  UZOH CYPRIAN EMEKA ,  WONG KWONG HON ,  HU CHAO-KUN ,  EDELSTEIN DANIEL CHARLES ,  RODBELL KENNETH PARKER ,  HURD JEFFERY LOUIS

IPC: C25D7/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: A process is described for the fabrication of submicron interconnect structures for integrated circuit chips. Void-free and seamless conductors are obtained by electroplating Cu from baths that contain additives and are conventionally used to deposit level, bright, ductile, and low-stress Cu metal. The capability of this method to superfill features without leaving voids or seams is unique and superior to that of other deposition approaches.

公开(公告)号：DE112018000451T5

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE112018000451

申请日：2018-03-27

Applicant: INST OF BIOENGINEERING AND NANOTECHNOLOGY ,  IBM

Inventor： CAHAN AMOS ,  HEDRICK JAMES ,  FEVRE MAREVA ,  VAN KESSEL THEODORE ,  HSUEH PEI-YUN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  WOJTECKI RUDY J ,  PARK NATHANIEL ,  YANG YI YAN ,  DING XIN ,  LIANG ZHEN CHANG

IPC: C08J7/12 ,  A61L27/34 ,  A61L29/08 ,  C07D495/04 ,  C08J7/00

Abstract: Hierin werden antibakterielle Beschichtungen und Verfahren zur Herstellung der antibakteriellen Beschichtungen beschrieben. Es wird eine erste verzweigtes-Polyethylenimin(BPEI)-Schicht gebildet und eine erste Glyoxalschicht wird auf einer Oberfläche der BPEI-Schicht gebildet. Die erste BPEI-Schicht und die erste Glyoxalschicht werden gehärtet, um eine vernetzte BPEI-Beschichtung zu bilden. Die erste BPEI-Schicht kann mit superhydrophoben Einheiten, superhydrophilen Einheiten oder negativ geladenen Einheiten modifiziert werden, um die bewuchshemmenden Eigenschaften der Beschichtung zu verstärken. Die erste BPEI-Schicht kann mit kontakttötenden bakteriziden Einheiten modifiziert werden, um die bakteriziden Eigenschaften der Beschichtung zu verstärken.

公开(公告)号：CA2669907C

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：CA2669907

申请日：2007-09-25

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  HUANG QIANG ,  ROMANKIW LUBOMYR T

IPC: H01F10/08 ,  B32B15/01 ,  G11C7/00 ,  G11C11/15

Abstract: A memory storage device that contains alternating first and second ferromagnetic material layers is provided. Each first ferromagnetic material layer has a first layer thickness (L1) and a first critical current density (JC1), and each second ferromagnetic material layer has a second layer thickness (L2) and a second critical current density (JC2), provided that JC1