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    Back-surface field structures for multi-junction III-V photovoltaic devices
    21.
    发明专利
    Back-surface field structures for multi-junction III-V photovoltaic devices 未知

    公开(公告)号：GB2495828B

    公开(公告)日：2013-09-25

    申请号：GB201218439

    申请日：2012-10-15

    Applicant: IBM

    Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

    IPC: H01L31/0725

    Abstract: A multi-junction III-V photovoltaic device is provided that includes at least one top cell comprised of at least one III-V compound semiconductor material; and a bottom cell in contact with a surface of the at least one top cell. The bottom cell includes a germanium-containing layer in contact with the at least one top cell, at least one intrinsic hydrogenated silicon-containing layer in contact with a surface of the germanium-containing layer, and at least one doped hydrogenated silicon-containing layer in contact with a surface of the at least one intrinsic hydrogenated silicon-containing layer. The intrinsic and doped silicon-containing layers can be amorphous, nano/micro-crystalline, poly-crystalline or single-crystalline.

    Active Matrix Inorganic Light Emitting Diode Array
    24.
    发明专利
    Active Matrix Inorganic Light Emitting Diode Array 未知

    公开(公告)号：GB2496970A

    公开(公告)日：2013-05-29

    申请号：GB201220562

    申请日：2012-11-15

    Applicant: IBM

    Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

    IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

    Abstract: A method of forming an active matrix, light emitting diode (LED) array includes removing, from a base substrate, a layer of inorganic LED material 804 originally grown thereupon; and bonding the removed layer of inorganic LED material 804 to an active matrix, thin film transistor (TFT) backplane array 802. Also disclosed is the active matrix light emitting diode array produced from said method. The inorganic LED material 804 may be removed from the base substrate by a method of spalling, wherein at least one or more stress layers are formed on the inorganic LED material layer, a flexible handle layer is formed on the one or more stress layers, and applying a force to the flexible handle layer so as to separate the stress layer and at least a portion of the inorganic LED material layer from the base substrate. The inorganic LED material layer 804 may be bonded to the active matrix TFT backplane array 802 by a process of cold welding. The inorganic LED material layer 804 may be patterned once bonded to the active matrix TFT backplane array 802, where a further inorganic LED material layer 804b can be bonded to the backplane array 802 to produce an array of LED elements 804a,804b, wherein the further inorganic LED material layer 804b is produced by the same method as the first inorganic LED material layer 804a.

    RESISTIVER-ARBEITSSPEICHER-ZELLEN, INTEGRIERT MIT VERTIKALEM FELDEFFEKTTRANSISTOR
    25.
    发明专利
    RESISTIVER-ARBEITSSPEICHER-ZELLEN, INTEGRIERT MIT VERTIKALEM FELDEFFEKTTRANSISTOR 未知

    公开(公告)号：DE112020006263T5

    公开(公告)日：2022-09-29

    申请号：DE112020006263

    申请日：2020-12-04

    Applicant: IBM

    Inventor： REZNICEK ALEXANDER ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  ANDO TAKASHI ,  BALAKRISHNAN KARTHIK

    IPC: H01L27/24

    Abstract: Eine Resistiver-Arbeitsspeicher(ReRAM)-Struktur mit einem Transistor und zwei Widerständen (1T2R) und ein Verfahren zum Bilden davon schließt Bilden eines vertikalen Feldeffekttransistors (VFET) ein, der einen epitaktischen Bereich enthält, der über einem Kanalbereich und unter einer dielektrischen Abdeckung angeordnet ist. Der epitaktische Bereich weist zwei gegenüberliegende vorstehende Bereiche mit dreieckiger Form auf, die von -Ebenen begrenzt werden, die horizontal über den Kanalbereich hinausragen. Ein ReRAM-Stapel wird konform auf dem VFET abgeschieden. Der ReRAM-Stapel enthält eine Oxidschicht, die direkt über dem epitaktischen Bereich angeordnet ist, eine obere Elektrodenschicht direkt über der Oxidschicht und eine Metallfüllung über der oberen Elektrodenschicht. Jeder der beiden gegenüberliegenden vorstehenden Bereiche des epitaktischen Bereichs dient als eine untere Elektrode für den ReRAM-Stapel.

    KAPAZITIVE IN-CELL-BERÜHRUNGS- UND FINGERABDRUCKERFASSUNGSEINHEIT
    28.
    发明专利
    KAPAZITIVE IN-CELL-BERÜHRUNGS- UND FINGERABDRUCKERFASSUNGSEINHEIT 未知

    公开(公告)号：DE102017217970A1

    公开(公告)日：2018-05-09

    申请号：DE102017217970

    申请日：2017-10-10

    Applicant: IBM

    Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SHAHIDI GHAVAM G

    IPC: G06F3/044

    Abstract: Eine Vorrichtung weist mehrere Pixelschaltungen zur Berührungs- und Fingerabdruckerfassung auf, die mit einem berührungsempfindlichen Bildschirm integriert sein können. Jede Pixelschaltung weist einen JFET mit einem an eine Kondensatorplatte angeschlossenen Gate auf, wobei die Kondensatorplatte mit dem Gate integriert sein kann und wobei die Kondensatorplatte über eine erste Diode mit einer entsprechenden Auswahlleitung verbunden ist. Des Weiteren weist jeder JFET in den mehreren Pixelschaltungen eine an eine entsprechende Leseleitung angeschlossene Source (oder Drain) und einen über eine zweite Diode an eine entsprechende Auswahlleitung angeschlossenen Drain (oder Source) auf.

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