公开(公告)号：DE102013103351B4

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：DE102013103351

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANDAU STEFAN ,  MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  NIKITIN IVAN ,  WOWRA THOMAS ,  OSSOWSKI LUKAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: Elektronikmodul, das Folgendes umfasst:einen ersten Träger und einen zweiten Träger;einen ersten Halbleiterchip, wobei der erste Halbleiterchip eine erste Hauptfläche umfasst, die dem ersten und zweiten Träger zugewandt ist, wobei der erste Halbleiterchip ferner ein erstes elektrisches Kontaktelement und ein zweites elektrisches Kontaktelement umfasst, welche auf der ersten Hauptfläche angeordnet sind, wobei der erste Halbleiterchip so auf dem ersten und zweiten Träger angeordnet ist, dass das erste elektrische Kontaktelement mit dem ersten Träger verbunden ist und das zweite elektrische Kontaktelement mit dem zweiten Träger verbunden ist;einen über dem ersten Halbleiterchip angeordneten zweiten Halbleiterchip; undeine Materialschicht, die den zweiten Halbleiterchip an den Träger klebt und den ersten Halbleiterchip kapselt.

公开(公告)号：DE102012106431B4

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102012106431

申请日：2012-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED ,  HOSSEINI KHALIL ,  SCHMIDT KLAUS ,  KALZ FRANZ-PETER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Elektronisches Bauteil, Folgendes aufweisend:einen elektrisch leitenden Träger, der eine erste Trägeroberfläche aufweist;einen Halbleiterchip, der eine erste Chipoberfläche aufweist, wobei die erste Trägeroberfläche und/oder die erste Chipoberfläche eine Oberflächenrauheit mit einer mittleren Tiefe von Vertiefungen größer 3 µm aufweisen, und wobei der Halbleiterchip an dem Träger mit der ersten Chipoberfläche zu der ersten Trägeroberfläche gerichtet befestigt ist, wobei die Oberflächenrauheit einen Zwischenraum zwischen der ersten Chipoberfläche und der ersten Trägeroberfläche bereitstellt, undeine erste galvanisch abgelagerte metallische Schicht, die sich in dem Zwischenraum befindet.

公开(公告)号：DE102013015942B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102013015942

申请日：2013-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/492 ,  H01L25/16

Abstract: Halbbrückenschaltung (400), umfassend:einen ersten Träger (401_1), einen zweiten Träger (401_2) und einen dritten Träger (401_3);einen ersten Leistungshalbleiterchip (402_1), der eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfasst, wobei eine Source-Elektrode auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist und der erste Leistungshalbleiterchip (402_1) so auf dem ersten Träger (401_1) montiert ist, dass die zweite Hauptfläche dem ersten Träger (401_1) zugewandt ist und eine Drain-Elektrode mit dem ersten Träger (401_1) elektrisch verbunden ist;einen zweiten Leistungshalbleiterchip (402_2), der eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfasst, wobei eine Source-Elektrode auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist und der zweite Leistungshalbleiterchip (402_2) so auf dem zweiten Träger (401_2) montiert ist, dass die zweite Hauptfläche dem zweiten Träger (401_2) zugewandt ist;einen Logikhalbleiterchip (402_3) auf dem dritten Träger (401_3), der die Leistungshalbleiterchips (402_1, 402_2) steuert;eine Kontaktklammer (450), die an den ersten Träger (401_1) und die Source-Elektrode des zweiten Leistungshalbleiterchips (402_2) gekoppelt ist und die Drain-Elektrode des ersten Leistungshalbleiterchips (402_1) elektrisch mit der Source-Elektrode des zweiten Leistungshalbleiterchips (402_2) verbindet;einen Verkapselungskörper (404), in den die Halbleiterchips (402_1, 402_2, 402_3) eingebettet sind;einen als integrales Teil ausgebildeten Kontaktclip (203), wobei der Kontaktclip (203) umfasst:einen Bondungsabschnitt (203_1), der an die Source-Elektrode des ersten Leistungshalbleiterchips (402_1) gebondet ist;einen ersten Abschnitt (203_3), der einen ersten seitlichen Rand des Kontaktclips (203) umfasst und einen externen Anschluss der Halbbrückenschaltung (400) bildet, wobei der externe Anschluss an dem Verkapselungskörper (404) frei liegt;einen zweiten Abschnitt (233_3), der einen zweiten seitlichen Rand des Kontaktclips umfasst, wobei der zweite Abschnitt (233_3) über eine Bondschicht (461) mit einem getrennt von den Trägern (401_1, 401_2, 401_3) ausgestalteten Außenanschlusselement (460) verbunden ist, wobei der zweite seitliche Rand des Kontaktclips (203) in den Verkapselungskörper (404) eingebettet ist und das Außenanschlusselement (460) an dem Verkapselungskörper frei liegt;wobei der erste seitliche Rand und der zweite seitliche Rand auf verschiedenen Höhen relativ zu einer unterseitigen Ebene der Träger (401_1, 401_2, 401_3) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102011053149B4

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102011053149

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL ,  KAHLMANN FRANK ,  MEYER-BERG GEORG ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Die-Struktur, aufweisend: einen Die (101); und eine Metallisierungsschicht (102), die auf oder über der Vorderseite des Dies (101) angeordnet ist, wobei die Metallisierungsschicht (102) Kupfer aufweist, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil das Kupfer aufweist und einen Drahtbondbereich (104) aufweist, an den eine Drahtbondstruktur gebondet werden soll.

公开(公告)号：DE102014110845A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102014110845

申请日：2014-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/34 ,  H01L25/18 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18

Abstract: Ein Bauelement enthält ein Substrat, das einen elektrisch isolierenden Kern enthält, ein erstes elektrisch leitendes Material, das über einer ersten Hauptoberfläche des Substrats angeordnet ist, und ein zweites elektrisch leitendes Material, das über einer zweiten Hauptoberfläche des Substrats gegenüber der ersten Hauptoberfläche angeordnet ist. Das Bauelement enthält weiterhin eine elektrisch leitende Verbindung, die sich von der ersten Hauptoberfläche zur zweiten Hauptoberfläche erstreckt und das erste elektrisch leitende Material und das zweite elektrisch leitende Material elektrisch koppelt, einen ersten Halbleiterchip, der über der ersten Hauptoberfläche angeordnet und elektrisch an das erste elektrisch leitende Material gekoppelt ist, und einen zweiten Halbleiterchip, der über der zweiten Hauptoberfläche angeordnet und elektrisch an das zweite elektrisch leitende Material gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102013112708A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102013112708

申请日：2013-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER-BERG GEORG ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  FUERGUT EDWARD

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/268 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: Es werden ein Träger und ein Halbleiterchip bereitgestellt. Eine Verbindungsschicht wird auf eine erste Hauptfläche des Halbleiterchips aufgetragen. Die Verbindungsschicht umfasst eine Mehrzahl von Vertiefungen. Ein Füllmaterial wird auf die Verbindungsschicht oder den Träger aufgetragen. Der Halbleiterchip wird so am Träger befestigt, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger angeordnet ist. Der Halbleiterchip wird am Träger fixiert.

公开(公告)号：DE102013015942A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102013015942

申请日：2013-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/492

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Träger. Des Weiteren umfasst das Halbleiterbauelement einen Halbleiterchip, der eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfasst, wobei eine erste Elektrode auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist und der Halbleiterchip so auf dem Träger montiert ist, dass die zweite Hauptfläche dem Träger zugewandt ist. Des Weiteren wird ein Verkapselungskörper bereitgestellt, in den der Halbleiterchip eingebettet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst des Weiteren einen Kontaktclip, wobei der Kontaktclip ein integraler Teil mit einem Bondungsabschnitt, der an die erste Elektrode gebondet ist, und mit einem Anschlussabschnitt, der einen externen Anschluss des Halbleiterbauelements bildet, ist.

公开(公告)号：DE102013104952A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：DE102013104952

申请日：2013-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  TIMME HANS-JOERG

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/04 ,  H01L25/07

Abstract: Bei einer Ausführungsform enthält ein Halbleiterpackage einen vertikalen Halbleiterchip (20) mit einer ersten Hauptoberfläche auf einer Seite des vertikalen Halbleiterchips (20) und einer zweiten Hauptoberfläche auf einer gegenüberliegenden Seite des vertikalen Halbleiterchips (20). Die erste Hauptoberfläche enthält ein erstes Kontaktgebiet, und die zweite Hauptoberfläche enthält ein zweites Kontaktgebiet. Der vertikale Halbleiterchip (20) ist eingerichtet zum Regeln des Stromflusses von dem ersten Kontaktgebiet zu dem zweiten Kontaktgebiet entlang einer Stromflussrichtung. Ein rückseitiger Leiter ist an dem zweiten Kontaktgebiet der zweiten Hauptoberfläche angeordnet. Das Halbleiterpackage enthält weiterhin ein erstes Kapselungsmittel (50), in dem der vertikale Halbleiterchip (20) und der rückseitige Leiter angeordnet sind.

公开(公告)号：DE10208635B4

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：DE10208635

申请日：2002-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  RIEDL EDMUND MARTIN

IPC: B23K35/14 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K35/02 ,  B23K35/24 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  H01L21/60

公开(公告)号：DE102006060484A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：DE102006060484

申请日：2006-12-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KOENIGSBERGER ALEXANDER ,  OTREMBA RALF ,  SCHIESS KLAUS

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: A semiconductor component (1) has a semiconductor chip (5) and a semiconductor component carrier (3) with external connection strips (12, 13, 15). The semiconductor chip (5) has a first electrode (6) and a control electrode (7) on its top side (8) and a second electrode (9) on its rear side (10). The semiconductor chip (5) is fixed by its top side (8) in flip-chip arrangement (11) on a first and a second external connection strip (12, 13) for the first electrode (6) and the control electrode (7). The second electrode (9) is electrically connected to at least one third external connection strip (15) via a bonding tape (14).