公开(公告)号：DE102010015930B4

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102010015930

申请日：2010-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  DECKER STEFAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: Integrierte Schaltung (100), die aufweist:einen ersten FET (110) und einen zweiten FET (120), wobeieine Dotierstoffkonzentration eines Bodys entlang eines Kanals des ersten (110) und zweiten (120) FETs jeweils einen Peak an einer Position (Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Zmax) innerhalb des Kanals aufweist; und wobeidas Gate des ersten FETs (910) mit dem Gate des zweiten FETs (920) verbunden ist;ein Element aus Source und Drain des ersten FETs (910) mit dem entsprechenden Element aus Source und Drain des zweiten FETs (920) verbunden ist; undwobei das andere Element aus Source und Drain des ersten FETs (910) und das andere Element aus Source und Drain des zweiten FETs (920) mit einem Schaltkreiselement (930) verbunden sind.

公开(公告)号：DE102015112728A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE102015112728

申请日：2015-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  DEL CROCE PAOLO ,  PETRUZZI LUCA ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung umfasst die Halbleitervorrichtung eine Leistungsvorrichtungswanne (114) in einem Halbleitersubstrat (106), eine Logikvorrichtungswanne (116) in dem Substrat und durch ein Trennungsgebiet (118) des Substrats von der Leistungsvorrichtungswanne (114) beabstandet, und eine Minoritätsladungsträger-Umwandlungsstruktur (108), die ein erstes dotiertes Gebiet (152) eines ersten Leitfähigkeitstyps in dem Trennungsgebiet (118), ein zweites dotiertes Gebiet (154) eines zweiten Leitfähigkeitstyps in dem Trennungsgebiet (118) und eine leitende Schicht (160), die das erste und das zweite dotierte Gebiet (152, 154) verbindet, umfasst. Das zweite dotierte Gebiet (154) umfasst einen ersten Teil (156), der zwischen das erste dotierte Gebiet (152) und der Leistungsvorrichtungswanne (114) eingefügt ist, und einen zweiten Teil (158), der zwischen das erste dotierte Gebiet (152) und der Logikvorrichtungswanne (116) eingefügt ist.

公开(公告)号：DE102010015930A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：DE102010015930

申请日：2010-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  DECKER STEFAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

公开(公告)号：DE10002129B4

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：DE10002129

申请日：2000-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEISS HEINRICH ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

公开(公告)号：DE102004063946A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：DE102004063946

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN ,  OSTERMANN THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/762 ,  G11C29/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A transistor has a cell array with two or more transistor cells, a temperature sensor, which is integrated in the cell array or is adjacent to the cell array, and an isolation structure. The isolation structure isolates the temperature sensor from the cell array, and has an isolation trench, which is arranged between the cell array and the temperature sensor. The distance between the temperature sensor and the active transistor cell that is closest to the temperature sensor corresponds approximately to the pitch between active transistor cells within the cell array.

公开(公告)号：DE10001868B4

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：DE10001868

申请日：2000-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  KNAPP ACHIM ,  PAIRITSCH HERBERT

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

公开(公告)号：DE10001868A1

公开(公告)日：2001-08-02

申请号：DE10001868

申请日：2000-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  KNAPP ACHIM ,  PAIRITSCH HERBERT

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: The component has a semiconducting body (1) of one conductor type contg. a body zone (2) of the opposite conductor type and at least one field plate (4) on an insulating coating (5,6) on the semiconducting body and essentially in a region outside the pn-junction defined by the body zone and the semiconducting body. The body zone has an extension zone (10) of the other conductor type formed by additional doping that extends in the semiconducting body until beneath the insulating coating at a distance from the surface of the semiconducting body.