公开(公告)号：DE102016108125A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102016108125

申请日：2016-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDT PHILIP ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRÉ RAINER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  AUER THOMAS ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterkörper (40) auf, der eine erste Seite (101), einen Rand (41), der den Halbleiterkörper (40) in einer zu der ersten Seite (101) parallelen Richtung begrenzt, einen aktiven Bereich (110), einen peripheren Bereich (120), der zwischen dem aktiven Bereich (110) und dem Rand (41) angeordnet ist, ein erstes Halbleitergebiet (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das sich von dem aktiven Bereich (110) in den peripheren Bereich (120) erstreckt, ein zweites Halbleitergebiet (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das einen pn-Übergang (12) mit dem ersten Halbleitergebiet (1) bildet, ein erstes Randabschlussgebiet (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, das an das erste Halbleitergebiet (1) angrenzt und an der ersten Seite (101) und zwischen dem zweiten Halbleitergebiet (2) und dem Rand (41) angeordnet ist, und ein zweites Randabschlussgebiet (5) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an der ersten Seite (101) und zwischen dem ersten Randabschlussgebiet (4) und dem Rand (41) angeordnet ist, auf. Das zweite Randabschlussgebiet (5) weist eine variierende Konzentration von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps auf, die mit zunehmender Entfernung von dem ersten Randabschlussgebiet (4) mindestens neben dem ersten Randabschlussgebiet (4) im Wesentlichen linear zunimmt.

公开(公告)号：DE102005063580B3

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：DE102005063580

申请日：2005-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFAFFENLEHNER MANFRED ,  RÜTHING HOLGER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Leistungs-IGBT, der folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterkörper (100) mit einer Emitterzone (11) eines ersten Leitungstyps und einer sich an die Emitterzone (11) anschließenden Driftzone (12) eines zweiten Leitungstyps, – ein Zellenfeld mit einer Anzahl Transistorzellen (13), die jeweils eine Sourcezone, (15) eine zwischen der Sourcezone (15) und der Driftzone angeordnete Bodyzone (14) und eine isoliert gegenüber der Sourcezone (15) und der Bodyzone (14) angeordnete Gate-Elektrode (16) aufweisen und bei denen die Sourcezone (15) und die Bodyzone (14) kurzgeschlossen sind, wobei das Zellenfeld einen ersten Zellenfeldabschnitt (101) mit einer ersten Zellendichte und einen zweiten Zellenfeldabschnitt (102) mit einer zweiten Zellendichte, die geringer ist als die erste Zellendichte, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Übergangsbereich zwischen dem ersten Zellenfeldabschnitt (101) und dem zweiten Zellenfeldabschnitt (102) in einer Richtung von dem zweiten zu dem ersten Zellenfeldabschnitt wenigstens eine Transistorzelle (131) vorhanden ist, bei der die Bodyzone (14) benachbart zu der Sourcezone (15) einen Abschnitt (141) aufweist, der in der Bodyzone (14) angeordnet ist und der eine gegenüber übrigen Abschnitten der Bodyzone (14) erhöhte Dotierungskonzentration aufweist.

公开(公告)号：DE102005004354A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：DE102005004354

申请日：2005-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LASKA THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  UMBACH FRANK ,  PFIRSCH FRANK ,  HILLE FRANK ,  GRIEBL ERICH ,  PFAFFENLEHNER MANFRED

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Semiconductor device has a semiconductor body between front and rear side contacts with front and rear side surfaces. Control electrodes are embedded against base areas (3) in trenches, such that current flow between emitter areas (9) and drift areas is controllable by the electrodes. A floating area (5) has a penetration depth in the drift areas, where the depth corresponds to another two penetration depths of the base areas and the trenches.

公开(公告)号：DE10261424B3

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：DE10261424

申请日：2002-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HILLE FRANK ,  PFAFFENLEHNER MANFRED

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/332

Abstract: Production of an emitter with a good ohmic contact to a metallic contact layer for a semiconductor component comprises introducing an emitter into a surface region of a semiconductor body (10) by doping in three steps, in which the last doping step is ion implantation. The defects formed by ion implantation weaken the emitter degree of action by raising the recombination rate and thus reducing the charge carrier service life and simultaneously deliver a further active doping.