Abstract:
Es handelt sich um eine elektronische Anordnung (1) mit einem Träger (2) auf dem mindestens eine Verbindungsfläche (6) angeordnet ist. Mindestens ein elektronisches Bauelement ( 3a, 3b, 3c) ist auf der Verbindungsfläche (6) mittels eines Kontaktmaterials (4) befestigt. Eine Deckfläche (5) umgibt die Verbindungsfläche (6) auf dem Träger (2). Mindestens ein abgedeckter Bereich (15, 16, 17, 18, 19) ist von einem Abdeckmaterial (10) bedeckt. Das Abdeckmaterial (10) ist derart eingerichtet, dass ein optischer Kontrast zwischen der Deckfläche (5) und dem abgedeckten Bereich (15, 16, 17, 18, 19) minimiert ist.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen metallischen Leiterrahmen (102). Auf dem Leiterrahmen (102) ist ein Halbleiterchip (104) aufgebracht. Den Halbleiterchip (104) umschliet eine Vergussmasse (106). Zwischen der Vergussmasse (106) und dem Leiterrahmen (102) ist eine Schutzschicht (108) vorgesehen, wobei die Schutzschicht (108) eine geringere Gaspermeabilität als die Vergussmasse (106) aufweist.
Abstract:
Es wird ein Gehäuse (2) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) angegeben mit - einem Gehäusegrundkörper (21), der eine Chipmontageseite (22) aufweist, - mindestens zwei elektrischen Leiterstrukturen (23) in und/oder an dem Gehäusegrundkörper (21), und - mehreren Drainage-Strukturen (24) an der Chipmontageseite (22), wobei - die elektrischen Leiterstrukturen (23) an der Chipmontageseite (22) elektrische Kontaktflächen (25) für zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) bilden, und - die Drainage-Strukturen (24) als Zuführungen für ein flüssiges Vergussmaterial (40) hin zu den elektrischen Kontaktflächen (25) gestaltet sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Träger (1), wobei auf dem Träger (1) ein optoelektronisches Bauelement (3) angeordnet ist, wobei ein Material (5) auf dem Träger (1) angeordnet ist, wobei der Träger (1) wenigstens ein Strukturelement (13,14,15) aufweist, das ein Fließen des Materials (5) in einer Fließrichtung (10) erschwert, wobei sich das Strukturelement (13,14,15) quer zu der Fließrichtung (10) erstreckt, wobei das Strukturelement (13,14,15) einen Verrundungsradius (19) senkrecht zur Quererstreckung des Strukturelements aufweist, der kleiner als 20 µm ist.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), - Aufbringen einer Vielzahl von Anordnungen (20) von elektrisch leitenden ersten Kontaktelementen (21) und zweiten Kontaktelementen (22) auf dem Hilfsträger (1), - Aufbringen jeweils eines optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf dem zweiten Kontaktelement (22) jeder Anordnung (20), - elektrisch leitendes Verbinden der optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit den ersten Kontaktelementen (21) der jeweiligen Anordnung (20), - Umhüllen der ersten Kontaktelemente (21) und der zweiten Kontaktelemente (22) mit einem Umhüllungsmaterial (4), und - Vereinzeln in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, wobei - das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (21b) eines jeden ersten Kontaktelements (21) abschließt, und - das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (22b) eines jeden zweiten Kontaktelements (22) abschließt.
Abstract:
Verschiedene Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelements weisen einen optoelektronischen Halbleiterchip (104) auf, der eine Kontaktseite (106) und eine der Kontaktseite (106) gegenüberliegende Strahlungsauskopplungsseite (108) aufweist. Das optoelektronische Bauelement weist einen Chipträger (102) auf, auf den der Halbleiterchip (104) über seine Kontaktseite (106) aufgebracht ist. Auf der Strahlungsauskopplungsseite (108) ist ein Strahlungskonversionselement (110) aufgebracht. Auf dem Chipträger (102) ist zudem eine Vergussmasse (112) aufgebracht, die den Halbleiterchip (104) und das Strahlungskonversionselement (108) seitlich umschließt. Die Vergussmasse (112) ist eine reflektierende Vergussmasse (112). Sie schließt im Wesentlichen bündig an eine Oberkante des Strahlungskonversionselements (110) an, so dass eine Oberseite des Strahlungskonversionselements (110) frei von der Vergussmasse (112) ist.
Abstract:
The invention relates to a semiconductor component (1) comprising at least one optoelectronic semiconductor chip (2) and a connecting carrier (5) having a connecting surface (53) on which the semiconductor chip (2) is disposed. A reflective coating (4) and a limiting structure (3) are formed on the connecting carrier (5), wherein the limiting structure (3) at least partially encloses the semiconductor chip (2) in the lateral direction, and the reflective coating (4) at least partially extends in the lateral direction between a side surface (21) of the semiconductor chip and the limiting structure (3). The invention further relates to a method for producing a semiconductor component.
Abstract:
The invention relates to a component (1) having an optoelectronic semiconductor chip (2) that is attached to a connecting carrier (4) having a connection layer (3) and embedded in an encapsulation (5), wherein a decoupling layer (6) is at least partially arranged between the connecting layer (3) and the encapsulation (5). The invention further relates to a method for producing a component.