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公开(公告)号：CN101317263A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044187.9
申请日：2006-11-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B7/0051 , B81B7/0064 , B81B2201/025 , B81C2203/038 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元，该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板，该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此，该封装基板结合于传感器单元上。
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公开(公告)号：CN1780732A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011500.X
申请日：2004-04-16
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 安德鲁·C.·麦克尼尔 , 加里·李 , 加里·J.·奥''·布里恩
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/025 , G01P15/08 , G01P15/0802 , G01P15/0888 , G01P2015/0814 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供了一种用于MEMS器件的检测质量体(11)。该检测质量体包括：包括半导体材料的基体(13)，以及至少一个通过杆(21)连接到所述基体的附属体(15)。附属体(15)包括金属(17)或者别的可以设置在半导体材料(19)上的材料。与只用半导体材料制成的类似尺寸的检测质量体相比，金属增加了检测质量体(11)的总质量，同时没有增加检测质量体的尺寸。同时，通过杆(21)连接附属体(15)防止了附属体中的CTE差异导致的、可能会导致温度误差的应力被传递到基体。
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公开(公告)号：CN107720689A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710946856.1
申请日：2012-06-29
Applicant: 村田电子有限公司
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/036 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00333 , G01C19/5783 , G01L19/0084 , G01L19/148 , G01P1/023 , G01P1/026 , G01P15/0802 , H01L21/568 , H01L23/528 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14618 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8312 , H01L2224/8319 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , B81B7/0032 , B81C2203/01
Abstract: 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中，将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及用于输入操作和输出操作的连接元件包含到系统级封装器件中。选择第一类管芯以用于重定尺寸，所选择的第一类管芯为光学元件。向所选择的第一类管芯的至少一侧添加材料，使得所添加的材料和所选择的第一类管芯形成重定尺寸的管芯结构。在重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对重定尺寸的管芯结构进行定尺寸，以允许将未被选择的至少一个第二类管芯以及连接元件安装成经由连接层与重定尺寸的管芯结构接触。通过从与连接层相对的表面移除所添加的材料来进行减薄，使得所选择的第一类管芯的光学元件露出。
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公开(公告)号：CN105874312A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480054655.5
申请日：2014-07-31
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , G01C19/5769 , G01C19/5783 , G01L1/14 , G01L1/18 , G01P1/023 , G01P15/125 , G01P15/14 , G01P15/18 , G01P2015/0862 , G01P2015/088
Abstract: 在一个实施例中，用于电容式压力传感器的工艺流程与用于惯性传感器的工艺流程相结合。以此方式，在压力传感器的膜层内实现惯性传感器。器件层同时用作惯性传感器中进行平面外传感的z轴电极和/或惯性传感器的布线层。压力传感器工艺流程的膜层（或覆盖层）用来限定惯性传感器传感结构。在膜层中的绝缘氮化物塞用于使多轴惯性传感器的各种传感结构解除电气联接，从而允许完全的差动传感。
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公开(公告)号：CN102556939B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110462085.1
申请日：2011-11-23
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81B7/0074 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81C2201/019 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)器件的系统和方法。在一实施例中，系统包括第一外部层和包括第一组MEMS器件的第一器件层，其中第一器件层接合到第一外部层。系统还包括第二外部层和包括第二组MEMS器件的第二器件层，其中第二器件层接合到第二外部层。此外，系统包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中央层，其中第一侧接合到第一器件层且第二侧接合到第二器件层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103288044B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210075851.3
申请日：2012-03-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: B81C3/00
CPC classification number: B23K1/0008 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2207/012 , B81C3/005 , B81C2203/057 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明提供一种精准集成三轴MEMS装置到基板的方法，其利用表面张力使待安装到基板或引线框架上的z轴传感装置与xy平面以精确角度对齐。根据本发明，z轴传感装置的高度小于或大致等于其y维宽度，而z轴传感装置的x维纵向长度大于y维或z维尺寸。因此，不同于又薄又高的墙的形状，z轴传感装置的构造使其非常难于垂直对齐，延长了的z轴传感装置安装在短的z轴上，这样使其更容易垂直对齐并安装。
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公开(公告)号：CN102564469B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110456815.7
申请日：2011-11-23
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/025 , B81B2203/0136 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明涉及具有线性驱动/拾取的MEMS垂直梳状结构。一种MEMS传感器，包括基板和具有第一多个梳状物的至少一个检验质量块。该检验质量块经由一个或多个悬挂梁耦合到基板以使得检验质量块和第一多个梳状物能移动。该MEMS传感器还包括具有第二多个梳状物的至少一个锚。该锚耦合到基板以使锚和第二多个梳状物相对于基板被固定在适当位置。第一多个梳状物与第二多个梳状物交错。每个梳状物都包括通过一个或多个非导电层彼此电隔离的多个导电层。每个导电层都单独耦合到各自电势以使得梳状物之间的电容随着能移动梳状物在面外方向上的位移近似线性变化。
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公开(公告)号：CN104925735A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510116966.6
申请日：2015-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 古畑诚
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2207/092 , B81B2207/097 , G01P15/125 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种电子装置、电子模块、电子设备以及移动体。电子装置具备对第一基材和第二基材之间进行密封而形成的收纳空间和被收纳于收纳空间内的第一功能元件和第二功能元件，收纳空间在俯视观察时被配置在第一基材和所述第二基材被接合的框状的接合部的内部区域内，接合部包含设置于一方的第一接合区域和设置于另一方的第二接合区域，所述电子装置还具备第一布线部和第二布线部，第一布线部与第一功能元件连接，并具有从内部区域经由第一接合区域而朝向收纳空间的外部的第一方向，第二布线部与第二功能元件电连接，并具有从内部区域经由第二接合区域而朝向收纳空间的外部的第二方向。
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公开(公告)号：CN103373698B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210126539.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , B81B2201/025 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G01C19/5783 , G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器，包括步骤：在半导体基底上淀积第一碳层作为牺牲层；图案化第一碳层，形成固定锚栓，惯性锚栓和底部密封环；形成固定锚栓中的接触插塞和惯性锚栓中的接触插塞；在所述第一碳层和固定锚栓、惯性锚栓上形成第一固定电极、惯性电极以及与惯性电极相连的连接电极，所述第一固定电极和惯性电极构成一对电容；在所述第一固定电极和惯性电极上形成第二碳层作为覆盖层；在所述第二碳层和顶部密封环上形成顶盖层。本发明的惯性传感器在惯性力的作用下只有惯性电极移动，固定电极不会移动和震动，从而提高了惯性传感器的精确度。
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公开(公告)号：CN101643193B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN200910161124.7
申请日：2009-08-04
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81C1/00293 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , Y10T428/24744
Abstract: 本发明涉及一种具有一基底晶片(10)的微机械装置，该微机械装置至少具有一个第一空腔(21)和一个第二空腔(22)，其中所述空腔密封地彼此分离，其中所述第一空腔(21)具有不同于所述第二空腔(22)的另一大气内压力。本发明的核心在于，采用一薄层罩(100)来封装所述空腔。此外，本发明还涉及用于制造具有薄层封装的微机械装置的方法，该微机械装置具有带有不同大气内压力的空腔。
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