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公开(公告)号：CN105682769A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201380080616.8
申请日：2013-10-30
Inventor： 罗格·A·麦凯 , 帕特里克·W·萨迪克
CPC classification number: B01D29/0093 , B01D35/02 , B01D67/0032 , B01D67/0062 , B01D69/02 , B01D2325/021 , B81B7/0061 , B81C1/00071 , B81C1/00119 , B81C1/00539 , B81C2201/0115 , B81C2201/0135 , B81C2201/014 , C23C14/5873 , C23C18/1603 , C23F1/00 , C23F1/02
Abstract: 一种方法包括：在衬底上形成蚀刻岛，并将具有蚀刻岛的衬底暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以在衬底中形成互连孔隙的过滤通道。过滤通道具有进入衬底的入口和离开衬底的出口。
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公开(公告)号：CN105502277A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410493916.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0257 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2201/0143 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提供一种MEMS麦克风及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面自下而上形成有牺牲层、振动膜和若干定极板；对半导体衬底的背面进行激光切割，直到暴露牺牲层，以形成切割口，其中，所述切割口位于半导体衬底背面对应定极板的区域边缘；在半导体衬底的背面和切割口内形成图案化的光刻胶层，暴露切割口内侧的半导体衬底；以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底的背面，直到暴露牺牲层，形成腔体；去除振动膜中间部位上方和下方的牺牲层，以在定极板和振动膜之间形成空腔。根据本发明的制作方法，改善了干法刻蚀中产生的腔体尺寸均匀性差的问题，提高了微型麦克风的声噪比性能。
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公开(公告)号：CN103443020B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280005251.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 维克拉姆·乔希 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2207/096 , B81C1/00039 , B81C1/00333 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714
Abstract: 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。
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公开(公告)号：CN102815659B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102119118B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980131329.9
申请日：2009-07-06
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00166 , B81B2201/033 , B81C2201/014
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械部件(100)的制造方法，包括以下步骤：在基本衬底上形成第一蚀刻停止层，第一蚀刻停止层被这样地构造，使得它具有穿透的留空的第一图案；在第一蚀刻停止层上形成第一电极材料层；在第一电极材料层上形成第二蚀刻停止层，第二蚀刻停止层被这样地构造，使得它具有穿透的留空的与第一图案不同的第二图案；在第二蚀刻停止层上形成第二电极材料层；在第二电极材料层上形成结构化的掩膜；和在第一方向上执行第一蚀刻步骤并且在与第一方向相反指向的第二方向上执行第二蚀刻步骤，以便由第一电极材料层蚀刻出至少一个第一电极单元及由第二电极材料层蚀刻出至少一个第二电极单元。本发明还涉及微机械部件(100)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101277897B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200680036330.X
申请日：2006-11-02
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
CPC classification number: H01H59/0009 , B81C1/0015 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , G11C23/00 , H01H51/12
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107)，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终，最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。
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公开(公告)号：CN1657401B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200510009071.9
申请日：2005-02-17
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/014 , G01L9/0042 , G01L9/0054
Abstract: 本发明描述了一种微机械的半导体元件、以及一种制造微机械的半导体元件的方法，其中，半导体元件尤其设计用作压力传感器。这里，为了制造，在一个半导体衬底上制作出一个局部有限的、埋入的、至少部分氧化的多孔的层。有利的是，接下来通过一个沟槽蚀刻工艺，从背侧直接在该多孔的第一层下面，在半导体衬底中制造出一个空洞。本发明的核心是：该多孔的第一层用作开沟槽的终止层。这样能够制造出具有很小的厚度公差的用于差动压力测量的薄膜片。
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公开(公告)号：CN102119118A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131329.9
申请日：2009-07-06
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00166 , B81B2201/033 , B81C2201/014
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械部件(100)的制造方法，包括以下步骤：在基本衬底上形成第一蚀刻停止层，第一蚀刻停止层被这样地构造，使得它具有穿透的留空的第一图案；在第一蚀刻停止层上形成第一电极材料层；在第一电极材料层上形成第二蚀刻停止层，第二蚀刻停止层被这样地构造，使得它具有穿透的留空的与第一图案不同的第二图案；在第二蚀刻停止层上形成第二电极材料层；在第二电极材料层上形成结构化的掩膜；和在第一方向上执行第一蚀刻步骤并且在与第一方向相反指向的第二方向上执行第二蚀刻步骤，以便由第一电极材料层蚀刻出至少一个第一电极单元及由第二电极材料层蚀刻出至少一个第二电极单元。本发明还涉及微机械部件(100)。
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公开(公告)号：CN1665964A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03816039.0
申请日：2003-05-07
Applicant: 微制造公司
CPC classification number: B81C1/00126 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B81B2201/042 , B81C1/00476 , B81C2201/014 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C25D1/003 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01P1/202 , H01P3/06 , H01P5/183 , H01P11/00 , H01P11/005 , H05K3/4647
Abstract: 多层结构是由至少一种结构材料(例如，铜)和至少一种牺牲材料(例如，铜)电化学制造而成的，该至少一种结构材料构造为定义所期望的结构，且粘结到衬底上，该至少一种牺牲材料包围该所期望的结构。在形成该结构之后，通过多阶段蚀刻操作去除牺牲材料。在一些实施例中，要被去除的牺牲材料可以位于通道等中，或位于衬底上或位于附加的部件中。多阶段蚀刻操作可被清洁操作或屏障材料去除操作等分离开。通过与结构材料或衬底相接触可适当地固定多个屏障，或通过牺牲材料适当地单独固定它们，因此在去除了所有剩余的牺牲材料之后能自由地去除它们。
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公开(公告)号：CN107799388A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610805514.3
申请日：2016-09-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 王贤超
CPC classification number: H01L21/76804 , B81B2201/0257 , B81C1/00587 , B81C2201/014 , H01L21/02326 , H01L21/02505 , H01L21/3205 , H01L21/56 , H01L23/5329 , H01L29/4232 , H01L2924/0002 , H01L21/022 , H01L21/02109 , H01L23/13
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底以及位于该衬底上的多层膜，其中所述多层膜形成台阶；形成覆盖在台阶上的保护层；在保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层；以及去除所述多层膜中的至少一层膜以形成由覆盖层与所述多层膜中剩余的至少一层膜构成的空腔。本发明可以解决现有技术中形成空腔时所使用的刻蚀工艺对覆盖层的台阶造成损害而产生裂缝的问题，从而可以提高器件的可靠性。
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