公开(公告)号：CN104662636B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380049448.6

申请日：2013-08-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  奈尔·J·巴森 ,  威尔汉·J·普拉托

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/02 ,  H01J27/02

CPC classification number: H01J37/3002 ,  B08B7/0021 ,  H01J27/024 ,  H01J37/02 ,  H01J37/045 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明揭示一种离子源及一种清洗离子源的方法。此离子源包括离子源腔室、抑制电极以及接地电极。在处理模式中，离子源腔室可被施加以第一正电压，而抑制电极被施加以负电压，以便透过孔从离子源腔室内吸引正离子，且使之朝向工件。在清洗模式中，离子源腔室可接地，而抑制电极被具有高电流能力的电源供应器施加以偏压。施加在抑制电极上的电压在抑制电极与离子源腔室之间以及抑制电极与接地电极之间产生等离子体。本发明能够改善离子源的效能及延长其寿命。

公开(公告)号：CN104303256B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201280070115.7

申请日：2012-12-19

Applicant: 安特卫普大学

Inventor： J·费尔贝克 ,  G·范腾德罗

IPC: H01J37/26

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J3/02 ,  H01J3/021 ,  H01J37/06 ,  H01J37/08 ,  H01J37/256 ,  H01J37/261 ,  H01J2237/06383 ,  H01J2237/2614

Abstract: 描述了用于将轨道角动量施加到沿着带电粒子束发生装置中的波束轴(104)传播的带电粒子波的设备(100)。该设备包括：支撑元件(106)，该支撑元件具有适配于透射沿着波束轴(104)传播的带电离子波的目标区域(108)；以及，感应装置(112)，该感应装置用于沿着具有位于所述目标区域(108)的自由端部分的细长轮廓感应磁通，并且该感应装置(112)适配于在所述细长轮廓中提供磁通，以便感应带电离子波在透射经过所述目标区域(108)时的相位相对于波束轴的角梯度。还公开了相应的方法以及其在电子显微术中的使用。

公开(公告)号：CN106128928A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610617120.5

申请日：2016-07-29

Applicant: 中国原子能科学研究院

Inventor： 贾先禄 ,  宋国芳

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/02 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/02 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明属于超导回旋加速器技术领域，具体涉及一种高磁场下微型潘宁离子源的引出结构。包括设置在潘宁离子源的阳极筒侧面上的阳极筒引出缝和靠近阳极筒引出缝设置的引出电极，引出电极上的引出电极缝口对应阳极筒引出缝，当引出电极上加载高频电压后能够通过电极缝口将阳极筒内的等离子体从阳极筒引出缝引出，其中，阳极筒引出缝设置在阳极筒的引出壁上，引出壁的厚度小于阳极筒的其他位置厚度；阳极筒引出缝长6mm‑10mm，设有特定角度的张角，宽0.5mm；电极缝口长6mm‑10mm，宽0.5mm；阳极筒引出缝、电极缝口的长度保持一致。该引出结构尽量减小了阳极筒的引出口的壁厚，增强了内腔壁电压，提高了引出流强，改善了引出束流品质。

公开(公告)号：CN103222029B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201180055553.1

申请日：2011-11-17

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文 ,  谢泽仁

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

Abstract: 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。

公开(公告)号：CN105723498A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480058435.X

申请日：2014-10-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿里·夏奇 ,  大卫·索尼什恩 ,  麦可·基什尼夫斯基 ,  安德鲁·B·考 ,  葛雷哥里·E·斯特拉托蒂

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/32623 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/67213

Abstract: 一种使用于离子植入系统的等离子体流枪包括绝缘块部分以及配置于绝缘块部分的相对两侧上的第一导电块部分与第二导电块部分。导电带可耦接于第一导电块部分与第二导电块部分之间。导电块部分与中心体部分包括一起形成密闭回路等离子体腔室的凹处。为了将射频电功率感应耦合至密闭回路等离子体腔室中以激发气体物质来产生等离子体，电源耦接于导电块部分。在第二导电块部分中的凹处包括紧缩区域，其中紧缩区域的截面尺寸小于与紧缩区域直接相邻的部分的密闭回路等离子体腔室的截面面积。紧缩区域可紧邻在形成于第二导电部分中的出口部分。

公开(公告)号：CN105719927A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510955932.6

申请日：2015-12-17

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 胡扣霖 ,  白晓 ,  万志民 ,  陈丽暖 ,  冯增烜

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32522

Abstract: 离子源具有蒸发器并使用以下之一或更多方式控制位于蒸发器内材料的温度。首先，容器内材料与邻近电弧室之间的距离可调整。其次，当蒸发器内有两个或更多个容器，这些容器与邻近电弧室之间的距离并不是都相同。第三，加热器及/或冷却器被用来将热带入或带离蒸发器，即使容器位于蒸发器内。第四，热屏蔽设置于蒸发器与邻近电弧室之间以阻挡热辐射。因此容器的温度可调整而不再仅由邻近的电弧室决定。此外，离子源具有由稀土元素构成的斥拒极使稀土元素离子直接在电弧室内产生。

公开(公告)号：CN105474349A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480025170.3

申请日：2014-05-02

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 尼尔·科尔文 ,  张锦程

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304

Abstract: 本发明公开一种用于减少离子注入系统中的微粒污染的方法，其中经由离子源与引出电极组件的协同操作而产生离子束。向离子源施加阴极电压以在其中生成离子，并且向引出组件施加抑制电压以阻碍离子束中的电子卷入离子源。选择性调制抑制电压，由此诱发穿过引出组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。根据前述，本发明还公开改进的离子注入系统，其中控制器配置成基本在传送工件的同时选择性将电压调制于预定电压与预定的抑制电压之间，由此诱发穿过引出电极组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。

公开(公告)号：CN105448630A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510912748.3

申请日：2015-12-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 易文杰 ,  彭立波 ,  孙雪平 ,  罗臻 ,  袁卫华 ,  钟新华

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明公开了一种生成铝离子束的离子源，包括：弧室，用于在内部生成等离子体的容器兼作为阳极；所述弧室内导入含氟可电离气体；阴极结构件，设置在弧室内的一侧，与弧室实现电绝缘并且向弧室内放出热电子；反射极结构件，设置在弧室内与阴极结构件相对的一侧，用来反射弧室内的电子；磁铁，用来在弧室内产生磁场。本发明具有结构简单紧凑、提高电离效率、延长热阴极灯丝使用寿命等优点。

公开(公告)号：CN105340049A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480037223.3

申请日：2014-05-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  大卫·P·斯波德莱 ,  杰·舒尔 ,  奈尔·巴森

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  H01L21/425

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/3341

Abstract: 一种离子源，包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧电浆的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧电浆中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。

公开(公告)号：CN103247505B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201310089797.2

申请日：2013-03-20

Applicant: 宁波瑞曼特新材料有限公司

Inventor： 黄永章

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/14 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明涉及半导体制造设备，其公开了一种用于离子束系统的间热式宽带束离子源，包括弧室、双间接加热式阴极、多通道气体入口装置、窗框型源磁铁、限制源磁铁下游的磁场分布范围的磁屏蔽装置、放置在所述弧室内部的内部电极以及给所述弧室、双间接加热式阴极、窗框源磁铁和放置在所述弧室内部的内部电极供电的电源。本发明的有益效果是：通过采用双间热式阴极，具有可调节局部磁场的源磁铁，具有可调节的多个电极，从而进一步达到调接弧室内的等离子体密度分布的目的。