公开(公告)号：CN106379857A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201611043128.1

申请日：2016-11-24

Applicant: 陕西启源科技发展有限责任公司

Inventor： 张淑芬

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00055 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0101 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明谐振式硅微传感器上膜片加工方法，涉及传感器领域，具体涉及谐振式硅微传感器下膜片的加工方法包括以下步骤：选取一片重掺杂的P型硅晶片，利用外延工艺，在硅晶片衬底上，外延10um厚的轻掺杂的N型层，然后，将N型外延层进行化学机械抛光，接着，在硅衬底的正面，热氧化生长一层1um厚的SiO2薄膜，涂覆上光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，利用反应离子腐蚀，腐蚀出两个深度为10um，长度为1800um，宽度为860um的凹槽；利用BHF酸溶液除去硅衬底上的SiO2薄层，在此之后进行化学机械抛光。本发明兼容性好，且加工效率高，有利于提高传感器的可靠性，降低生产成本，可批量生产。

公开(公告)号：CN104291262B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201410239450.6

申请日：2014-06-03

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： M-L.陈 ,  X.李 ,  M.林

IPC: B81B5/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785 ,  H01L41/0926 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H04R7/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。

公开(公告)号：CN105967138A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510446511.0

申请日：2015-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游绍祺 ,  洪嘉明 ,  黄信锭 ,  陈相甫 ,  张华伦 ,  戴文川

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01D21/02

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0109 ,  G01K13/00 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0092 ,  G01N27/221 ,  G01N2027/222

Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。

公开(公告)号：CN103569941B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310345497.6

申请日：2013-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.菲尔古特 ,  R.洛伊施纳 ,  H.托伊斯

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00253 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法。公开了用于形成封装的MEMS器件的系统和方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括：具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；以及与膜相邻的背板。封装的MEMS器件进一步包括灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。

公开(公告)号：CN103733304B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280037056.3

申请日：2012-06-29

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 约瑟夫·西格 ,  伊戈尔·切尔科夫 ,  哈桑·阿克约尔 ,  格克森·G·亚拉里奥格鲁 ,  史蒂文·S·纳西里 ,  伊利亚·古林

IPC: H01L21/00 ,  G01F1/20

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771 ,  G01L1/144 ,  G01L1/148 ,  G01L5/0028 ,  G01L9/0072 ,  G01L15/00 ,  G01L19/0092 ,  G01L19/0636 ,  G01L19/148 ,  G01L27/007

Abstract: 在此披露了一种用于为MEMS设备提供集成电子器件的系统和方法。该MEMS设备包括一个集成电路衬底和一个耦联到该集成电路衬底上的MEMS子组件。该集成电路衬底包括耦联到至少一个固定电极上的至少一个电路。该MEMS子组件包括通过平版印刷工艺形成的至少一个压铆螺母柱、一个带有顶面和底面的柔性板、以及一个耦联到该柔性板上并且电耦联到该至少一个压铆螺母柱上的MEMS电极。作用在该柔性板上的一个力引起该MEMS电极与该至少一个固定电极之间的一个间隙的变化。

公开(公告)号：CN105819391A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610034960.9

申请日：2016-01-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中信幸

IPC: B81B7/00 ,  G01L1/20

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/07 ,  B81B7/0009 ,  G01L1/20

Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性的电子装置，此外，还提供一种具备所涉及的电子装置的压力传感器、高度计、电子设备以及移动体。本发明的物理量传感器(1)具备：基板(2)；被配置在基板(2)的一面侧的压敏电阻元件(5)；以在对基板(2)进行俯视观察时包围压敏电阻元件(5)的方式而被配置在基板(2)的一面侧的壁部(60)；被配置在基板(2)的一面侧的通孔配线(622)；以在俯视观察时与通孔配线(622)分离的方式而被配置在相对于壁部(60)而与基板(2)相反的一侧，并且与基板(2)以及壁部(60)一起构成了空洞部(S)的覆盖层(641)。

公开(公告)号：CN105731359A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510518658.6

申请日：2015-08-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池桥民雄

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01D5/241

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00166 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0618 ,  G01L19/146 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0865

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种传感器。所述传感器包括：基板；第一固定电极，其被布置在所述基板上；可动电极，其被布置在所述第一固定电极之上并且能非平行地移动；第二固定电极，其被布置在所述可动电极之上。所述传感器还包括检测器，所述检测器用以检测第一电容与第二电容之间的差，其中，所述第一电容是所述第一固定电极与所述可动电极之间的电容，所述第二电容是所述可动电极与所述第二固定电极之间的电容。

公开(公告)号：CN102442634B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110295461.2

申请日：2011-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B.宾得 ,  B.菲斯特 ,  T.考奇 ,  S.科尔布 ,  M.米勒

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0045 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。

公开(公告)号：CN105374778A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510478819.3

申请日：2015-08-07

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林建名

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00682 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、第一绝缘层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，且具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片间，且具有第一开口暴露出导电垫。第一绝缘层配置于中介片的下表面，且部分第一绝缘层配置于第一开口内覆盖高分子粘着支撑层。重布局线路配置于穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路且具有第二开口暴露出沟槽。本发明容易有效控制并确保半导体晶片与中介片的连接。

公开(公告)号：CN102381678B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201110262810.0

申请日：2011-08-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 马克·E·施拉曼 ,  林毅桢

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供了一种MEMS装置组件(20)及其封装方法。MEMS装置组件(20)包括MEMS印模(22)以及集成电路(IC)印模(24)。MEMS印模(22)包括形成于衬底(38)上的MEMS装置(36)以及盖层(34)。封装工艺(72)包括在衬底(38)上形成MEMS装置(36)，并移除围绕装置(36)的衬底(38)的材料部分，以形成其上设置MEMS装置(36)的悬臂式衬底平台(46)。盖层(34)连接至衬底(38)以覆盖MEMS装置(36)。MEMS印模(22)与IC印模(24)电互连。施加模制化合物(32)以基本上包封MEMS印模(22)、IC印模(24)以及电互连MEMS装置(22)和IC印模(24)的互连(30)。盖层(34)防止模制化合物(32)接触MEMS装置(36)。