公开(公告)号：JP2010041038A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：JP2009150960

申请日：2009-06-25

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： GLEN D WILK ,  POMAREDE CHRISTOPHE F ,  SHERO ERIC

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions.
SOLUTION: In one preferred embodiment, for example, a silicon dioxide thin film is deposited on a sensitive or flexible surface, to form part of a solar cell, a magnetic head, a device of an MEMS, an ink-jet device, or another microfluidic device. In another preferred embodiment, there are deposited a shallow trench isolation (STI) structure, a sidewall spacer and a gate passivation layer.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供在各种条件下在低温下形成二氧化硅薄膜的原子层沉积（ALD）的工艺。 解决方案：在一个优选实施例中，例如，二氧化硅薄膜沉积在敏感或柔性表面上，以形成太阳能电池的一部分，磁头，MEMS的装置，喷墨装置 ，或另一微流体装置。 在另一个优选实施例中，沉积浅沟槽隔离（STI）结构，侧壁间隔物和栅极钝化层。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009278086A

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：JP2009112415

申请日：2009-05-07

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： SCOTT ROBIN CHARIS ,  JOHNSON MATT

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C23C16/0209 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process and a system for baking in a low pressure impurities to remove from a semiconductor surface before deposition. SOLUTION: Low temperature treatment consumes only a part of a heat history in a short time but has advantage of effectively removing the interfacial oxygen from a semiconductor surface. The process and system are suitable especially for the treatment of a semiconductor surface before epitaxial growth. According to an embodiment, the process is provided for treating a semiconductor substrate in which the substrate is loaded on a substrate supporter in a reaction chamber by the chemical vapor deposition method, and the pressure in the reaction chamber is reduced to a baking pressure of about 1×10 -6 Torr (about 133.32×10 -6 Pa) to 10 Torr (about 1333.22 Pa). COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于在低压杂质下烘烤以在沉积之前从半导体表面去除的工艺和系统。 解决方案：低温处理在短时间内仅消耗一部分热历史，但具有有效地从半导体表面去除界面氧的优点。 该工艺和系统特别适用于在外延生长之前处理半导体表面。 根据一个实施方案，提供了通过化学气相沉积法处理在反应室中将衬底装载到衬底支撑体上的半导体衬底的处理，并且将反应室中的压力降低到约 1×10 -6 -6 Torr（约133.32×10 -6 Pa）至10托（约1333.22Pa）。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009218586A

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：JP2009042170

申请日：2009-02-25

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： WANG CHANG-GONG ,  SHERO ERIC

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: C23C16/45534 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously. SOLUTION: A method for doping a substrate surface or an interface between two thin films by the ALD process is provided. The ALD process generally comprises steps of providing a substrate to a reaction space and depositing a dopant on the substrate in a single ALD cycle, in which the substrate is contacted with a first reactant that is a blocking reactant such that the blocking reactant adsorbs in a self-limiting manner on the surface of the substrate. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供掺杂，其允许通过用阻挡反应物封闭掺杂剂前体的一些可用结合位点来控制沉积的掺杂剂的浓度和均匀性，并且允许阻挡反应物在 在ALD（原子层沉积）工艺中引入掺杂剂前体或允许同时引入封闭反应物和掺杂剂前体。 提供了一种通过ALD工艺掺杂衬底表面或两个薄膜之间的界面的方法。 ALD方法通常包括以下步骤：在反应空间中提供衬底并在单个ALD循环中在衬底上沉积掺杂剂，其中衬底与作为封闭反应物的第一反应物接触，使得阻挡反应物吸附在 在衬底表面上的自限制方式。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：TWI520227B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW101117601

申请日：2012-05-17

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA INC.

Inventor： 包爾 馬提亞斯 ,  BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI457983B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW097115888

申请日：2008-04-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根 羅伯特B. ,  MILLIGAN, ROBERT B.

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L21/76843

公开(公告)号：TWI404123B

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW096118850

申请日：2007-05-25

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 ,  BAUER, MATTHIAS ,  威克斯 基斯 多倫 ,  WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201305379A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101106341

申请日：2012-02-24

Applicant: ASM美國公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 鮑爾 馬西亞斯 ,  BAUER, MATTHIAS ,  巴特力特 葛來高瑞M ,  BARTLETT, GREGORY M.

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67069 ,  Y10T137/0357

Abstract: 根據本發明之多個態樣之一種氣體面板係組態以在一沈積製程步驟期間將具有恆定流率之氣體運送至一反應室。在一實施例中，該氣體面板包括一沈積子面板，該沈積子面板具有一沈積注射管線、一沈積排氣管線及至少一個沈積製程氣體管線。該沈積注射管線將具有一質量流率之一載氣供應至一反應器室。各個沈積製程氣體管線可包含一對切換閥，其經組態以選擇性地將一沈積製程氣體導向至反應器室或一排氣管線。該沈積排氣管線亦包含一切換閥，其經組態以選擇性地將具有等於所有沈積製程氣體之質量流率總和之一第二質量流率之該載氣導向至該反應器室或一排氣管線。該氣體面板經組態以用該等沈積製程管線之質量流率替代該沈積排氣管線之該質量流率，使得當該沈積排氣管線係導向該反應器室時，該等沈積製程管線係導向至該排氣管線，且當該沈積排氣管線係導向至該排氣管線時，該等沈積製程管線係導向至該反應器室。該兩個質量流率之替代使得在整個該沈積製程步驟期間，使得到達該反應器室之氣體維持一恆定之質量流率。

Abstract in simplified Chinese: 根据本发明之多个态样之一种气体皮肤系组态以在一沉积制程步骤期间将具有恒定流率之气体运送至一反应室。在一实施例中，该气体皮肤包括一沉积子皮肤，该沉积子皮肤具有一沉积注射管线、一沉积排气管线及至少一个沉积制程气体管线。该沉积注射管线将具有一质量流率之一载气供应至一反应器室。各个沉积制程气体管线可包含一对切换阀，其经组态以选择性地将一沉积制程气体导向至反应器室或一排气管线。该沉积排气管线亦包含一切换阀，其经组态以选择性地将具有等于所有沉积制程气体之质量流率总和之一第二质量流率之该载气导向至该反应器室或一排气管线。该气体皮肤经组态以用该等沉积制程管线之质量流率替代该沉积排气管线之该质量流率，使得当该沉积排气管线系导向该反应器室时，该等沉积制程管线系导向至该排气管线，且当该沉积排气管线系导向至该排气管线时，该等沉积制程管线系导向至该反应器室。该两个质量流率之替代使得在整个该沉积制程步骤期间，使得到达该反应器室之气体维持一恒定之质量流率。

公开(公告)号：TW200831698A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096137980

申请日：2007-10-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 樊都魯黎亞 凱爾 FONDURULIA, KYLE ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  莫西斯 維埃茲E. VERGHESE, MOHITH E. ,  懷特 卡爾L. WHITE, CARL L.

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4402

Abstract: 一種前驅體源容器,其包括容器本體、位於容器本體內的通道以及安裝至本體表面的閥。內部腔體適合於盛裝化學反應物,且通道從本體外側延伸至腔體。閥調控流經通道的流體。容器具有入口閥及出口閥,可能還包括用於排除內部氣體的排氣閥。外部氣體分配盤可包括至少一個流體置於出口閥與基板反應室之間的閥。每一氣體分配閥可位於一平面上,此平面與容器的平表面大致平行,且與容器的平表面間距不超過10cm。容器蓋體或壁內的過濾器濾除流經容器的閥的氣流。快速連接組件使容器與氣體分配盤能快速且容易地連結。

Abstract in simplified Chinese: 一种前驱体源容器,其包括容器本体、位于容器本体内的信道以及安装至本体表面的阀。内部腔体适合于盛装化学反应物,且信道从本体外侧延伸至腔体。阀调控流经信道的流体。容器具有入口阀及出口阀,可能还包括用于排除内部气体的排气阀。外部气体分配盘可包括至少一个流体置于出口阀与基板反应室之间的阀。每一气体分配阀可位于一平面上,此平面与容器的平表面大致平行,且与容器的平表面间距不超过10cm。容器盖体或壁内的过滤器滤除流经容器的阀的气流。快速连接组件使容器与气体分配盘能快速且容易地链接。

公开(公告)号：TW200808995A

公开(公告)日：2008-02-16

申请号：TW096119274

申请日：2007-05-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  溫建青 WEN, JIANQING

IPC: C23C ,  C30B ,  H01L

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 在選擇性沈積薄膜之方法以及系統帤使用氯化聚矽烷,述薄膜可用於製造諸如微電子及/或微機電系統(MEMS)之各種裝置。

Abstract in simplified Chinese: 在选择性沉积薄膜之方法以及系统帤使用氯化聚硅烷,述薄膜可用于制造诸如微电子及/或微机电系统(MEMS)之各种设备。

公开(公告)号：TW200731355A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：TW095147892

申请日：2006-12-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 一種沈積摻雜碳之磊晶半導體層(30)之方法包括在容納具有暴露的單晶材料(20)之經圖案化的基板(10)之處理腔室(122)中維持大於約700托之壓力。此方法更包括提供矽源氣體之流動至處理腔室(122)。矽源氣體包括二氯矽烷。此方法更包括提供碳前驅物(132)之流動至處理腔室(122)。此方法更包括選擇性地將摻雜碳之磊晶半導體層(30)沈積於暴露的單晶材料(20)上。

Abstract in simplified Chinese: 一种沉积掺杂碳之磊晶半导体层(30)之方法包括在容纳具有暴露的单晶材料(20)之经图案化的基板(10)之处理腔室(122)中维持大于约700托之压力。此方法更包括提供硅源气体之流动至处理腔室(122)。硅源气体包括二氯硅烷。此方法更包括提供碳前驱物(132)之流动至处理腔室(122)。此方法更包括选择性地将掺杂碳之磊晶半导体层(30)沉积于暴露的单晶材料(20)上。