一种半球谐振子金属膜层镀制装置和方法

    公开(公告)号:CN113913773B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202111062039.2

    申请日:2021-09-10

    Abstract: 本发明提供了一种半球谐振子金属膜层镀制装置和方法,该镀制装置包括公转平台、自转机构、两个镀膜组件;自转机构安装在公转平台上,与公转平台中心轴线保持一定距离;自转机构上设置装配半球谐振子的凹槽;两个镀膜组件安装在公转平台上方、并与公转平台中心轴线保持一定距离;两个镀膜组件均包括靶材,靶材朝向公转平台、与公转平台中心轴线形成夹角;公转平台、自转机构同时进行公转、自转,两个镀膜组件与公转平台中心轴线形成不同角度、互相配合进行镀膜。本发明采用双金属靶多角度同时镀制同种膜层材料,两个靶材与谐振子角度不同,避免出现盲区,可有效提升膜层镀制效率,另外双靶位同时溅射,明显改善膜层致密性、膜层应力等性能指标。

    一种半球谐振子高品质因数膜层设计、镀制装置及方法

    公开(公告)号:CN117660906A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311523449.1

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种半球谐振子高品质因数膜层设计、镀制装置及方法,所述膜层设计方法,靠近唇沿设置偏厚膜层,靠近支撑柱底端设置偏薄膜层,唇沿、支撑柱底端膜层厚度比例大于3:1,支撑柱膜层设置偏厚膜层。所述膜层镀制装置包括公转平台、半球谐振子自转装置、金属靶,半球谐振子自转装置距离公转平台中心轴线之间的距离为30mm~35mm,金属靶与公转平台轴线之间的角度为θ,金属靶距离公转平台的距离为300mm,距离公转平台轴线的水平距离为110mm~120mm。所述镀制方法分层控制唇沿位置金属膜层的镀制,并控制不同膜层镀制过程中的腔室内温度。本发明显著提升了半球谐振子品质因数水平。

    半球谐振陀螺高真空封装保持装置和方法

    公开(公告)号:CN117168427A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310935715.5

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明公开了半球谐振陀螺高真空封装保持装置和方法。所述装置的上层加热装置、上层温度传感器和半球谐振陀螺精密组件位于真空腔室上层,所述上层加热装置用于夹持固定半球谐振陀螺精密组件并加热;下层加热装置、下层温度传感器和半球谐振陀螺外壳位于真空腔室下层,所述下层加热装置用于固定半球谐振陀螺外壳并加热;隔热板可在真空腔室内移动,用来实现真空腔室上层与下层的温度阻隔;升降机构连接上层加热装置,当下层装置加热,吸气剂激活时,上层加热装置上升,当吸气剂激活完毕,升降机构带动上层加热装置下降,半球谐振陀螺精密组件与半球谐振陀螺外壳贴合,进行焊接。本发明实现了半球谐振陀螺小型化的目标。

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