一种半球谐振陀螺惯性测量单元标定方法

    公开(公告)号:CN119984330A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411959763.9

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种半球谐振陀螺惯性测量单元标定方法,该半球谐振陀螺惯性测量单元标定方法包括:步骤一,将半球谐振陀螺惯性测量单元安装在转台上,转台回零后,惯性测量单元指向东北天方向,完成初始对准;步骤二,半球谐振陀螺惯性测量单元在当前标定位置导航设定时间;步骤三,转台转动至下一标定位置,在转动过程中,转台先连续旋转若干周再转动至下一标定位置,获取旋转中的陀螺输出;步骤四,重复步骤二至步骤三,直至遍历所有标定位置;步骤五,根据获取的陀螺输出,采用卡尔曼滤波器对惯性测量单元的各项误差进行标定。应用本发明的技术方案,能够解决现有技术中因转台转动驱动驻波进动导致惯性测量单元误差估计精度不足的技术问题。

    一种半球谐振子金属膜层镀制装置和方法

    公开(公告)号:CN113913773B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202111062039.2

    申请日:2021-09-10

    Abstract: 本发明提供了一种半球谐振子金属膜层镀制装置和方法,该镀制装置包括公转平台、自转机构、两个镀膜组件;自转机构安装在公转平台上,与公转平台中心轴线保持一定距离;自转机构上设置装配半球谐振子的凹槽;两个镀膜组件安装在公转平台上方、并与公转平台中心轴线保持一定距离;两个镀膜组件均包括靶材,靶材朝向公转平台、与公转平台中心轴线形成夹角;公转平台、自转机构同时进行公转、自转,两个镀膜组件与公转平台中心轴线形成不同角度、互相配合进行镀膜。本发明采用双金属靶多角度同时镀制同种膜层材料,两个靶材与谐振子角度不同,避免出现盲区,可有效提升膜层镀制效率,另外双靶位同时溅射,明显改善膜层致密性、膜层应力等性能指标。

    一种微半球谐振子核心振动参数性能测试系统

    公开(公告)号:CN117490720A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311301758.4

    申请日:2023-10-09

    Abstract: 本发明公开了一种微半球谐振子核心振动参数性能测试系统,微半球谐振子(1)固定在旋转平台(2)上;激励电控装置(6)用于固定激励探针(3)和控制激励探针(3)的移动;多普勒激光测振仪(4)位于真空室(5)外,发出的激光束通过真空室观察窗(7)照射至微半球谐振子(1)唇缘区域法线位置。使用激励电控装置(6)将激励探针(3)移动抵触至微半球谐振子球面,使之产生一定形变后控制激励探针(3)离开微半球谐振子球面,多普勒激光测振仪(4)检测微半球谐振子(1)的振动并采集实时信号,通过USB示波器测量微半球谐振子谐振频率和品质因数。本发明采用探针激励可以实现未镀膜和镀膜微半球谐振子的激励和检测,以克服常规的电极激励在未镀膜谐振子上无法使用的困难。

    用于降低半球谐振陀螺控制电路1/f噪声的滤波电路及方法

    公开(公告)号:CN120074444A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202411960052.3

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种用于降低半球谐振陀螺控制电路1/f噪声的滤波电路及方法,反相单极点高通滤波器包括CMOS斩波稳定放大器A1、电阻R1‑R3和电容C1,半球谐振陀螺的模拟信号分别经电阻R1和R2后分别连接至放大器A1的同相输入端和反相输入端,电容C1与放大器A1的同相输入端连接;电阻R3分别连接至放大器A1的反相输入端和输出端;电压抵消电路包括电阻R4和R5、电容C2和CMOS斩波稳定放大器A2,放大器A1的输出端经电阻R5和电容C2后连接至放大器A2的同相输入端,电阻R4的两端分别连接至放大器A1的反相输入端和放大器A2的同相输入端,放大器A2的反相输入端和输出端连接至信号输出端。本发明的滤波电路可有效避免1/f噪声对低频下陀螺角速率的影响,提升角速率检测精度。

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