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    실리콘산화막을 형성하는 방법 및 장치
    32.
    发明公开
    실리콘산화막을 형성하는 방법 및 장치 有权
    形成二氧化硅膜的方法及其实施方法

    公开(公告)号：KR1020060113880A

    公开(公告)日：2006-11-03

    申请号：KR1020060104509

    申请日：2006-10-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

    Abstract: A method and an apparatus for forming a silicon oxide film are provided to increase uniformity of a film thickness of an oxide film by performing a dry oxidation process on an object to be treated. An apparatus for forming a silicon oxide film includes a reaction chamber(302), a reaction chamber heater(312), a reaction chamber pressure adjuster, a first supply unit(313), a second supply unit(314), a gas heater(315), and a controller(321). The reaction chamber receives an object to be treated. The reaction chamber heater heats the reaction chamber up to a predetermined temperature. The reaction chamber pressure adjuster adjusts a pressure of the reaction chamber to a predetermined value. The first supply unit supplies silane-based gas into the reaction chamber. The second supply unit supplies N2O into the reaction chamber. The gas heater is arranged on the second supply unit and heats up the N2O up to a predetermined temperature. The controller heats up the N2O inside the reaction chamber to a temperature of 700‹C.

    Abstract translation: 提供一种用于形成氧化硅膜的方法和装置，以通过对被处理物进行干式氧化处理来提高氧化膜的膜厚均匀性。 用于形成氧化硅膜的装置包括反应室（302），反应室加热器（312），反应室压力调节器，第一供应单元（313），第二供应单元（314），气体加热器 315）和控制器（321）。 反应室接收待处理物体。 反应室加热器将反应室加热至预定温度。 反应室压力调节器将反应室的压力调节到预定值。 第一供应单元将硅烷基气体供应到反应室中。 第二供应单元向反应室供应N2O。 气体加热器布置在第二供应单元上，并将N2O加热至预定温度。 控制器将反应室内的N2O加热至700℃的温度。

    실리콘질화막을 형성하는 방법 및 장치
    33.
    发明公开
    실리콘질화막을 형성하는 방법 및 장치 有权
    形成硅酸盐膜的方法及其实施方法

    公开(公告)号：KR1020060113879A

    公开(公告)日：2006-11-03

    申请号：KR1020060104505

    申请日：2006-10-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

    Abstract: A method and an apparatus for forming a silicon nitride film are provided to increase uniformity of a film thickness of an oxide film by forming the silicon nitride film at a low temperature. An apparatus of forming a silicon nitride film includes a reaction chamber(202), a reaction chamber heater(212), a reaction chamber pressure adjuster, a first supply unit(213), a second supply unit(214), a gas heater(215), and a controller(221). The reaction chamber receives an object to be treated. The reaction chamber heater heats the reaction chamber up to a predetermined temperature. The reaction chamber pressure adjuster adjusts a pressure of the reaction chamber to a predetermined value. The first supply unit supplies silane-based gas into the reaction chamber. The second supply unit supplies trimethylamine into the reaction chamber. The gas heater is arranged on the second supply unit and heats up the trimethylamine up to a predetermined temperature. The controller heats up the trimethylamine inside the reaction chamber to a temperature for generating nitrogen.

    Abstract translation: 提供了一种用于形成氮化硅膜的方法和装置，以通过在低温下形成氮化硅膜来提高氧化膜的膜厚度的均匀性。 形成氮化硅膜的装置包括反应室（202），反应室加热器（212），反应室压力调节器，第一供应单元（213），第二供应单元（214），气体加热器 215）和控制器（221）。 反应室接收待处理物体。 反应室加热器将反应室加热至预定温度。 反应室压力调节器将反应室的压力调节到预定值。 第一供应单元将硅烷基气体供应到反应室中。 第二供应单元向反应室供应三甲胺。 气体加热器布置在第二供应单元上，并将三甲胺加热至预定温度。 控制器将反应室内的三甲胺加热至产生氮气的温度。

    실리콘산화막을 형성하는 방법 및 장치
    34.
    发明公开
    실리콘산화막을 형성하는 방법 및 장치 有权
    形成二氧化硅膜的方法及其实施方法

    公开(公告)号：KR1020060113878A

    公开(公告)日：2006-11-03

    申请号：KR1020060104499

    申请日：2006-10-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

    Abstract: A method and an apparatus of forming a silicon oxide film are provided to increase a film forming speed by reducing a thickness of a nitride film and forming the nitride film at a low temperature. An apparatus for forming a silicon oxide film includes a reaction chamber(131), a reaction chamber heater(132), a supply unit(105), and a gas heater(102). The reaction chamber receives an object to be treated. A silicon layer is formed at least on a surface of the object to be treated. The reaction chamber heater raises a temperature of the reaction chamber to a predetermined temperature. The supply unit supplies gas, which is made of hydrogen and chlorine, and process gas, which contains oxygen, into the reaction chamber. The gas heater is arranged on the supply unit and heats up the process gas before the process gas is supplied into the reaction chamber, to generate humidity.

    Abstract translation: 提供一种形成氧化硅膜的方法和装置，以通过减小氮化物膜的厚度并在低温下形成氮化物膜来提高成膜速度。 用于形成氧化硅膜的装置包括反应室（131），反应室加热器（132），供应单元（105）和气体加热器（102）。 反应室接收待处理物体。 至少在待处理物体的表面上形成硅层。 反应室加热器将反应室的温度升高到预定温度。 供应单元将由氢和氯制成的气体以及含氧的处理气体供入反应室。 气体加热器布置在供应单元上，并且在将工艺气体供应到反应室中之前加热处理气体，以产生湿度。

    성막 방법 및 성막 장치
    35.
    发明授权
    성막 방법 및 성막 장치 有权

    公开(公告)号：KR102241266B1

    公开(公告)日：2021-04-15

    申请号：KR1020180020530

    申请日：2018-02-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시유타카 ,  무라타마사히로 ,  가토히토시

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

    Abstract: 본발명은간소한프로세스및 장치에의해실현가능한보텀업성이높은질화막의매립성막을행할수 있는성막방법및 성막장치를제공하는것을목적으로한다. 기판의표면에형성되어있는오목부패턴에저면측으로부터질화막을매립하는성막방법이며, 상기기판의표면및 상기오목부패턴의상부에플라스마에의해활성화된염소가스를공급하여흡착시켜, 흡착저해기를형성하는공정과, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에실리콘또는금속과염소를함유하는원료가스를공급하고, 상기흡착저해기가형성되어있지않은상기오목부패턴내의하부영역에상기원료가스를흡착시키는공정과, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에질화가스를공급하고, 상기오목부패턴내의하부영역에상기원료가스와의반응에의해생성된질화막의분자층을퇴적시키는공정을갖는다.

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 발생 장치
    39.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 발생 장치 有权
    等离子体处理装置和等离子体生成装置

    公开(公告)号：KR101690828B1

    公开(公告)日：2016-12-28

    申请号：KR1020130131277

    申请日：2013-10-31

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

    IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651

    Abstract: 본원발명은, 진공용기와, 상기진공용기내에설치되며, 기판이적재되는기판적재부와, 상기진공용기내에플라즈마발생용가스를공급하기위한가스공급부와, 상기가스공급부로부터공급된상기플라즈마발생용가스를플라즈마화하기위해서, 고주파전력이공급되는안테나와, 상기안테나와플라즈마가발생하는영역사이에설치되며, 상기안테나에의해형성되는전자계의전계를차단하고, 자계를통과시키기위해서, 상기안테나가신장되는방향과교차하도록형성된슬릿을안테나의길이방향을따라서복수배열한도전판으로이루어지는패러데이실드와, 상기안테나의길이방향에있어서의플라즈마밀도를조정하기위해서, 상기슬릿의개구면적을조정하기위한도전체로이루어지는조정부재를구비하는플라즈마처리장치를제공한다.

    Abstract translation: 等离子体处理装置包括真空室; 衬底保持器，其构造成保持衬底; 气体供给部，其构造成将等离子体产生气体供给到所述真空室中; 配置为被提供高频功率并产生用于产生等离子体产生气体的等离子体的电磁场的天线; 设置在天线与产生等离子体的区域之间的法拉第屏蔽体，其由导电板构成，导电板具有多个狭缝，该狭缝在与天线延伸的延伸方向相交的方向上延伸并且沿延伸方向 形成为阻挡电磁场中的电场并允许电磁场中的磁场通过; 以及调整部，其由导电材料构成，构成为调整狭缝的开口面积。

    성막 장치 및 성막 방법
    40.
    发明授权
    성막 장치 및 성막 방법 有权

    公开(公告)号：KR101582720B1

    公开(公告)日：2016-01-05

    申请号：KR1020130082061

    申请日：2013-07-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/4584

    Abstract: 진공분위기에서서로반응하는복수종류의처리가스를기판에차례로공급하는사이클을반복하여반응생성물의층을적층하여박막을얻는성막장치로, 진공용기내에배치되고, 그위에기판을적재하여공전시키기위한회전테이블과, 회전테이블의주위방향으로서로이격된영역에다른처리가스를공급하기위한복수의처리가스공급부와, 영역의사이에, 서로다른처리가스를분리하기위한분리가스공급부와, 진공용기내를진공배기하기위한배기기구를구비하고, 처리가스공급부중 적어도하나의처리가스공급부는, 회전테이블의주연부와중앙부사이에걸쳐신장되며, 회전테이블을향한토출구가길이방향을따라형성된가스노즐과, 가스노즐에있어서의회전테이블의회전방향의상류측에설치되고, 분리가스가그 상면측을흐르도록가스노즐의길이방향을따라설치된정류판을포함하고, 정류판은회전테이블과의이격거리가회전테이블의일단부측으로부터타단부측을향해작아지도록, 또한타단부에있어서의이격거리가일단부에있어서의이격거리보다도 1㎜이상작아지도록설치된다.

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