公开(公告)号：KR101214704B1

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：KR1020117000753

申请日：2009-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은진공배기가능하게이루어진처리용기내에서, 표면에오목부를갖는피처리체의표면에성막처리를실시하는성막방법에있어서, 전이금속함유원료가스를이용하여, 열처리에의해서전이금속함유막을형성하는전이금속함유막형성공정과, 원소주기표의Ⅷ족의원소를포함하는금속막을형성하는금속막형성공정을구비한것을특징으로하는성막방법이다.

公开(公告)号：KR101209997B1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：KR1020127003984

申请日：2008-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76873 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 본발명에따른성막장치의배기계구조는, 처리용기(11) 내의배기가스를배출하는배기관(51)과, 배기관(51)의처리용기(11)의근방에설치된자동압력제어기(52)와, 배기관(51)의자동압력제어기(52)의하류측에설치된진공펌프(54)와, 배기관(51)의자동압력제어기(52)의하류측위치에산화제를공급하는산화제공급부(57)와, 배기관(51)의산화제공급위치의하류측에설치되어, 배기가스중의유기금속원료가스성분및 부생성물이상기산화제와반응해서생성된생성물을회수하는트랩기구(53)와, 배기관(51)의트랩기구(53)의하류측에설치된제해장치(55)를구비한다.

公开(公告)号：KR101153664B1

公开(公告)日：2012-06-18

申请号：KR1020097025463

申请日：2008-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Mn 함유 원료 가스(또는 Mn 함유 원료 가스 및 Cu 함유 원료 가스)와 산소 함유 가스(예컨대, 수증기)를 처리가스로서 이용하여 피처리체의 표면에 열처리(CVD 또는 ALD)에 의해 Mn 함유 합금막 또는 CuMn 함유 금속 합금막을 형성한다. 이것에 의하면, 피처리체 표면에 형성된 미세한 오목부에 높은 스텝 커버리지로 Mn 함유 합금막 또는 CuMn 함유 금속 합금막을 형성하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR101140476B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020107001252

申请日：2008-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/8593

Abstract: 처리 가스 공급 시스템(2)은, 가스 사용 시스템(4)에 대하여 희석 가스에 의해 희석된 처리 가스를 공급한다. 처리 가스 공급 시스템(2)은 처리 가스 탱크(10)와, 희석 가스 탱크(12)와, 처리 가스 탱크(10)와 가스 사용 시스템(4)을 접속하는 주가스 통로(14)와, 희석 가스 탱크(12)를 주가스 통로에 접속하는 희석 가스 통로를 포함한다. 주가스 통로(14) 및 희석 가스 통로에는, 각각 유량 제어기(FC1, FC2, FC5)가 개재되어 있다. 희석 가스 통로는 복수의 유량 제어기 중 최하류측의 유량 제어기 이외의 유량 제어기의 바로 하류측에서 주가스 통로에 접속되어 있다. 유량 제어기 중 최상류측의 유량 제어기 이외의 유량 제어기의 바로 상류측에서 주가스 통로에 접속하고, 잉여 희석된 처리 가스를 배출하는 잉여 가스 배출 통로(24)가 더 설치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020120034234A

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：KR1020127003984

申请日：2008-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76873 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 배기계 구조는, 처리 용기(11) 내의 배기 가스를 배출하는 배기관(51)과, 배기관(51)의 처리 용기(11)의 근방에 설치된 자동 압력 제어기(52)와, 배기관(51)의 자동 압력 제어기(52)의 하류측에 설치된 진공 펌프(54)와, 배기관(51)의 자동 압력 제어기(52)의 하류측 위치에 산화제를 공급하는 산화제 공급부(57)와, 배기관(51)의 산화제 공급 위치의 하류측에 설치되어, 배기 가스중의 유기 금속 원료 가스 성분 및 부생성물이 상기 산화제와 반응해서 생성된 생성물을 회수하는 트랩 기구(53)와, 배기관(51)의 트랩 기구(53)의 하류측에 설치된 제해 장치(55)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100043289A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：KR1020107006094

申请日：2008-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: A film forming apparatus (100) is provided with a processing chamber (2) for storing a wafer (W); a gas supply section (10) for supplying inside the processing chamber (2) with a gas containing a Cu material gas and an Mn material gas; a shower head (4) for introducing the gas fed from the gas supply section (10) into the processing chamber (2); and a vacuum pump (8) for exhausting inside the processing chamber (2). The gas supply section (10) is provided with a Cu material storing section (21); an Mn material storing section (22); a manifold (40) to which the Cu material and the Mn material are introduced to be mixed; one vaporizer (42) for vaporizing the mixed body formed at the manifold (40); and material gas supply piping (54) for introducing into the shower head (4) the material gas formed by vaporization.

Abstract translation: 成膜装置（100）具有用于储存晶片（W）的处理室（2）。 用于在所述处理室（2）内部供给含有Cu材料气体和Mn材料气体的气体的气体供给部（10） 用于将从气体供给部（10）供给的气体引入到处理室（2）的喷淋头（4） 以及用于在处理室（2）内部排出的真空泵（8）。 气体供给部（10）设置有Cu材料收纳部（21）。 Mn材料储存部分（22）; 引入Cu材料和Mn材料以混合的歧管（40）; 一个蒸发器（42），用于蒸发形成在歧管（40）处的混合体; 以及用于将通过蒸发形成的原料气体引入喷淋头（4）的原料气体供给管道（54）。

公开(公告)号：KR100945319B1

公开(公告)日：2010-03-08

申请号：KR1020077002281

申请日：2006-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  나스마사유키 ,  사코다도모유키

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C30B25/02 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 하부 전극상에 핵 생성층으로서 주로 (111) 배향을 갖는 PbTiOx막을, MOCVD법에 의해, 2㎚를 초과하는 막 두께로 형성하는 공정과, 상기 핵 생성층상에 주로 (111) 배향의 PZT막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 PbTiOx막을 형성하는 공정은 340㎩ 미만의 산소 분압하에서 실행된다.

公开(公告)号：KR1020100024404A

公开(公告)日：2010-03-05

申请号：KR1020097025463

申请日：2008-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: On a surface of a material to be processed, a Mn containing thin film or a CuMn containing alloy thin film is formed by heat treatment (CVD or ALD) by using a Mn containing material gas (or Mn containing material gas and a Cu containing gas) and an oxygen containing gas (for instance, water vapor) as a processing gas. The Mn containing thin film or the CuMn containing alloy thin film can be formed with a high step coverage in a fine recessed section formed on the surface of the material to be processed.

Abstract translation: 在待处理材料的表面上，通过使用含Mn材料气体（或含Mn材料气体和含Cu气体）的热处理（CVD或ALD）形成含Mn薄膜或含CuMn合金薄膜 ）和含氧气体（例如水蒸汽）作为处理气体。 含Mn的薄膜或含CuMn的合金薄膜可以形成在形成在被处理材料的表面上的细凹部中的高台阶覆盖。

公开(公告)号：KR1020080113109A

公开(公告)日：2008-12-26

申请号：KR1020087028144

申请日：2007-04-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 트리케미컬 겐큐쇼

Inventor： 마츠모토겐지 ,  사토히로시 ,  오히라다츠야 ,  마치다히데아키 ,  이시카와마사토

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4482 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided are a film forming apparatus and a film forming method for forming a manganese film by a CVD method on the surface of a subject to be processed. The film forming apparatus is provided with a process container (14) which can be vacuumized; a placing table (16) arranged inside the process container (14) for placing the subject to be processed; and a material gas supply section (18), which is connected to the process container (14) and supplies a material gas, which includes an organic metal material containing manganese or a metallic complex material containing manganese into the process container (14). The film forming method is provided with a step of storing the subject inside the process container (14) which can be vacuumized; and a step of forming the manganese film on the surface of the subject inside the process container (14) by the CVD method by using the material gas including the organic metal material containing manganese or the metallic complex material containing manganese. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供了一种通过CVD法在被处理物的表面上形成锰膜的成膜装置和成膜方法。 成膜装置设置有可以抽真空的处理容器（14） 布置在处理容器（14）内部以放置待处理对象的放置台（16） 和材料气体供给部分（18），其连接到处理容器（14）并且将含有锰的有机金属材料或含有锰的金属络合物的物质气体供应到处理容器（14）中。 成膜方法具有将被处理容器（14）内的被吸收的物体进行存储的步骤; 以及通过使用包含含有锰的有机金属材料或含有锰的金属络合物的材料气体，通过CVD法在处理容器（14）内部的被处理体的表面上形成锰膜的步骤。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR100634326B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020047013443

申请日：2003-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  사쿠마다케시 ,  가토유지 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67115

Abstract: 가열된 피처리 기판(W)을 수용하는 처리 공간(S)에 대하여 처리 가스를 공급하면서 반도체 처리를 실행하는 장치(2) 내에 샤워 헤드 구조가 배치된다. 샤워 헤드 구조는 상기 처리 가스를 공급하는 복수의 가스 분사 구멍(20B)을 갖는 샤워 헤드(12)와, 상기 가스 분사 구멍(20B)의 적어도 하나에 삽입 통과된 방사 온도계(66)의 광 도입 로드(68)를 포함한다.