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    플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
    32.
    发明授权
    플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법 有权

    公开(公告)号：KR101928579B1

    公开(公告)日：2018-12-12

    申请号：KR1020120026385

    申请日：2012-03-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 구보타가즈히로 ,  사이토유스케 ,  혼다마사노부

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 본 발명은 기판의 플라즈마 에칭에 있어서, 에칭에 대해서 높은 면내 균일성을 얻을 수 있는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다.
    웨이퍼(W)에 형성된 다층막(7)의 각각에 대하여 면내 균일성이 높은 에칭을 행할 수 있는 적절한 포커스 링(3)의 온도를 사전에 파악하여, 설정 온도로서 처리 레시피(64)에 반영하고, 연속하여 에칭되는 각 막마다, 포커스 링(3)의 온도가 그 설정 온도를 포함하는 적절한 온도 영역에 들어가도록 가열 기구 및 냉각 기구를 제어한다. 또한, 포커스 링(3)의 가열 기구로서 레이저에 의한 열복사를 이용한다. 포커스 링(3)의 냉각에서는, 열매체인 히터를 통하지 않고서 포커스 링(3)의 열을 지지대(2)에 방출하도록 구성하여, 가열 기구와 냉각 기구를 상호 독립적으로 분리하고 있다.

    에칭 방법
    33.
    发明公开
    에칭 방법 审中-实审
    蚀刻方法

    公开(公告)号：KR1020160117220A

    公开(公告)日：2016-10-10

    申请号：KR1020160035300

    申请日：2016-03-24

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사이토유스케 ,  이치카와히로노부

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01J37/321 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

    Abstract: 실리콘산화막및 실리콘질화막이교호로적층된제 1 영역, 및제 1 영역의실리콘산화막의막 두께보다큰 막두께를가지는실리콘산화막을가지는제 2 영역을동시에에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체가준비된플라즈마처리장치의처리용기내에서, 플루오르카본가스및 하이드로플루오르카본가스를포함하는제 1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과, 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 수소가스, 하이드로플루오르카본가스및 질소가스를포함하는제 2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 이방법에서는, 제 1 처리가스의플라즈마를생성하는공정및 제 2 처리가스의플라즈마를생성하는공정이교호로반복된다.

    Abstract translation: 提供了一种同时蚀刻其中氧化硅膜和氮化硅膜交替堆叠的第一区域和包括厚度大于第一区域的氧化硅膜的厚度的氧化硅膜的第二区域的方法。 该方法包括：在承载有加工对象物的等离子体处理装置的处理容器内产生含有碳氟化合物气体和氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体; 以及在所述等离子体处理装置的处理容器内产生含有氢气，氢氟烃气体和氮气的第二处理气体的等离子体。 此外，交替地重复第一处理气体的等离子体的产生和第二处理气体的等离子体的产生。

    다층막을 에칭하는 방법
    36.
    发明公开
    다층막을 에칭하는 방법 审中-实审
    多层膜的蚀刻方法

    公开(公告)号：KR1020160018367A

    公开(公告)日：2016-02-17

    申请号：KR1020150106597

    申请日：2015-07-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이시타류우 ,  사이토유스케

    IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/1158

    Abstract: 다층막에형성되는스페이스의수직성의, 피처리체의일부영역에있어서의열화를억제하는것이요청되고있다. 다층막을에칭하는방법은, 플라즈마처리장치의처리용기내에서플라즈마를발생시켜다층막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 피처리체의중앙영역을향해가스를공급하기위한제 1 공급부및 당해중앙영역의외측의영역으로가스를공급하기위한제 2 공급부로부터, 수소가스, 취화수소가스, 불소함유가스, 탄화수소가스, 플루오르하이드로카본가스및 플루오르카본가스를포함하는제 1 처리가스를공급하고, 제 1 공급부및 제 2 공급부중 일방으로부터, 탄화수소가스및 플루오르카본가스를포함하는제 2 처리가스를더 공급하고, 제 1 처리가스및 제 2 처리가스를여기시킨다.

    Abstract translation: 需要防止在物体的一部分中形成在多层膜中的间隔物的垂直度的劣化。 蚀刻多层膜的方法包括通过在等离子体处理装置的处理室中产生等离子体来蚀刻多层膜的工艺。 在该方法中，从用于向对象的中心区域供应气体的第一供应部分供给包括氢气，溴化氢气体，含氟气体，烃气体，氟烃气体和氟碳气体的第一处理气体 以及用于将气体供给到相应的中心区域的外部区域的第二供应部件。 从第一供应部分和第二供应部分中的一个供应包括烃气体和碳氟化合物气体的第二处理气体。 第一工艺气体和第二工艺气体被激发。

    다층막을 에칭하는 방법
    37.
    发明公开
    다층막을 에칭하는 방법 审中-实审
    多层膜的蚀刻方法

    公开(公告)号：KR1020160018366A

    公开(公告)日：2016-02-17

    申请号：KR1020150106596

    申请日：2015-07-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사이토유스케 ,  이시타류우

    IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

    Abstract: 다층막의에칭에있어서, 마스크의개구의폐색을억제하고, 또한다층막에형성되는스페이스의수직성을향상시킨다. 다층막은, 교호로적층된제 1 막및 제 2 막을포함하고, 제 1 막및 제 2 막은서로상이한유전율을가진다. 다층막을에칭하는방법은, (a) 플라즈마처리장치의처리용기내에, 다층막및 이다층막상에마련된마스크를가지는피처리체를준비하는공정과, (b) 다층막을에칭하는공정으로, 수소가스, 플루오르하이드로카본가스, 불소함유가스, 탄화수소가스, 삼염화붕소가스및 질소가스를포함하는처리가스를상기처리용기내에서여기시키는상기공정을포함한다.

    Abstract translation: 在蚀刻多层膜时，防止了掩模的开口闭合。 此外，改善了形成在多层膜上的间隔物的垂直度。 所述多层层包括交替层叠的第一层和第二层。 第一层的介电常数不同于第二层的介电常数。 蚀刻多层膜的方法包括制备多层膜的方法（a）和在等离子体处理装置的处理室中在多层膜上制备的掩模的物体和（b）蚀刻多层膜 。 在处理室中激发包括氢气，氟氢气体，含氟气体，烃气体，三氯化硼气体和氮气的处理气体。

    플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
    39.
    发明公开
    플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법 审中-实审
    等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法

    公开(公告)号：KR1020120106607A

    公开(公告)日：2012-09-26

    申请号：KR1020120026385

    申请日：2012-03-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 구보타가즈히로 ,  사이토유스케 ,  혼다마사노부

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68721 ,  H01L22/26

    Abstract: PURPOSE: A plasma etching apparatus and a plasma etching method are provided to uniformly etch a surface by controlling a heating device and a cooling device based on a temperature of a ring member. CONSTITUTION: A focus ring(3) surrounds a substrate and controls the state of plasma. A temperature detecting unit detects the temperature of the focus ring. A recipe memory unit(65) memorizes a process recipe with a process condition for etching the substrate and a preset temperature of the focus ring. An executing unit reads the process recipe from the recipe memory unit and outputs a control signal for controlling a heating device and a cooling device based on a temperature value detected by the temperature detecting unit and a preset temperature of the focus ring. [Reference numerals] (29) Electrostatic chuck controller; (31) He; (32) Pressure control unit; (37) LED; (38) Pressure controller; (39) Laser output controller; (6) Control unit; (61) Interference thermometer; (63) Thermometer controller; (64) Process recipe; (66) Program; (67) CPU; (68) Bus; (81) Supply control unit; (85) Recipe memory unit; (AA) Step; (BB) Film sort

    Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法，以通过基于环件的温度控制加热装置和冷却装置来均匀地蚀刻表面。 构成：聚焦环（3）围绕衬底并控制等离子体的状态。 温度检测单元检测聚焦环的温度。 食谱记忆单元（65）记录具有用于蚀刻基底的处理条件和聚焦环的预设温度的处理配方。 执行单元从配方存储单元读取处理配方，并且基于由温度检测单元检测的温度值和聚焦环的预设温度输出用于控制加热装置和冷却装置的控制信号。 （附图标记）（29）静电卡盘控制器; （31）他 （32）压力控制单元; （37）LED; （38）压力控制器; （39）激光输出控制器; （6）控制单元; （61）干涉温度计; （63）温度计控制器 （64）工艺配方; （66）计划; （67）CPU; （68）巴士; （81）供电控制单元; （85）配方存储单元; （AA）步骤; （BB）电影排序

    기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
    40.
    发明授权
    기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
    基板处理方法，基板处理装置和记录介质

    公开(公告)号：KR101061931B1

    公开(公告)日：2011-09-02

    申请号：KR1020070099728

    申请日：2007-10-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나카모리미츠노리 ,  사이토유스케 ,  이시하라아키라 ,  다나카사토루 ,  무라카미유지

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

    Abstract: 본 발명은 에칭 공정에 있어서 에칭액을 반복 사용하는 경우에도 피처리 기판에 대한 에칭율이 증가하는 일이 없고, 더욱이 건조 후 피처리 기판의 표면에 파티클이나 워터마크가 형성되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 기록 매체를 제공하는 것을 과제로 한다.
    우선, 챔버 내에 제1 가스를 채운 상태에서 처리액을 챔버 내의 웨이퍼 표면에 공급하여 그 웨이퍼를 표면 처리한다. 이때, 챔버로부터 배출되는 처리액을 처리액 공급부로 되돌리도록 한다. 그 후, 챔버 내에 제1 가스보다도 습도가 낮은 제2 가스를 채운 상태에서 액막 형성용 유체를 챔버 내의 웨이퍼 표면에 공급함으로써 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하여 이 웨이퍼의 표면을 건조한다.

    Abstract translation: 基板，其上本发明不发生在重复使用在蚀刻过程中增加蚀刻溶液的情况下目标衬底的蚀刻速率，并且进一步能够防止颗粒或所述基板的表面上的水痕，并干燥以形成 处理方法，基板处理装置和记录介质。

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