公开(公告)号：KR101074441B1

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020087003967

申请日：2006-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카미치오 ,  시노즈카신이치 ,  다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  도미타히로시 ,  우에무라료이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/38

Abstract: 패턴형성장치(1)는현상처리후에기판(W)에형성된레지스트패턴의사이드월 앵글(SWA)을측정검사하는검사장치(400)와, 상기현상처리후의레지스트패턴의사이드월 앵글(SWA)의목표값과상기검사장치(400)에의한사이드월 앵글(SWA)의검사결과의차분에기초하여상기현상처리후의사이드월 앵글(SWA)이상기목표값에근사하도록, 상기제1 가열처리(71∼74) 또는상기제2 가열처리(84∼89)에서의처리조건의설정을행하는제어부(500)를구비한다.

公开(公告)号：KR101059423B1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：KR1020070109603

申请日：2007-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠우사카메구미 ,  신오즈카신이치 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248

Abstract: 가열 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 구획되어 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 각각 설정될 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판 면내의 선폭이 측정되고, 그 측정 선폭의 면내 경향이 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해된다. 그 산출된 복수의 면내 경향 성분으로부터, 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분이 추출되고 이것들이 합쳐져 기판 면내의 측정 선폭의 개선 가능한 면내 경향이 산출된다. 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에만, 열판의 각 열판 영역의 온도 보정값의 설정이 변경된다.

Abstract translation: 加热装置的加热板被分成多个加热板区域，并且可以为每个加热板区域设定温度。 用于调节热板表面中的温度的温度校正值可以分别设置在热板的各个热板区域中。 测量光刻工艺完成的衬底表面中的线宽，并通过使用Zernike多项式将测量的线宽的面内趋势分解为多个面内趋势分量。 从所述多个面内所计算的趋势成分的，在面内倾向部件由温度修正值可改善的一个变化中提取它们合并它计算在所述基板的表面测得的线宽的可改善的面内的倾向。 只有当可以改善的面内趋势的大小超过预设的阈值时，才改变热板的每个热板区域的温度校正值的设置。

公开(公告)号：KR1020090091667A

公开(公告)日：2009-08-28

申请号：KR1020090015302

申请日：2009-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70516 ,  H01L2924/00

Abstract: A substrate processing method, a computer-readable storage medium, and a substrate processing system are provided to form a pattern dimension of the treated film into the predetermined dimension in a substrate. A substrate processing system(1) performs the predetermined process to the substrate in which the treated film is formed, and the predetermined pattern is formed on the treated film of the substrate. A measurement system(2) measures the film thickness of the treated film the substrate, the refractive index of the treated film, the warpage amount or the absorption coefficient of the treated film. A control device(400) assumes the pattern dimension of the treated film after the predetermined processing based on the measurement result of the entry condition. The correction value is calculated on the estimation result of the pattern dimension. An application development treatment apparatus(3) forms the predetermined pattern on the treated film of substrate.

Abstract translation: 提供了基板处理方法，计算机可读存储介质和基板处理系统，以在基板中形成经处理的膜的图案尺寸为预定尺寸。 基板处理系统（1）对形成有处理膜的基板进行预定处理，并且在基板的处理膜上形成预定图案。 测量系统（2）测量处理过的薄膜的基材厚度，处理薄膜的折射率，翘曲量或处理薄膜的吸收系数。 控制装置（400）基于进入条件的测量结果，在经过预定处理之后假设处理过的胶片的图案尺寸。 根据图案尺寸的估计结果计算校正值。 应用开发处理装置（3）在处理的基板上形成预定图案。

公开(公告)号：KR1020080049018A

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：KR1020087004066

申请日：2006-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  도미타히로시 ,  다나카미치오 ,  우에무라료이치

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70616 ,  H01L21/67098

Abstract: Disclosed is a pattern-forming apparatus (1) for performing a sequence of processes including a first heat treatment for heating a substrate W to which a resist liquid has been applied, a exposure process for exposing the resist film into a predetermined pattern, a second heat treatment for expediting the chemical reaction in the resist film after exposure, a development process for developing the exposed resist film, and an etching process for removing an oxide film by using the resist pattern formed after the development process as a mask. This pattern-forming apparatus (1) comprises a test device (400) for measuring the state of the pattern formed after the etching process, and a control unit (500) for setting the conditions in the first heat treatment and/or the second heat treatment basing on the measurement results so that the in-plane states of the pattern of the substrate W after the etching process become uniform.

Abstract translation: 公开了一种图案形成装置（1），用于执行包括用于加热已经涂敷抗蚀剂液体的基板W的第一热处理，将抗蚀剂膜曝光成预定图案的曝光工序， 用于加速曝光后的抗蚀剂膜中的化学反应的热处理，用于显影曝光的抗蚀剂膜的显影处理以及通过使用在显影处理之后形成的抗蚀剂图案作为掩模去除氧化膜的蚀刻工艺。 该图案形成装置（1）包括用于测量在蚀刻处理之后形成的图案的状态的测试装置（400），以及用于设定第一热处理和/或第二热量中的条件的控制单元（500） 基于测量结果的处理，使得蚀刻工艺之后的衬底W的图案的面内状态变得均匀。

公开(公告)号：KR1020080049017A

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：KR1020087003969

申请日：2006-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  도미타히로시 ,  다나카미치오 ,  우에무라료이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3071 ,  G03F7/40 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  G03F7/70616 ,  H01L21/67098 ,  H01L2924/00

Abstract: A pattern-forming apparatus (1) comprises a test device (400) for measuring the state of a resist pattern formed on a substrate W after development and outputting the first measurement result, and for measuring the state of a resist pattern formed on the substrate W after etching and outputting the second measurement result; a storage means (502) recorded with a correlation formula obtained from the first measurement result and the second measurement result; and a control unit (500) for setting the conditions in the first heat treatment and/or the second heat treatment basing on the difference between the target value of the pattern state after development and the first measurement result by obtaining the target value of the pattern state after development from the target value of the pattern state after etching based on the correlation formula.

Abstract translation: 图案形成装置（1）包括用于测量在显影后形成在基板W上的抗蚀剂图案的状态并输出第一测量结果的测试装置（400），并且用于测量形成在基板上的抗蚀剂图案的状态 W，并输出第二测量结果; 记录从第一测量结果和第二测量结果获得的相关公式的存储装置（502）; 以及控制单元（500），用于基于显影后的图案状态的目标值与第一测量结果之间的差异来设定第一热处理和/或第二热处理中的条件，通过获得图案的目标值 根据相关公式，从蚀刻后的图案状态的目标值开始后的状态。

公开(公告)号：KR1020080049016A

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：KR1020087003967

申请日：2006-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카미치오 ,  시노즈카신이치 ,  다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  도미타히로시 ,  우에무라료이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/38 ,  G03F7/3071 ,  G03F7/70616 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67225

Abstract: A pattern-forming apparatus (1) comprises a test device (400) for measuring the side wall angle SWA of a resist pattern which is formed on a substrate W after a development process, and a control unit (500) for setting the treatment conditions in the first heat treatment units (71-74) or the second heat treatment units (84-89) basing on the difference between the target value of the side wall angle SWA of the resist pattern after development process and the actual value of the side wall angle SWA measured by the test device (400) so that the side wall angle SWA after development approach the target value.

Abstract translation: 图案形成装置（1）包括用于测量在显影处理之后形成在基板W上的抗蚀剂图案的侧壁角度SWA的测试装置（400）和用于设定处理条件的控制单元（500） 在第一热处理单元（71-74）或第二热处理单元（84-89）中，基于显影处理后的抗蚀剂图案的侧壁角度SWA的目标值与侧面的实际值之差 通过测试装置（400）测量的壁角度SWA，使得开发后的侧壁角度SWA接近目标值。

公开(公告)号：KR100646071B1

公开(公告)日：2006-11-13

申请号：KR1020010026221

申请日：2001-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  아이우치다카시 ,  다테야마마사노리

IPC: H01L21/02

Abstract: 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계없이 설정되는 제1의 보수 인터벌을 저장하는 제1의 보수 인터벌 저장부와, 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계되어 설정되는 제2의 보수 인터벌을 저장하는 제2의 보수 인터벌 저장부와, 제1의 보수 인터벌에 도달함에 따라 그 부품의 보수를 요구하는 보수요구 발생부와, 제1의 보수 인터벌에 도달함에 따라 제2의 보수 인터벌에 도달하였는가를 판단하여 제2의 보수 인터벌에 도달하고 있지 않은 경우에는 보수요구 발생부에 의한 보수요구를 일시적으로 금지하고 제1의 보수 인터벌을 연장하는 보수 인터벌 연장부를 구비한다. 이렇게 함으로써 복수의 부품으로 구성되는 장치측에서 부품의 보수시기를 관리하고 통지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020025732A

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：KR1020010059540

申请日：2001-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  니시무코고키 ,  도미타히로시 ,  기무라요시오 ,  우에무라료이치 ,  다나카미치오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: Provided are a method and an apparatus for forming a resist pattern in which amending operation is facilitated by a reduced workload of an operator and in the same time, the appropriate amendment can be performed. CONSTITUTION: A controller(7) having a controlling portion controls a processing of a coating and developing apparatus(100) with a coating unit(3A) and a developing unit(3B). An inspecting portion(A2) and the like measures at least one of a plurality of measurement items selected from, a reflection ratio and a film thickness of a base film and a resist film, a line width after the development, an accuracy that the base film matches with a resist pattern, a defect after the development, and so on. The measured data is transmitted to the controller(7). At the controller(7), a parameter subject to an amendment is selected based on the corresponding data of each of the measurement item such as the film thickness of the resist and the line width after the development, and the amendment of the parameters subject to the amendment is performed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成抗蚀剂图案的方法和装置，其中通过减少操作者的工作量来促进修改操作，并且同时可以进行适当的修改。 构成：具有控制部分的控制器（7）通过涂覆单元（3A）和显影单元（3B）来控制涂覆和显影设备（100）的处理。 检查部（A2）等测量从基膜和抗蚀剂膜的反射率和膜厚选择的多个测量项目中的至少一个，显影后的线宽度，基底 电影与抗蚀剂图案匹配，发展后的缺陷等。 测量数据被传送到控制器（7）。 在控制器（7）中，根据测量项目的各个对象的数据（例如抗蚀剂的膜厚度和开发后的线宽度）来选择修改参数，修改参数 执行修正。

公开(公告)号：KR1020010051210A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000062559

申请日：2000-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다유지 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/681

Abstract: PURPOSE: A system and method for processing a substrate are provided to measure the thickness of a resist film coating a wafer by a peripheral exposure apparatus inside the substrate processing system. CONSTITUTION: In a peripheral exposure apparatus(51) in a coating development processing system, the thickness of a resist film on a wafer(W) is measured by a film thickness sensor(64) that senses the film thickness of the resist film by laser beam and moving the wafer(W) on a loading stand(61) in the X direction.

Abstract translation: 目的：提供用于处理基板的系统和方法，以测量通过基板处理系统内部的周边曝光装置涂覆晶片的抗蚀剂膜的厚度。 构成：在涂料显影处理系统中的外围曝光装置（51）中，通过用激光检测抗蚀剂膜的膜厚度的膜厚度传感器（64）测量晶片（W）上的抗蚀剂膜的厚度 并在X方向上将晶片（W）移动到装载台（61）上。

公开(公告)号：KR1019970077123A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970021263

申请日：1997-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라이시마사토시 ,  기바유키오 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막 형성방법 및 도포막 형성장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
장치를 소형화할 수 있고, 레지스트 도포막의 막두께를 균일하면서 고정밀도로 할 수 있는 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
챔버 내의 스핀척으로 유지된 웨이퍼 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성방법은, (a) 웨이퍼 회전수와 챔버 내에서 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악해 두는 공정과, (b) 웨이퍼를 챔버 내에 반입하고, 웨이퍼를 스핀척으로 유지하는 공정과, (c) 웨이퍼에 레지스트액을 뿌림과 동시에, 웨이퍼를 스핀회전시키고, 이것에 의해 웨이퍼 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 공정과, (d) 스핀척의 회전수를 센서에서 검출하는 공정과, (f) 이 검출 막두께 정보와 예비상건 데이터에 의거하여 스핀척의 설정회전수를 수정하고, 다음의 웨이퍼의 레지스트 도포처리를 피드백 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판과 같은 기판에 포토레지스트액과 같은 처리액을 도포하여 도포막을 형성하는 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치에 이용됨.