-
公开(公告)号：KR1020100009467A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：KR1020090022644
申请日：2009-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C25D17/00
CPC classification number: C25D17/001 , H01L21/288 , H01L21/76849
Abstract: PURPOSE: A supply apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method are provided to form a uniform thickness of cap metal on a wafer by preventing affects of byproducts produced in plating. CONSTITUTION: A supply apparatus comprises nozzles(144a,144b,144c,154), a temperature controller, an insulation part, and a delivery mechanism. The nozzles have supply holes for discharging plating liquid to the target surface of a wafer. The temperature controller accepts plating liquid for processing a certain amount of wafers, and controls the temperature of the plating liquid. The insulation part keeps the temperature of the plating liquid. The delivery device transfers the temperature-controlled plating liquid to the supply holes of the nozzles after the insulation part.
Abstract translation: 目的：提供一种供给装置，半导体制造装置和半导体制造方法，通过防止电镀中产生的副产物的影响，在晶片上形成均匀的盖金属厚度。 构成：供给装置包括喷嘴（144a，144b，144c，154），温度控制器，绝缘部件和输送机构。 喷嘴具有用于将电镀液体排出到晶片的目标表面的供应孔。 温度控制器接受用于处理一定量晶片的电镀液，并控制电镀液的温度。 绝缘部件保持电镀液的温度。 输送装置将温度控制的电镀液体传递到绝缘部件之后的喷嘴的供给孔。
-
公开(公告)号：KR100643666B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050101545
申请日：2005-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02351 , C23C16/56 , H01J37/317 , H01J2237/004 , H01J2237/3156 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/2636 , H01L21/312 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템은 복수의 전자빔 관으로부터 피 처리체에 형성된 막으로 전자빔을 조사하여 막두께를 맞추며, 상기 공정에서 상기 복수의 전자빔 관 각각의 출력 또는 조사 시간을 상기 막두께의 분포에 따라 개별적으로 제어한다. 또한, 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템에 의해 피 처리체의 막에 대전된 전하가 제거된다.
-
公开(公告)号：KR101826302B1
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020147025422
申请日：2013-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76867 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1692 , C23C18/1694 , C23C18/1844 , C23C18/1893 , C23C18/38 , C23C28/322 , C23C28/34 , H01L21/288 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76898
Abstract: 기판과의밀착성을향상시킬수 있는도금처리방법을제공한다. 기판에대하여도금처리를실시하는도금처리방법은, 기판(2)에대하여진공증착처리를실시하여기판(2) 상에진공증착처리층(2A)을형성하는공정과, 기판(2)의진공증착처리층(2A) 상에밀착층(21) 및촉매흡착층(22)을순차형성하는공정과, 기판(2)의촉매흡착층(22) 상에배리어막으로서기능하는제 1 도금층(23a)과, 제 2 도금층(23b)을가지는도금층적층체(23)를형성하는공정을구비하고있다. 진공증착처리층(2A)에의해기판(2) 표면을원활화시킬수 있어, 진공증착처리층(2A)은밀착성을높이는하지층으로서기능한다.
Abstract translation: 电镀方法可以提高与基材的粘合性。 在衬底上执行电镀工艺的电镀方法包括通过在衬底2上执行真空沉积工艺在衬底2上形成真空沉积层2A; 在衬底2的真空沉积层2A上形成粘附层21和催化剂吸附层22; 在基板2的催化剂吸附层22上形成具有作为阻挡膜的第1镀层23a和第2镀层23b的镀层叠层体23.通过形成真空蒸镀层2A， 能够使基板2平滑化，成为基底层的真空蒸镀层2A能够提高密合性。
-
公开(公告)号：KR1020170118088A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：KR1020177023083
申请日：2016-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L27/146 , H01L21/288 , C23C18/32 , G02B5/20
CPC classification number: C23C18/32 , G02B5/20 , H01L21/288 , H01L27/14
Abstract: 저비용으로정밀도좋게광학장치의차광체를제작한다. 차광체를포함하는광학장치의제조방법은, 기판(2) 상에무전해도금을실시하여 Co 또는 Co 합금의도금층(23)을형성하는공정을구비하고, 도금층(23)으로이루어지는차광체(23A)를제작한다.
Abstract translation: 光学装置的遮光体以低成本高精度制造。 制造包括遮光体的光学装置的方法包括通过在基板2上执行无电镀形成由Co或Co合金构成的镀层23以形成由镀层23构成的遮光体的步骤 图23A），以产生一个。
-
公开(公告)号：KR101765572B1
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020137033422
申请日：2012-06-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05C11/1039 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/165 , C23C18/168 , C23C18/1682 , C23C18/1683 , C23C18/32
Abstract: 도금액중의암모니아성분의농도를일정하게유지하여도금액을순환하여사용할수 있는도금처리장치를제공한다. 도금처리장치(20)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지기구(110)와, 기판(2)으로도금액(35)을공급하는도금액공급기구(30)를구비하고있다. 이중 도금액공급기구(30)는, 기판(2)으로공급되는도금액(35)을저류하는공급탱크(31)와, 도금액(35)을기판(2)에토출하는토출노즐(32)과, 공급탱크(31)의도금액(35)을토출노즐(32)로공급하는도금액공급관(33)을가지고있다. 또한공급탱크(31)에는, 암모니아가스저류부(170)가접속되고, 공급탱크(31)에저류된도금액(35) 중의암모니아성분의농도를목적의농도범위로유지한다.
Abstract translation: 本发明提供一种即使在镀液中的氨成分的浓度保持一定的情况下也能够使氨成分的量循环的镀覆装置。 电镀处理单元20还设置有货币供给机构30供给的基板旋转机构不110中，在基板2 eurodo量35，其，不旋转的衬底（2）。 双重电镀液供应机构30包括用于存储供应到基板2的电镀液35的供应箱31，用于将电镀液35排放到基板2的排放喷嘴32， 以及用于将供应箱31的除臭剂35供应到排放喷嘴32的除臭剂供应管33。 氨气储存部分170连接到供应罐31，并且储存在供应罐31中的电镀液35中的氨成分浓度保持在目标浓度范围内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101671533B1
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020110085634
申请日：2011-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/6719
Abstract: 본발명은, 고압유체를사용한피처리기판의처리를행할때에, 이처리가이루어지는처리용기에설치된배관을통한다른기기에의고압유체의유입을방지할수 있는기판처리장치등을제공하는것을과제로한다. 처리용기(31)에서는, 초임계상태또는아임계상태인고압유체에의해, 피처리기판(W)에대하여처리를하고, 이처리용기(31)에는유체의유동방향으로제1 배관부재(71) 및제2 배관부재(72)로분할되어, 유체가통류하는배관(406, 408, 411)이접속되어있다. 접속분리기구(70)는, 제1 배관부재(71)와제2 배관부재(72)를서로접속하는위치와이격시키는위치사이에서, 이들제1, 제2 배관부재(71, 72) 중적어도한쪽측을이동시키고, 개폐밸브(741, 742)는제1, 제2 배관부재(71, 72)에각각설치되어, 이들배관부재(71, 72)를이격시킬때에닫힌다.
-
公开(公告)号：KR1020160124011A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：KR1020160045761
申请日：2016-04-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/16 , C23C18/18 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1608 , C23C18/1886 , C23C18/1889 , C23C18/31 , C23C18/32 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/31133 , H01L21/76865 , H01L21/76874 , H01L21/76879 , H01L23/53209 , C23C18/30 , C23C18/1642 , C23C18/1893
Abstract: 기판표면에형성된오목부내에선택적으로도금층을형성한다. 도금처리방법은, 오목부(112)의내표면을포함하는기판의표면에, 촉매층(118)을형성하는촉매층형성공정과, 촉매층이형성된기판을오목부의내부까지건조시키는건조공정과, 건조된기판을회전시키면서, 기판의표면을구성하는물질을용해할수 있는처리액을건조된기판의표면에공급하고, 이에의해, 건조되어있던오목부의내부에의처리액의유입을방지또는억제하면서, 적어도오목부의외측의기판의표면에있는촉매층을제거하는제거공정과, 무전해도금법에의해, 촉매층이형성된오목부의내부에도금층(119)을형성하는도금공정을포함한다.
Abstract translation: 电镀方法包括在包括凹部112的内表面的基板的表面上形成催化剂层118; 干燥具有形成在其上的催化剂层的基板，使得凹部的内部也被干燥; 在所述凹部的外侧，至少在所述基板的表面上除去所述催化剂层，所述处理液被构造成将所述基板的表面的材料溶解在所述基板的表面上，同时旋转所述干燥的基板， 同时防止或抑制处理液体被引入到凹部的干燥内部; 并且通过化学镀处理在不去除催化剂层的凹部的内部形成镀层119。
-
公开(公告)号：KR101568460B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020127006391
申请日：2010-08-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , G03F7/405 , H01L21/6715
Abstract: 레지스트패턴이현상된후, 린스액이공급된기판상에, 레지스트패턴을소수화하는소수화제가하이드로플루오로에테르로희석되어이루어지는처리액을공급하는처리액공급공정과, 처리액의공급을정지하고, 기판의회전을대략정지한상태에서, 레지스트패턴의소수화처리를안정화시키는소수화처리안정화공정과, 처리액이공급된기판위로부터처리액을제거하는처리액제거공정을포함한다. 소수화제는트리메틸실릴디메틸아민이다.
-
公开(公告)号：KR1020150091264A
公开(公告)日：2015-08-10
申请号：KR1020150015371
申请日：2015-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768
CPC classification number: C23C18/1608 , C23C18/1619 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1831 , C23C18/32 , C23C18/54 , H01L21/76874 , H01L2224/03464
Abstract: 기판상에정밀도좋게패터닝된복수층의금속층을형성한다. 기판(11) 상에패터닝된제 1 금속층(12)을형성한다(도 1a). 이어서제 1 금속층(12) 상에금속희생층(15)을형성하고(도 1b), 또한금속희생층(15)의금속과치환가능한이온화된금속을포함하는수용액을금속희생층(15) 상에도포한다. 이에의해, 금속희생층(15) 상에촉매층(16)을형성한다(도 1e). 이어서촉매층(16) 상에무전해도금을실시하여제 2 금속층(18)을형성하고(도 1f), 이제 2 금속층(18)을마스크로서기판(11)에에칭을실시한다.
Abstract translation: 在基板上形成具有高精度的多层图案化金属层。 在基板（11）上形成第一金属层（12）（图1a），在第一金属层（12）上形成金属牺牲层（15）（图1b）。 此外，含有电离金属取代基的水溶液与金属牺牲层（15）的金属扩散在金属牺牲层（15）上。 因此，在金属牺牲层（15）上形成催化剂层（16）。 在催化剂层（16）上进行化学镀处理以形成第二金属层（18）（图1f）。 通过使用第二金属层（18）作为掩模，在基板（11）上进行蚀刻处理。
-
公开(公告)号：KR1020150059118A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020140162646
申请日：2014-11-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/288
CPC classification number: C23C28/34 , C23C18/02 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/1275 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1851 , C23C18/1865 , C23C18/1868 , C23C18/1893 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C28/00 , C23C28/021 , C23C28/321 , H01L21/288 , H01L21/76874 , H01L21/76898
Abstract: 고애스펙트비의오목부의내측의표면및 오목부의외측의기판표면에서, 충분한밀착성을가지는균일한도금을형성하는것이가능해지는전처리방법을제공한다. 전처리방법은, 제 1 커플링제를이용하여, 기판의적어도오목부의내측의표면에제 1 결합층(21a)을형성하는제 1 결합층형성공정과, 제 1 결합층형성공정후에, 제 2 커플링제를이용하여, 기판의적어도오목부의외측의표면에제 2 결합층(21b)을형성하는제 2 결합층형성공정을구비한다.
Abstract translation: 提供一种预处理方法，其能够形成在高纵横比的凹部内的表面上具有足够粘合性的均匀电镀以及凹部的外部基板的表面。 预处理方法包括：通过使用第一偶联剂在基板的至少凹部的表面内形成第一接合层（21a）的第一接合层工艺; 以及通过使用第二偶联剂在所述基板的至少所述凹部的外表面上形成第二接合层（21b）的第二接合层形成工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.029 seconds)
