-
公开(公告)号：KR1020030092675A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020020030416
申请日：2002-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02065 , B08B7/00
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a semiconductor substrate is provided to prevent a metal layer from being corroded or etched even if the semiconductor substrate includes a tungsten layer by eliminating organic residue as contaminant of the semiconductor substrate while using ozone gas and deionized water vapor. CONSTITUTION: The semiconductor substrate is introduced to the inside of a cleaning chamber(S210). Ozone gas and deionized water vapor are induced to the inside of the cleaning chamber to remove the organic residue(S220). The semiconductor substrate is drawn out from the cleaning chamber(240).
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁半导体衬底的方法，以便即使半导体衬底通过在使用臭氧气体和去离子水蒸汽的同时通过消除作为半导体衬底的污染物的有机残留物而包含钨层来防止金属层被腐蚀或蚀刻。 构成：半导体衬底被引入到清洁室的内部（S210）。 将臭氧气体和去离子水蒸汽引入清洁室内部以除去有机残余物（S220）。 半导体衬底从清洁室240中抽出。
-
公开(公告)号：KR1020030018469A
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020010052574
申请日：2001-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a semiconductor device is provided to remove etched residues, polymers, organic metal polymers, a silicon oxide layer or a polluted silicon oxide layer in an etch process without damages of a wire material such as tungsten, aluminium, titanium or titanium nitride, and an insulating layer. CONSTITUTION: A silicon oxide layer(50) is formed on a wafer after a wire forming process is finished. A complex layer of a titanium layer/titanium nitride layer is formed as a barrier metal. An aluminium layer having the thickness of 5000 angstrom is deposited thereon. An aluminium wire pattern(60) is formed by performing a photo etch process. A cleaning process is formed on a surface of the wafer. The remaining polymer is fully removed from the wafer without a damage of the aluminium wire pattern(60) after the aluminium wire pattern(60) is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁半导体器件的方法，以在蚀刻过程中去除蚀刻的残留物，聚合物，有机金属聚合物，氧化硅层或污染的氧化硅层，而不会损坏诸如钨，铝，钛的线材，或 氮化钛和绝缘层。 构成：在丝线成形处理完成之后，在晶片上形成氧化硅层（50）。 形成钛层/氮化钛层的复合层作为阻挡金属。 在其上沉积厚度为5000埃的铝层。 通过进行光蚀刻工艺形成铝线图案（60）。 在晶片的表面上形成清洁工艺。 在铝线图案（60）形成之后，剩余的聚合物完全从晶片上移除而不损坏铝线图案（60）。
-
公开(公告)号：KR1020020076473A
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1020010016326
申请日：2001-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10855
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device including a storage electrode of a capacitor is provided to maximize electrostatic capacitance of a capacitor by increasing a surface area of a storage electrode. CONSTITUTION: An isolation region(150) is formed on a semiconductor substrate(100). A conductive pad(410) is formed on an active region of the semiconductor substrate(100). A conductive plug is formed on the semiconductor substrate(100) by using an SAC(Self Aligned Contact) forming method. A mold is formed on an interlayer dielectric(230). A recess process is performed on a surface of the conductive plug. An electrode layer is formed on a sidewall of the mold and a recessed conductive plug(450'). A storage electrode(650) is separated by removing the electrode layer from an upper surface of the mold.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括电容器的存储电极的半导体器件的方法，以通过增加存储电极的表面积来最大化电容器的静电电容。 构成：在半导体衬底（100）上形成隔离区（150）。 导电焊盘（410）形成在半导体衬底（100）的有源区上。 通过使用SAC（自对准接触）形成方法在半导体衬底（100）上形成导电插塞。 在层间电介质（230）上形成模具。 在导电插头的表面上进行凹陷处理。 电极层形成在模具的侧壁和凹入的导电插塞（450'）上。 通过从模具的上表面去除电极层来分离存储电极（650）。
-
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101721115B1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020100003131
申请日：2010-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/14
Abstract: 서브워드라인드라이버를포함하는반도체소자에관해개시한다. 상기반도체소자는, 메모리셀에동작신호를전달하는제 1 서브워드라인및 제 2 서브워드라인, 제 1 서브워드라인및 제 2 서브워드라인에동작신호를선택적으로전달하는메인워드라인, 및제 1 서브워드라인및 제 2 서브워드라인사이에연결된스위칭트랜지스터를포함하고, 스위칭트랜지스터의게이트는메인워드라인과연결된다.
-
37.发明公开
公开(公告)号：KR1020160046273A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020140169976
申请日：2014-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274
Abstract: 포토마스크는투명기판과, 투명기판상의중앙부에배치되는메인패턴영역과, 투명기판상에서메인패턴영역의외곽으로부터투명기판의외곽까지이르는반투광성에지영역을포함한다. 전자소자를제조하기위하여, 포토마스크를사용하여주위영역의적어도일부를중복노광하면서포토레지스트막이형성된상기피전사체를복수회에걸쳐노광한다. 표시장치를제조하기위하여, 포토마스크를이용하여복수의얼라인키 영역중 적어도일부를중복노광하면서포토레지스트막으로덮인복수의소자영역및 복수의얼라인키 영역을순차적으로노광한다.
Abstract translation: 光掩模包括：透明基板; 主图案区域布置在透明基板的中心部分上; 以及设置在透明基板上的半透明边缘区域，以占据从主图案区域的外围到透明基板的外围的区域。 为了制造电子器件，将形成光致抗蚀剂膜的被转印物体暴露多次，同时通过使用光掩模对周边区域的至少一部分进行双重曝光。 为了制造显示装置，由光致抗蚀剂膜覆盖的多个元件区域和多个对准的键区域被顺序曝光，同时使用光掩模双重曝光多个对准的关键区域的至少一部分。 光掩模具有简单的结构，可以通过简化的制造过程来构造。 该静电掩模不包括屏蔽膜，以消除由使用屏蔽膜引起的故障的可能性。
-
公开(公告)号：KR1020150133631A
公开(公告)日：2015-11-30
申请号：KR1020150017881
申请日：2015-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 충남대학교산학협력단
Abstract: 전압측정모드또는전류측정모드를제공하는신호처리방법및 장치가개시된다. 신호처리장치는전압측정모드및 전류측정모드중 어느하나의측정모드를결정할수 있다. 전압측정모드에서신호처리장치는입력된전압을증폭하여출력하고, 전류측정모드에서신호처리장치는입력된전류를증폭하여출력할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于处理提供电压测量模式或电流测量模式的信号的方法和装置。 用于处理信号的装置可以从电压测量模式和当前测量模式确定任何一种测量模式。 用于处理电压测量模式中的信号的装置可放大并输出输入电压。 用于在当前测量模式下处理信号的装置可放大并输出输入电流。 用于处理信号的装置包括：输入电压选择单元，用于选择多个输入电压中的任何一个输入电压; 连接到所述输入电压选择单元的输入装置; 以及输入电流控制单元，用于连接输入电压选择单元的操作来控制输入电流的流入。
-
公开(公告)号：KR1020150084227A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004037
申请日：2014-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 충남대학교산학협력단
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/72 , A61B5/04004 , A61B5/0428 , A61B5/7225 , A61B2560/0209 , H03F1/0277 , H03F3/393 , H03F3/45475 , H03F2200/261 , H03F2200/333 , H03F2203/7227 , H03K17/687
Abstract: 생체신호증폭회로가개시된다. 일실시예에따른생체신호증폭회로는주기적으로동작상태및 저전력상태사이에서천이하는증폭회로및 증폭회로가동작상태에있는경우출력신호를샘플링하고, 증폭회로가저전력상태에있는경우샘플링된신호를유지하는샘플링회로를포함한다.
Abstract translation: Disclose是一种生物信号放大电路。 根据实施例的生物信号放大电路包括周期性地将工作状态转换为低功率状态的放大电路，以及当放大电路处于工作状态时对输出信号进行采样的采样电路，当维持采样信号时 放大电路处于低功率状态。
-
公开(公告)号：KR1020140050936A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020120117361
申请日：2012-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: The present invention provides a photomask and a manufacturing method of the same. The photomask can minimize the change of CD on a light shielding pattern by not damaging the light shielding pattern in a washing process using ammonia water using an etching prevention film covering a side wall of the light shielding pattern. The photomask comprises: a transparent substrate; the light shielding pattern located on the transparent substrate, and at least containing molybdenum and silicon; and the etching prevention film covering at least the side surface of the light shielding pattern.
Abstract translation: 本发明提供一种光掩模及其制造方法。 光掩模可以通过使用覆盖遮光图案的侧壁的防蚀膜在使用氨水的洗涤过程中不损害遮光图案来最小化遮光图案上的CD的变化。 光掩模包括：透明基板; 所述遮光图案位于所述透明基板上，并且至少含有钼和硅; 以及至少覆盖遮光图案的侧面的防蚀膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.025 seconds)
