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公开(公告)号：KR100224659B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960016738
申请日：1996-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/46
Abstract: 종형 기상 성장 장치용 캡에 관해 개시한다. 이 기상 성장 장치용 캡은 상부평판, 상기 상부평판과 소정 거리 평행하게 이격되어 있는 하부평판, 상기 상부평판과 하부평판 사이에 일정 간격으로 적층된 복수개의 단열판 및 상기 단열판들의 외주면에 접하며 상기 상부평판, 하부평판을 연결하는 복수개의 로드를 구비하고, 상기 상부, 하부평판, 단열판 및 복수의 로드는 일체로 구성되며, 개방형으로 구성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 캡의 모든 구성요소들이 일체형으로 형성되어 있기 때문에 부품조립시 발생한 오염입자에 의한 공정불안정이 해결되고 장치의 설치, 교환 및 유지 관리가 용이해진다. 또 개방형으로 형성되어 있기 때문에 반응 가스가 웨이퍼에 도달하기 전에 활성화되도록 하여 반응 입자의 발생을 감소시킨다.
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公开(公告)号：KR1019990047770A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066287
申请日：1997-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 반도체소자의 커패시터 제조방법 및 이에 따라 제조되는 반도체 커패시터에 관한 것이다.
본 발명은, 패턴이 형성된 반도체기판 상에 산화막을 최상층에 포함하는 소정의 절연막들을 순차적으로 형성시킨 후, 콘택홀이 형성되도록 상기 소정의 절연막들을 제거시키는 단계; 상기 콘택홀을 포함하는 반도체기판의 산화막 상에 커패시터의 하부전극물질층을 형성시키는 단계; 상기 산화막의 소정의 영역이 노출되도록 상기 하부전극물질층을 제거시키는 단계; 상기 하부전극물질층의 제거로 노출되는 산화막을 언더컷시키는 단계; 상기 산화막의 언더컷에 의해 노출되는 상기 하부전극물질층의 하부표면을 포함하는 표면을 세정시키는 단계; 및 상기 산화막의 언더컷에 의해 노출되는 하부전극물질층의 하부표면을 포함하는 표면적이 증가되도록 헤미스페리컬그레인공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 하부전극물질층의 표면적의 안정적인 증가를 통하여 커패시터의 용량을 극대화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100174996B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019960051384
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B05B1/00
Abstract: 본 발명은 공정튜브가 단일튜브로 구성되고, 상기 단일튜브내로 반응가스를 도입시키기 위한 쌍둥이분사노즐가 상기 단일튜브의 상단에 연결되어 구성되는 마주보기 가스흐름 방식의 저압화학기상증착장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마주보기 가스흐름 방식의 저압화학기상증착장치는 화학기상증착을 수행하기 위한 공정튜브가 가열챔버내에 수직으로 취부되어 이루어진 저압화학기상증착장치에 있어서, 공정튜브가 단일튜브(11)이고, 상기 단일튜브(11)내로 도입되는 반응가스가 상기 단일튜브(11)의 상단으로 공급되어 하단에서 배기되도록 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 노즐공(8)의 폐색에 의한 웨이퍼(10)의 불균일한 증착을 예방하여 증착된 웨이퍼(10)의 수율의 증대 및 그에 따른 반도체 장치의 수율을 증대시키고, 장치의 유지, 관리를 용이하게 하고, 장치의 런다운 시간을 감소시켜 반도체 장치의 생산성을 증대시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100153206B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950034168
申请日：1995-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼를 적재한 보트가 넣어지는 공정튜브와, 이 공정튜브내의 온도를 공정에 필요한 온도로 유지시키기 위한 히터와, 상기 히터를 제어하기 위한 것으로 공정튜브내의 온도를 검출하는 온도센서와, 상기 공정튜브와 히터 사이에 설치되어 히터의 열에서 발생되는 불순물이 공정챔버로 침투되지 않도록 보호하는 라이너로 구성된 반도체 제조공정의 수평형 로 확산장치에 있어서, 상기 공정튜브내의 온도를 검출하는 온도센서가 공정튜브와 라이너 사이에 설치된 구성이다.
따라서 고온공정에 의한 열변형으로 공정튜브내 굴곡이 형성되어도 교체가 가능하여 수리후 재사용할 수 있는 경제적인 잇점이 있으며, 교체작업이 용이하여 작업시간을 단축시킴으로써 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980074785A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970010755
申请日：1997-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 소자(device)를 제조하는 화학기상증착 장치(CVD : chemical vapor deposion)와 같은 장비의 배기 라인에 형성되는 파우더를 제거하기 위하여 배출 라인에 일정한 온도를 유지할 수 있는 장치를 제공하고, 이 온도 유지장치로 배출 라인의 파우더 발생을 억제하는 것에 관한 것으로서, 외부 배출구를 갖고 있는 화학기상증착 장치; 상기 외부 배출구에 벨로우즈의 일측이 연결되어 있고, 그 벨로우즈의 다른 일측이 펌핑 라인과 연결되어 있고, 그 펌핑 라인의 다른 일측은 진공 펌프와 연결되어 있고, 상기 펌핑 라인의 중간에 밸브를 장착하고 있는 화학기상증착 장치의 배출 라인에 있어서, 상기 펌핑 라인 전체 둘레에 온도 조절장치와 연결된 히팅 자켓을 설치하고, 상기 펌핑 라인 중간에 파우더 필터를 장착한 것을 특징으로 하는 배출 라인의 파우더 제거 장치를 제공하여 설비의 수명연장 및 장비의 교체시간을 단축하는 이점을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980031822A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960051384
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B05B1/00
Abstract: 본 발명은 공정튜브가 단일튜브로 구성되고, 상기 단일튜브내로 반응가스를 도입시키기 위한 쌍둥이분사노즐가 상기 단일튜브의 상단에 연결되어 구성되는 마주보기 가스흐름 방식의 저압화학기상증착장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마주보기 가스흐름 방식의 저압화학기상증착장치는 화학기상증착을 수행하기 위한 공정튜브가 가열챔버내에 수직으로 취부되어 이루어진 저압화학기상증착장치에 있어서, 공정튜브가 단일튜브(11)이고, 상기 단일튜브(11)내로 도입되는 반응가스가 상기 단일튜브(11)의 상단으로 공급되어 하단에서 배기되도록 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 노즐공(8)의 폐색에 의한 웨이퍼(10)의 불균일한 증착을 예방하여 증착된 웨이퍼(10)의 수율의 증대 및 그에 따른 반도체 장치의 수율을 증대시키고, 장치의 유지, 관리를 용이하게 하고, 장치의 런다운 시간을 감소시켜 반도체 장치의 생산성을 증대시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980015716A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035152
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 바틀(Bottle)에 담긴 포스퍼러스 옥시클로라이드(POCl
3 ) 등의 액체성분의 화학약품이 운반(Carrier) 기체에 의해서 반도체 소자 제조공정이 진행되는 공정챔버에 공급되도록 구성된 반도체설비의 화학약품 공급장치에 관한 것이다.
본 발명은, 액상의 화학약품을 일정량 담을 수 있는 바틀, 상기 바틀에 운반용 가스를 공급하기 위하여 상기 바틀의 상부를 관통하여 하부로 연장설치되는 노즐, 상기 바틀의 상부를 관통하여 상기 운반용 가스와 상기 화학약품이 혼합되어 이루어지는 버블을 방출시키는 배출관을 구비하여 이루어지는 반도체 설비의 화학약품 공급장치에 있어서, 상기 노즐은 상기 바틀 저면과 근접되도록 수직 연장된 후 다시 상기 바틀 저면과 평행하게 절곡연장된 수평부를 갖는 형태로 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 바틀에 담긴 화학약품의 사용기간이 연장되어 설비가동율이 증가하고, 화학약품이 공정챔버에 원활하게 공급되어 공정의 효율성이 증가하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980015715A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035151
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 웨이퍼를 반도체 소자 제조공정이 진행되는 공정챔버로 옮겨주는 반도체 웨이퍼 보트에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼가 안착되는 내부링과 상기 내부링을 둘러싸는 외부링이 소정의 위치에서 복수의 연결부에 의해서 연결되어 일체가 된 복수개의 웨이퍼 받침부가 상기 외부링 상에 형성된 복수의 수직지지보에 의해서 일정한 간격으로 서로 이격되며 적층되어짐을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 및 수직지지보의 휘어짐이 방지되어 웨이퍼의 표면이 찢어지는 공정불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100607417B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020010000823
申请日：2001-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 다수매의 웨이퍼가 적재된 튜브를 포함하는 장치를 사용하는 산화막의 형성 방법이 개시되어 있다. 웨이퍼가 적재된 보트가 튜브 내부로 이송된다. 상기 튜브에 질소 가스가 제공되고, 일정 온도 상태가 유지된다. 이어서, 산소 가스가 제공된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 표면에 제1산화막이 형성된다. 상기 튜브를 상승 온도로 형성한 다음 상기 상승 온도 상태를 계속해서 유지한다. 이어서, 상기 산소 가스가 제공된다. 이에 따라 제2산화막이 형성된다. 그리고 상기산소 가스 및 염화수소 가스가 제공된다. 이에 따라, 제3산화막이 형성된다. 열처리를 수행한 다음 상승 온도를 하강시키고, 상기 하강에 의한 하강 온도 상태를 유지한다. 그리고, 상기 보트를 상기 튜브 외부로 이송시킨다. 따라서, 열산화에 의한 산화막이 형성되는데, 상기 산화막은 균일한 두께 분포를 갖는다.
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公开(公告)号：KR100536025B1
公开(公告)日：2006-03-20
申请号：KR1019980042829
申请日：1998-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 웨이퍼가 대구경화되면서 웨이퍼 보트에 다수개의 웨이퍼를 장착한 상태에서 공정을 진행하는 중에 웨이퍼의 중앙까지 공정가스가 골고루 유입되지 않아 웨이퍼의 중앙과 테두리 사이에 온도차이가 발생한다는 점을 감안하여 제안된 것으로, 이는 웨이퍼 보트를 2중으로 설치하고, 공정을 진행하는 중에 각 웨이퍼 보트의 높이를 조절하여 공정가스의 유입이 원활하도록 대구경화된 웨이퍼 간의 피치를 적절하게 조절할 수 있도록 된 웨이퍼 보트에 관한 것이다.
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