公开(公告)号：KR3004261650000S

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR3020060004637

申请日：2006-02-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박진우 ,  김형준 ,  이영석 ,  이재현 ,  홍지수

公开(公告)号：KR3004245760000S

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：KR3020060004250

申请日：2006-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이재현 ,  김형준 ,  이영석 ,  박진우 ,  홍지수

公开(公告)号：KR3004244780000S

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：KR3020060002313

申请日：2006-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이영석 ,  김형준 ,  홍지수 ,  이재현 ,  박진우

公开(公告)号：KR3004213140000S

公开(公告)日：2006-08-07

申请号：KR3020060004646

申请日：2006-02-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 홍지수 ,  김형준 ,  이영석 ,  이재현 ,  박진우

公开(公告)号：KR102021961B1

公开(公告)日：2019-11-04

申请号：KR1020140004095

申请日：2014-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한경훈 ,  강병복 ,  강남준 ,  김태화 ,  조정현 ,  이재현

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR1020170066080A

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020150172658

申请日：2015-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  김기철 ,  김언기 ,  문평 ,  이재현 ,  이한기

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68757

Abstract: 본발명은배플플레이트, 플라스마챔버, 및기판처리방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는기판이안착될수 있는서셉터(susceptor); 및상기서셉터를둘러싸고반응공간을정의하는챔버하우징을포함하는플라스마챔버를제공한다. 상기플라스마챔버는상기서셉터의주위를환상(環狀)으로둘러싸는배플플레이트를포함할수 있다. 상기배플플레이트는도전성물질의제 1 층및 비도전성물질의제 2 층을포함하고, 상기제 2 층이상기제 1 층보다상기반응공간에더 가까이위치할수 있다. 본발명의배플플레이트를이용하면아크발생이방지되거나현저하게감소하여파티클오염이줄어들고, 또한더 높은파워를인가할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 挡板，等离子体室和基板处理方法技术领域本发明涉及挡板，等离子体室和基板处理方法，并且更具体地涉及挡板，等离子体室和基板处理方法。 还有一个包围感受器并限定反应空间的腔室。 等离子体室可以包括环形地围绕感受器的挡板。 挡板可以包括第一层导电材料和第二层非导电材料，并且可以比覆盖基层的第二层更靠近反应空间。 当使用本发明的挡板时，防止或显着减少电弧产生，从而减少颗粒污染并且可以施加更高的功率。

公开(公告)号：KR1020170024922A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020150120546

申请日：2015-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재현 ,  김태화 ,  원복연 ,  윤준호 ,  조정현

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32532 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146

Abstract: 플라즈마발생장치는외부와격리가능한반응공간을정의하는챔버와, 상기챔버의상부에배치되는상부전극과, 상기챔버의하부에배치되는하부전극과, 상기챔버의측벽에배치되는측벽전극과, 상기상부전극및 하부전극중 적어도하나에 RF 펄스전원을공급하는 RF 펄스전원공급부와, 상기측벽전극에직류펄스전원을공급하는직류펄스전원공급부를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种等离子体产生装置。 等离子体产生装置包括限定可与外部环境隔离的反应空间的室，设置在室的上部的上电极，设置在室的下部的下电极，设置在室 腔室的侧壁，被配置为向从上部电极和下部电极中选择的至少一个提供RF脉冲功率的射频（RF）脉冲电力供给器，以及被配置为提供直流脉冲功率的直流（DC）脉冲电源 到侧壁电极。

公开(公告)号：KR1020150026119A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020130104508

申请日：2013-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이은경 ,  최병룡 ,  주원제 ,  김병성 ,  이재현 ,  이종운 ,  황동목

IPC: B82B1/00 ,  H01L31/12

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01B1/04 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45186 ,  H01L2224/45193 ,  H01L2224/45663 ,  H01L2224/45693 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014

Abstract: 개시된 와이어 구조체는, 와이어 형상을 가지는 제1 와이어 코어와, 상기 제1 와이어 코어를 둘러싸는 것으로 탄소를 포함하는 제1 카본 셸을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 제1 와이어의 길이 방향으로 연장되는 제2 와이어를 포함한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种其纵向控制掺杂的导线结构，具有该线结构的半导体器件及其制造方法。 所公开的线结构包括：第一线，其包括具有线形的第一线芯和覆盖第一线芯并包括碳的第一碳壳; 以及延长到第一线的纵向方向的第二线。

公开(公告)号：KR1020130061514A

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：KR1020110127863

申请日：2011-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이은경 ,  최병룡 ,  차승남 ,  이재현 ,  황동목

IPC: C08K3/04 ,  C08L101/00 ,  C01B31/04 ,  H01L35/22

CPC classification number: H01L35/28 ,  B32B3/263 ,  B32B3/30 ,  B82Y30/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24612 ,  C08K3/04 ,  C01B32/182 ,  C08L101/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a composite of a polymer and a graphene is provided to obtain the composite with a 3-dimensional structure, having both high electric conductivity of the graphene and low thermal conductivity of the polymer. CONSTITUTION: A composite of a composite of a polymer and a graphene comprises at least one 3-dimensioanl polymer structure; and a graphene layer formed on the polymer structure. A manufacturing method of the composite comprises a step of preparing a substrate for growth(110), having an uneven surface; a step of synthesizing a graphene layer on the surface of the substrate; a step of forming a polymer structure on the graphene layer; and a step of removing the substrate.

Abstract translation: 目的：提供聚合物和石墨烯的复合材料的制造方法，以获得具有石墨烯的高导电性和聚合物的低导热性的三维结构的复合体。 构成：聚合物和石墨烯的复合材料的复合材料包含至少一种3-维聚合物结构; 和形成在聚合物结构上的石墨烯层。 复合材料的制造方法包括制备具有不平坦表面的用于生长的基底（110）的步骤; 在所述基板的表面上合成石墨烯层的工序; 在石墨烯层上形成聚合物结构的步骤; 以及去除基板的步骤。

公开(公告)号：KR1020080083526A

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：KR1020070024198

申请日：2007-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재현

IPC: G06F13/00 ,  G06F1/00 ,  G06F13/14

Abstract: An interface converter and a data storage device using the interface converter are provided to convert a command of PCMCIA interface standard into a command of CE-ATA interface standard to use a hard disk drive employing CE-ATA interface as a storage unit of a mobile employing PCMCIA interface. An interface converter includes a first connecting terminal(310), a second connecting terminal(330), a buffer memory(320-2) and a converter controller(320-1). The buffer memory temporarily stores data transmitted between a host device connected to the first connecting terminal and a storage device connected to the second connecting terminal. The converter controller reads specification information of the storage device and stores the specification information in an internal memory when an initialization command is received from the host device. The converter controller varies the data block size and the bus width of the storage device according to the size of unprocessed data among the data stored in the buffer memory while a read command or a write command is executed.

Abstract translation: 提供一种使用接口转换器的接口转换器和数据存储设备，将PCMCIA接口标准命令转换为CE-ATA接口标准命令，使用采用CE-ATA接口的硬盘驱动器作为采用移动通信的移动设备的存储单元 PCMCIA接口 接口转换器包括第一连接端子（310），第二连接端子（330），缓冲存储器（320-2）和转换器控制器（320-1）。 缓冲存储器临时存储在连接到第一连接终端的主机设备与连接到第二连接终端的存储设备之间传输的数据。 当从主机设备接收到初始化命令时，转换器控制器读取存储设备的指定信息并将指定信息存储在内部存储器中。 转换器控制器在执行读取命令或写入命令时，根据存储在缓冲存储器中的数据中的未处理数据的大小来改变存储设备的数据块大小和总线宽度。