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公开(公告)号：KR101823347B1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：KR1020110068071
申请日：2011-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/3696 , H01L27/14609
Abstract: 센서가개시된다. 상기센서는컬러픽셀및 깊이픽셀을포함하는픽셀어레이, 상기컬러픽셀의동작을제어하기위한다수의제1제어신호들을공급하기위한다수의신호라인들을포함하는제1신호라인그룹, 및상기깊이픽셀의동작을제어하기위한다수의제2제어신호들을공급하기위한다수의신호라인들을포함하는제2신호라인그룹을포함한다.
Abstract translation: 图像传感器包括单位像素，该单位像素包括具有深度像素的多个彩色像素。 第一信号线组的第一信号线组用于提供控制多个彩色像素的操作的第一控制信号，并且独立的第二信号线组的第二信号线用于提供控制深度的操作的第二控制信号 像素。
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公开(公告)号：KR101802243B1
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020110043178
申请日：2011-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01J1/4228 , G01B11/22 , G01S7/4816 , G01S7/4861 , G01S17/89 , H01L27/14603 , H04N5/3696 , H04N5/3745
Abstract: 본발명에따른거리측정센서는, 수광영역주변에위치한센싱영역을비대칭으로배치하여그 사이의간격을증가시켜광 전하의전송효율을향상시키도록횡 방향필드(Lateral field)를형성할수 있다. 서로상보적으로동작하는센싱영역들사이에서동작중인영역에대해비 동작중인영역에의한횡 방향필드의영향을감소하여광 전하의전송효율을높일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130053601A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110118989
申请日：2011-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N13/02
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N13/207 , H04N13/271 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: PURPOSE: A pixel of a depth sensor and an image sensor including the pixel are provided to reduce spatial waste according to the miniaturization of the pixel by sharing a first floating diffusion node with first and second light amount extracting circuits. CONSTITUTION: A first light amount extracting circuit(210) generates a first charge changed according to the amount of light reflected from a target and transmits the first charge to a light amount output circuit(230). A second light amount extracting circuit(220) generates a second charge changed according to the amount of the light reflected from the target and transmits the second charge to the light amount output circuit. The light amount output circuit receives the first and the second charges from the extracting circuits to output a pixel signal according to a control signal.
Abstract translation: 目的：提供深度传感器的像素和包括像素的图像传感器，以通过与第一和第二光量提取电路共享第一浮动扩散节点，根据像素的小型化来减少空间浪费。 构成：第一光量提取电路（210）产生根据从目标反射的光量而改变的第一电荷，并将第一电荷发送到光量输出电路（230）。 第二光量提取电路（220）产生根据从目标反射的光量而改变的第二电荷，并将第二电荷发送到光量输出电路。 光量输出电路从提取电路接收第一和第二电荷，以根据控制信号输出像素信号。
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公开(公告)号：KR100707204B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050074849
申请日：2005-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , Y10S977/861
Abstract: 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저단면비의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 및 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버;를 구비하며, 상기 저항성 팁의 높이는 상기 저항성 팁의 반경 보다 작은 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR100695139B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020050011410
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법이 개시된다.
개시되는 본 발명에 따른 강유전체 기록 매체는 극성 반전(polarization reversal)이 이루어지는 소정의 강제 전압(coercive voltage)을 가지는 강유전체층(ferroelectric layer); 상기 강유전체층 위에 형성되는 것으로, 상기 강제 전압보다 낮은 전압인 제 1 전압에서 저항이 작아지고, 상기 강제 전압보다 높은 전압인 제 2 전압에서 저항이 커지는 비휘발성의 이방성 전도층(anisotropic conduction layer);을 구비하고, 상기 강유전체층의 분극 상태와 상기 이방성 전도층의 저항 상태의 조합에 의해 다중 비트의 정보를 저장하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법에 의하면, 강유전체 기록 매체의 하나의 도메인에서도 다중 비트를 구현할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060083066A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050003977
申请日：2005-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버; 상기 캔티레버 상에서 상기 저항영역을 덮는 유전층; 및 상기 유전층 상에서 상기 저항영역에 해당되는 영역에 개구가 형성된 메탈 쉴드;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR100590564B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR100580652B1
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020040068007
申请日：2004-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1 및 제2마스크막을 기판의 상면에 사각형상으로 형성하고, 상기 기판의 상면을 1차적으로 식각한 다음, 상기 제1마스크막을 식각하여 팁 네크의 폭에 해당하는 제3마스크막을 형성한다. 상기 제3마스크막으로 상기 기판을 2차적으로 식각하여 팁 네크의 폭이 소정의 폭으로 되게 한다. 상기 제3마스크막을 제거한 후 상기 기판을 열처리하여 팁의 첨두부를 형성한다. 이에 따르면, 팁 네크의 폭이 일정해지고 따라서 팁의 높이가 일정한 반도체 탐침을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060039109A
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040088163
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22 , H01L27/1159
Abstract: 탐침 어레이를 가지는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 저항성 메모리 소자 제조 방법은, 제1기판 상에 바닥 전극 및 강유전층을 순차적으로 형성하고, 제2기판 상에 데이터 기록 및 재생을 위한 저항성 탐침들의 어레이를 형성하는 과정을 포함한다. 탐침의 팁 부분이 강유전층의 표면에 대향되게 제1기판을 제2기판에 폴리머층을 포함하는 결합층을 이용하여 웨이퍼 수준 결합(wafer level bonding)시키는 과정을 포함한다.
저항성 탐침, 유전 분극, 도메인, 도핑, 공핍층 -
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