Abstract:
본 발명은 솔더 내열크랙성 및 내습성, 성형성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로써, 하기의 화학구조식[1]로 표시되는 에폭시 수지와 화학구조식[2]로 표시되는 에폭시 수지를 중량비[1]/[2]=8/2-2/8로 혼합한혼합물을 총 에폭시 양에 대해 20-100중량% 포함한 에폭시수지, 경화제, 경화 촉진제, 변성 실리콘 오일 및 무기충전제를 필수성분으로 하며 무기충전제는 전체 조성물에 대하여 82-93중량% 첨가하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제, 및 첨가제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시수지로 화학식 1로 표시되는 다방향족 에폭시수지 및 화학식 2로 표시되는 페놀아랄킬형 에폭시수지를 사용하고, 상기 무기 충전제로 53㎛ 이상의 입경을 갖는 입자의 함량이 0.4 중량% 이하인 용융실리카를 사용하며, 상기 첨가제로 화학식 3으로 표시되는 페놀계 산화방지제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 비대칭 편면 구조를 갖는 반도체 소자의 휨 현상을 개선함과 동시에 내 오염성, 난연성, 성형성, 및 신뢰성이 우수한 반도체 소자 제조에 유용하다. 에폭시수지, 용융실리카, 페놀계 산화방지제, 비대칭, 편면 구조, 휨 현상, 내 오염성, 난연성, 성형성, 신뢰성
Abstract:
PURPOSE: An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device is provided to have excellent reliability and moldability after manufacturing a semiconductor device. CONSTITUTION: An epoxy resin composition comprises an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, inorganic filler and a carbon black. The inorganic filler comprises silica spheres having maximum diameter of 35 micron or less, and average diameter of 1-10 micron. The pH of hydrothermal extract of the carbon black is 6-8. The comprised amount of the silica spheres is 70-95 weight%.
Abstract:
PURPOSE: A non-solvent type surface treatment agent is provided to ensure the effective dispersion of inorganic particles, environmental contamination prevention, and fluidity improvement. CONSTITUTION: A non-solvent type surface treatment agent includes a compound represented by chemical formula 1: R^1COOR^2. In chemical formula 1, R^1 is C1-10 alkyl substituted with a hydroxy group or C6-10 aryl group substituted with a hydroxy group; and R^2 is C1-10 alkyl or C6-10 aryl group. The inorganic particles are surface-treated with a surface treatment agent. The composition includes an epoxy resin, hardener, curing accelerator and inorganic filler.
Abstract:
본 발명은 패키지의 휨 특성 및 내리플로성(reflow-resistant property)이 양호하며, 우수한 성형성을 가지는 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로서, 에폭시 수지, 경화제, 비할로겐계 난연제 및 무기 충전제를 포함하여 이루어지는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 에폭시 수지로서 분자 중에 비페닐 유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀류 화합물과 4,4'-디히드록시 비페닐의 혼합물을 글리시딜 에테르화시켜 생성되는 변성 에폭시 수지 0.5 내지 15중량%; 경화제로서 다방향족 경화제와 다관능성 경화제의 혼합물 2 내지 10.5중량%; 무기 충전제로서 53㎛ 이상의 크기를 갖는 입자의 중량비가 0.3 중량% 이하이면서 구형화도가 0.85 이상인 구형실리카를 80 내지 93 중량%를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 에폭시 수지, 비페닐 유도체, 노볼락 구조, 글리시딜 에테르화, 변성 에폭시 수지, 무기 충전제
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로 보다 상세하게는 인체나 기기에 유해한 할로겐계 난연제 및 인계 난연제를 사용하지 않고, 다방향족 에폭시 수지와 다방향족 경화제를 사용하며, 여기에 무기난연제로서 포스파젠(phosphazene)을 사용하고, 선택적으로 징크보레이트(zinc borate)를 혼합하여 난연성을 달성한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 할로겐 난연제, 인계 난연제, 다방향족 에폭시 수지, 다방향족 경화제, 포스파젠, 징크보레이트
Abstract:
본 발명은 할로겐 난연제를 함유하지 않고도 우수한 난연성을 가지며, 패키지의 휨 특성 및 내리플로성(reflow-resistant property)이 양호한 반도체 봉지제용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로서, 에폭시 수지, 경화제, 비할로겐계 난연제 및 무기 충전제를 포함하여 이루어지는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 에폭시 수지로서 분자 중에 비페닐 유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀류 화합물과 4,4'-디히드록시 비페닐의 혼합물을 글리시딜 에테르화시켜 생성되는 변성 에폭시 수지 0.5 내지 15중량%; 경화제로서 다방향족 경화제와 다관능성 경화제의 혼합물 0.1 내지 15중량%; 난연제로서 포스파젠과 징크보레이트의 난연보조제의 혼합물 0.5 내지 5 중량% 및 잔량으로서 무기 충진재를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 에폭시 수지, 비페닐 유도체, 노볼락 구조, 글리시딜 에테르화, 변성 에폭시 수지, 비할로겐계 난연제, 무기 충전재