公开(公告)号：KR1020080064291A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：KR1020070001026

申请日：2007-01-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  한일기 ,  최원준 ,  조운조 ,  이정일

IPC: H01S5/34 ,  H01S3/10

CPC classification number: H01S5/3407 ,  H01S3/1026 ,  H01S5/2013

Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.

Abstract translation: 提供具有窄光束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，以提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激发 微透镜 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱有源层，芯层，上量子阱活性层和上包层。 在该板上形成下包层（31a）。 在下包层上形成下量子阱有源层（32a）。 在下量子阱活性层上形成芯层（33）。 在芯层上形成上量子阱活性层（32b）。 在上量子阱活性层上形成上覆层（31b）。

公开(公告)号：KR100545625B1

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：KR1020030018348

申请日：2003-03-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 허두창 ,  한일기 ,  최원준 ,  박용주 ,  조운조 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01S3/0941

Abstract: 본 발명은 비대칭 SCH(Separate-Confinement Heterostructure) 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 InP를 기반으로 하여 InP-InGaAs-InGaAsP로 구성되어 있다. 반도체 레이저 다이오드는 p-클래딩층, p 형 제 1 및 제 2 SCH층들, 이러한 p 형 제 1 및 제 2 SCH층들 사이에 삽입되는 p-InP 삽입층, 레이저 빔을 방출하며 다수의 장벽층 및 다수의 우물층을 구비하는 활성층, n 형 제 1 및 제 2 SCH층들, n 형 제 1 SCH층 내에서 n 형 제 2 SCH층과의 경계면에 삽입되는 InGaAsP 삽입층, n-클래딩층을 포함하고 있다. 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은 기판 상에 n-클래딩층을 형성하는 단계, n-클래딩층 상에 n 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 2 SCH층 상에 n 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 1 SCH층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 p 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 1 SCH층 상에 p-InP 삽입층을 형성하는 단계, p-InP 삽입층 상에 p 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 2 SCH층 상에 p-클래딩층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, n 형 제 1 SCH층의 형성시, InGaAsP 삽입층이 n 형 제 1 SCH층 내에 삽입된다.
레이저 다이오드, 대칭 SCH 구조, 비대칭 SCH 구조, 누설전류, 내부손실

公开(公告)号：KR100541305B1

公开(公告)日：2006-01-16

申请号：KR1020010088870

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  신재철

IPC: H01L31/09

Abstract: 본 발명은 양자우물을 적외선 흡수층으로 사용하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 생성하는 단계와, 상기 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판 상부에 SiO
2 유전체를 소정의 두께로 도포하는 단계와, 상기 SiO
2 유전체가 도포된 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것이다.
양자우물, 적외선 흡수층, 양자우물 적외선 검출소자, 양자우물 무질서화, 밴드갭

公开(公告)号：KR100390281B1

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020000069528

申请日：2000-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 제해준 ,  박재관 ,  조운조 ,  김병국 ,  김진상

IPC: G11B5/127

Abstract: PURPOSE: A junction glass for fixing a magnetic head is provided to have a thermal expansion coefficient similar to ferrite, have a junction temperature under 450 °C to be lower than a softening point of a gap junction glass, and to prevent the generation of recrystallization upon heat processing. CONSTITUTION: A junction glass has a low fusion point and is used for fixing a magnetic head at a temperature under 450 °C. An MIG(Metal-In-Gap) type magnetic head core is coupled to a gap of a top shield that is composed of ferrite and CaTiO3, wherein a metal magnetic thin film is formed in a gap of a pair of ferrite cores and a gap junction glass is used for coupling the gap to form the magnetic head core by mutually coupling the ferrite cores. And the junction glass for fixing the magnetic head consists of, in percentage, PbO 50-90%, B2 O3 5-20%. ZnO 0-15%, Cu2 O 0-10%, Bi2 O3 0-5%. and SiO2 0-5%.

Abstract translation: 本发明提供一种用于固定磁头的接合玻璃，其热膨胀系数与铁氧体相似，其结温低于450℃，低于间隙接合玻璃的软化点， 通过热处理产生再结晶。 组成：中继玻璃具有低熔点，用于在450℃和低于450℃的温度下固定磁头。 MIG（Metal-In-Gap）型磁头磁芯与由铁氧体和CaTiO 3组成的顶部屏蔽的间隙连接，其中在一对铁氧体磁心的间隙中形成金属磁性薄膜， 中间玻璃用于通过相互耦合铁氧体磁芯来耦合间隙以形成磁头磁芯。 用于固定磁头的接合玻璃由百分比为PbO 50-90％，B2O3 5-20％组成。 ZnO 0-15％，Cu 2 O 0-10％，Bi 2 O 3 0-5％。 和SiO2 0-5％。

公开(公告)号：KR100389688B1

公开(公告)日：2003-06-27

申请号：KR1020000069529

申请日：2000-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 제해준 ,  박재관 ,  조운조 ,  김병국 ,  김진상

IPC: G11B5/127

Abstract: PURPOSE: A junction glass for fixing a magnetic head is provided to have a thermal expansion coefficient similar to ferrite, to have a junction temperature lower than a softening point of a gap junction glass, and to prevent the generation of recrystallization upon heat treatment. CONSTITUTION: Two ferrite cores are coupled with a gap junction glass, to form a magnetic head core(1). The magnetic head core is inserted in a core inserting groove of a slider(3). A junction glass(4) for fixing the magnetic head has a heat treatment temperature lower than a softening point of the gap junction glass, and is loaded on the magnetic head core. The junction glass for fixing the magnetic head is fused and injected to a gap of the core inserting groove, to couple the magnetic head core to the core inserting groove. The junction glass for fixing the magnetic head consists of, in percentage, PbO 60-80%, SiO2 5-20%, B2 O3 2-10%. Al2 O3 0-5%, ZnO 0-5%, Fe2 O3 0-5%, CuO 0-5%, TeO2 2-15%, and Bi2 O3 2-15%.

Abstract translation: 目的：提供一种用于固定磁头的接合玻璃，其热膨胀系数与铁氧体相似，其结点温度低于间隙接合玻璃的软化点，并防止热处理时产生再结晶。 组成：两个铁氧体磁芯与间隙连接玻璃耦合，形成一个磁头磁芯（1）。 磁头芯被插入滑块（3）的芯插入槽中。 用于固定磁头的接合玻璃（4）的热处理温度低于间隙接合玻璃的软化点，并装载在磁头芯上。 用于固定磁头的接合玻璃熔融并注入到芯插入槽的间隙中，以将磁头芯连接到芯插入槽。 用于固定磁头的接合玻璃由百分比为PbO 60-80％，SiO 2 5-20％，B 2 O 3 2-10％组成。 Al 2 O 3 0-5％，ZnO 0-5％，Fe 2 O 3 0-5％，CuO 0-5％，TeO 2 2-15％和Bi 2 O 3 2-15％。

公开(公告)号：KR1020020039740A

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：KR1020000069528

申请日：2000-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 제해준 ,  박재관 ,  조운조 ,  김병국 ,  김진상

IPC: G11B5/127

Abstract: PURPOSE: A junction glass for fixing a magnetic head is provided to have a thermal expansion coefficient similar to ferrite, have a junction temperature under 450 °C to be lower than a softening point of a gap junction glass, and to prevent the generation of recrystallization upon heat processing. CONSTITUTION: A junction glass has a low fusion point and is used for fixing a magnetic head at a temperature under 450 °C. An MIG(Metal-In-Gap) type magnetic head core is coupled to a gap of a top shield that is composed of ferrite and CaTiO3, wherein a metal magnetic thin film is formed in a gap of a pair of ferrite cores and a gap junction glass is used for coupling the gap to form the magnetic head core by mutually coupling the ferrite cores. And the junction glass for fixing the magnetic head consists of, in percentage, PbO 50-90%, B2 O3 5-20%. ZnO 0-15%, Cu2 O 0-10%, Bi2 O3 0-5%. and SiO2 0-5%.

Abstract translation: 目的：提供用于固定磁头的接合玻璃以具有与铁素体相似的热膨胀系数，结温在450℃以下，以便低于间隙接合玻璃的软化点，并且防止再结晶的产生 经热处理。 结构：接合玻璃具有低熔点，用于在450℃的温度下固定磁头。 MIG（金属间隙）型磁头芯与由铁氧体和CaTiO 3组成的顶部屏蔽的间隙耦合，其中金属磁性薄膜形成在一对铁氧体磁芯的间隙和间隙 连接玻璃用于通过相互耦合铁氧体磁芯来连接间隙以形成磁头芯。 用于固定磁头的接合玻璃由以下百分比组成：PbO 50-90％，B2 O3 5-20％。 ZnO 0-15％，Cu 2 O 0-10％，Bi 2 O 3 0-5％。 和SiO 2 0-5％。

公开(公告)号：KR1020020033359A

公开(公告)日：2002-05-06

申请号：KR1020000064252

申请日：2000-10-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 제해준 ,  박재관 ,  조운조 ,  김병국 ,  김진상

IPC: G11B5/10

Abstract: PURPOSE: A junction glass for magnetic heads is provided to have a thermal expansion coefficient similar to ferrite and to have a junction temperature under 600 °C. And the junction glass is provided to have an excellent water resistance and an abrasion resistance, and to prevent the encroachment of a thin film or the generation of foam upon heat treatment. CONSTITUTION: A junction glass has a low fusion point that is used for uniting or fixing a magnetic head at a temperature under 600 °C. The junction glass for magnetic heads is used to unite or fix an MIG(Metal In Gap) type magnetic head, in which a FeN type metal magnetic thin film is formed in a gap of a pair of ferrite cores. And the junction glass for magnetic heads consists of, in percentage, PbO 45-80 %, SiO2 5-25%, B,.2 O3 0-10%. Bi2 O3 0-20%, Al2 O3 0-10%, .ZnO 0-10%, Fe2 O3 0-5%, Sb2 O3 0-2%, and Na2 O and K2 O 0-10%.

Abstract translation: 目的：提供用于磁头的接合玻璃以具有与铁素体相似的热膨胀系数，并具有低于600℃的结温。 并且提供接合玻璃以具有优异的耐水性和耐磨性，并且在热处理时防止薄膜的侵入或泡沫的产生。 结构：接合玻璃具有低熔点，用于在600℃以下的温度下结合或固定磁头。 用于磁头的接合玻璃用于联合或固定在一对铁氧体磁心的间隙中形成FeN型金属磁性薄膜的MIG（金属间隙）型磁头。 用于磁头的接合玻璃以PbO 45-80％，SiO 2 5-25％，B，.0 O 3 0-10％的百分比组成。 Bi 2 O 3 0-20％，Al 2 O 3 0-10％，ZO 10-10％，Fe 2 O 3 0-5％，Sb 2 O 3 0-2％，Na 2 O和K 2 O 0-10％。

公开(公告)号：KR100275783B1

公开(公告)日：2001-04-02

申请号：KR1019970045606

申请日：1997-09-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영환 ,  조운조 ,  한택상

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A rotary type substrate heating device of vacuum equipment for manufacturing a thin film is provided to manufacture a good quality and uniform thin film by heating a substrate while rotating it under oxygen atmosphere and enabling uniform temperature distribution. CONSTITUTION: A heater(10) consists of a main body(11) having a receiving space(12), an insulating member(15) and a heating body. A shaft hole(14) for inserting a rotating shaft is formed in the center of the main body(11). A plurality of heating body supporting grooves(16) having top surfaces open are formed on the insulating member(15), which is inserted into the receiving space(12) and has a central shaft through hole(18a). The heating body is inserted into the supporting grooves(16). A rotary disk(20) is fixed to a top end of the rotating shaft(30) to be rotated over a heating surface of the heater.

Abstract translation: 目的：提供用于制造薄膜的真空设备的旋转式基板加热装置，通过在氧气氛下旋转基板的同时加热基板来制造质量好且均匀的薄膜，并且能够均匀地进行温度分布。 构成：加热器（10）由具有容纳空间（12）的主体（11），绝缘构件（15）和加热体构成。 在主体（11）的中心形成有用于插入旋转轴的轴孔（14）。 在绝缘构件（15）上形成有多个具有开口的加热体支撑槽（16），该绝缘构件（15）插入容纳空间（12）并具有中心轴通孔（18a）。 加热体插入支撑槽（16）中。 旋转盘（20）固定在旋转轴（30）的顶端，以旋转加热器的加热面。

公开(公告)号：KR100275795B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019990000812

申请日：1999-01-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인태 ,  박재관 ,  조운조 ,  박재환

IPC: H01L21/203

Abstract: 본 발명은 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 박막 제조방법은 졸-겔법에 의하여 박막을 제조할때 건조 첨가제를 사용하여, 박막에 크랙이 발생하는 것을 방지하였으나, 그 박막형성과정에서 건조 첨가제를 모두 증발시키기 위해 시간과 에너지가 많이 소모되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 용매와 증류수의 혼합비를 조절하여 졸 용액의 표면장력을 제어하여 건조 첨가제를 사용한 경우와 같이 양질의 박막 평활도를 구현함으로써, 높은 끓는 점을 갖는 건조 첨가제를 증발시키기 위해 필요한 시간 및 에너지를 절약할 수 있으며, 건조 첨가제가 박막에 잔류할 경우 발생하는 박막의 특성 저하를 방지하여 박막의 특성을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100162871B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950049978

申请日：1995-12-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 조운조 ,  김영환 ,  한택상 ,  최상삼

IPC: G01L7/00

Abstract: 본 발명은 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 장치에 관한 것으로, 일반적인 산소분압 측정방법은 종래 진공장치가 진공챔버(1) 내부의 각 위치마다 산소분압이 균일하지 않아 종래의 측정되는 산소분압은 진공장치 내부의 평균적인 산소분압일 뿐이고, 박막이 증착되는 가열판(8) 상측에 대한 실제의 산소분압과는 오차가 발생되는 문제가 있었다. 따라서 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물에 열전대와 전기저항 측정용 전선을 부착한 소자를 기판이부착되는 가열판에 부착하여 가열판 주변의 부분적인 산소 분압을 측정하도록 한 본 발명에 의한 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 소자(10)와, 소자(10)의 온도를 측정하는 열전대(11)와, 소자(10)의 전기저항을 측정하는 전선(12)과, 전공챔버(1)의 진공을 유지함과 아울러 소자(10)의 온도와 저항에서 발생되는 전기신호를 진공챔버(1)의 외부로 인출하는 피드 쓰루(feed through)(13)와, 상기 피드 쓰루(13)를 통해서 출력되는 전기신호 중 소자의 온도를 읽어주는 온도지시기(14) 및 소자의 저항을 읽어주는 멀티 미터(15)로 구성되는 산소분압 측정 장치가 제공됨으로써 가열판 주위의 산소분압을 정확하게 측정할 � �� 있게 되는 것이다.